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非揮發(fā)性存儲器規(guī)模將超越SSD

作者: 時間:2016-12-16 來源:Digitimes 收藏

  NAND Flash固態(tài)硬碟()襲卷了過去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè),而非揮發(fā)性(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異,勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟,即將卷土重來,成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報導指出,F(xiàn)lash 速度雖較傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)磁碟裝置快上許多,但兩者的I/O堆疊其實沒有太大的差異,因此Flash 在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時,仍有延遲、錯誤等缺點。反觀NVM除了速度更快之外,其還擁有持久型儲存的功能,也就是儲存級(SCM)的能力。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/341696.htm

  儲存級存儲器產(chǎn)品目前在價格上仍無法與NAND Flash競爭,因此還要幾年的時間才有機會成為主流,不過現(xiàn)在仍可利用存儲器匯流排上的非揮發(fā)性DIMM(NVDIMM)大幅提升系統(tǒng)速度。像是記憶儲存廠商Plexistor便打造了一套具備非揮發(fā)性存儲器意識(NVM-aware)的檔案系統(tǒng),能夠?qū)/O性能提升6~8倍,且延遲不到現(xiàn)今檔案系統(tǒng)的10分之1。

  有鑒于CPU性能提升所能帶來的效益面臨了極限,微軟與英特爾等大廠開始將更多資金投入非揮發(fā)性存儲器與儲存級存儲器技術(shù)的研發(fā)。英特爾的3D XPoint,以及惠普企業(yè)(HPE)的Persistent Memory都是其中的例子。另外像是磁性存儲器(MRAM)和電阻式存儲器(RRAM)等儲存級存儲器技術(shù),也都蓄勢待發(fā),準備顛覆既有的系統(tǒng)架構(gòu)。

  事實上,非揮發(fā)性存儲器與儲存級存儲器雖是創(chuàng)新的技術(shù),但它們的優(yōu)點,有不少都曾出現(xiàn)在更早的技術(shù)中。例如,磁芯存儲器(Magenetic Core Memory)的持久性,讓它即使在DRAM價格不斷下滑的情況下,還是能大受歡迎;IBM的System 38同樣也只有單一存儲器層,并以硬碟作為存儲器空間的虛擬延伸。然而這些架構(gòu)最終多被人遺忘,成為歷史。

  目前最受關(guān)注的非揮發(fā)性存儲器技術(shù),不僅速度快,價格也十分合理。雖然不會如Flash般便宜,但像是3D XPoint的價格就比DRAM更低。非揮發(fā)性存儲器技術(shù)除了會大量使用在PC與NB上,還有機會出現(xiàn)在更大規(guī)模的儲存系統(tǒng)應用。



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