新型電路板技術(shù)滿足數(shù)字電源的需求(1)
功率器件封裝技術(shù)家族新成員推動(dòng)電路板設(shè)計(jì)向前發(fā)展
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201808/387798.htmBPA在其剛剛發(fā)表的報(bào)告《電路板中的金屬—增強(qiáng)印刷電路板的熱能與功率管理的機(jī)遇》中確定了功率半導(dǎo)體家族的新成員,且指出這些半導(dǎo)體器件對(duì)電路板的熱能和功率管理提出了新的設(shè)計(jì)要求。該報(bào)告依據(jù)下述原則將大量應(yīng)運(yùn)而生的電路板級(jí)解決方案分為12大類:
● 熱能管理技術(shù)—熱導(dǎo)管、內(nèi)嵌物和散熱面等;
● 電流管理—銅面、嵌入式母線、離散布線或帶;
● 電路板鋪設(shè)—層數(shù)及內(nèi)部/外部散熱面的使用。
這些解決方案提供了廣泛的熱能與功率管理能力,且通過電路板熱路徑能夠提供溫升在10℃以內(nèi)的不同功率密度管理能力。這些解決方案的功率密度范圍為0.25W/cm2~35W/cm2。
如今,功率轉(zhuǎn)換、管理與控制的數(shù)字化進(jìn)程不斷加快,功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和自動(dòng)化裝配成本優(yōu)勢日益突出,進(jìn)而推動(dòng)表貼封裝技術(shù)向著更新、更小的趨勢發(fā)展。在這種情形下,這些解決方案所能提供的能力范圍是至關(guān)重要的。
小型封裝提供高能量
“等量”封裝產(chǎn)品家族便是其中之一,這種器件由國際整流器公司(IR)開發(fā)并命名為“DirectFET”進(jìn)入市場。還有一種類似的封裝就是英飛凌科技股份有限公司的“CanPAK”,采用國際整流公司授權(quán)的DirectFET技術(shù)制成。這些器件之所以被稱為“等量”器件是因?yàn)樗鼈兲峁┮粭l既可通往電路板內(nèi)部又可在需要時(shí)通過封裝頂部通往電路板外部的平衡散熱路徑,如圖1所示。
圖1:“等量”封裝提供兩條散熱路徑:通往電路板內(nèi)部和周圍環(huán)境。
除了能夠滿足熱量要求外,等量封裝中使用金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的電源應(yīng)用能夠承載五十安培至幾百安培的電流。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)印刷電路板能夠承載的電流上限(10A~15A)。要管理該種電流強(qiáng)度需要一套不同且獨(dú)特的電路板設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。
載流容量—功率封裝中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)
通過導(dǎo)體的電流會(huì)以熱的形式造成電阻功率的損耗(I2R),在高電流強(qiáng)度的情況下,溫升成為載流容量的一個(gè)決定因素,因?yàn)閷?dǎo)體的電阻率隨著溫度的變化而變化。電阻率和溫度呈線性關(guān)系,也就是說,電阻率與溫度變化成正比,變化速率由導(dǎo)體的溫度系數(shù)決定。
RT = RT0 × [(1 + α(T-T0)] (1)
式中:
T—測量電阻率時(shí)的溫度;
T0—參考溫度(周圍環(huán)境溫度);
α—線性溫度系數(shù)(銅電阻溫度系數(shù)=0.004);
RT—測量溫度下的電阻率;
RT0—參考溫度下的電阻率。
對(duì)于一個(gè)銅導(dǎo)體而言,溫度每增加25℃,導(dǎo)體的電阻率RT隨之增加,最大載流容量則降低5%。考慮到這可能會(huì)使功率損耗更加嚴(yán)重并導(dǎo)致溫度升高,在MiB設(shè)計(jì)實(shí)踐中必須考慮有效地控制和降低導(dǎo)體電阻率,同時(shí)提供低熱阻路徑用于散發(fā)熱量。
在印刷電路板中,載流容量取決于多種不同因素:
● 由擴(kuò)散層、接地層和疊層提供的傳導(dǎo)和對(duì)流能力;
● 路徑寬度和厚度的比率;
● 周圍環(huán)境溫度;
● 相鄰高電流路徑;
● 交流(AC)或直流(DC)電流;
● 局部橫截面收縮的存在與頻率;
● 與導(dǎo)體串聯(lián)鍍通孔的存在、數(shù)量和導(dǎo)電橫截面。
因此,設(shè)計(jì)過程中需考慮更多的可變因素,而不僅僅只依據(jù)IPC 2152電流和溫度表的對(duì)比。
MiB—創(chuàng)新型設(shè)計(jì)的福音
“電路板中的金屬”(簡寫為MiB)包含多種將MiB構(gòu)件結(jié)合在一起從而提供有效高電流解決方案的方法。離散線印刷電路板(簡寫為DWPCB)就是最常用的一種。
市場上可以買到的一種DWPCB是由澳大利亞PCB制造商Häusermann GmbH開發(fā)的“HSMTec”。HSMTec使用直徑為0.5mm的銅線和0.5mm厚的矩形橫截面銅帶(“型材”),在電路板內(nèi)提供離散性低電阻電流和熱量路徑,如圖2所示。
圖2:“離散布線”工藝—將高電流元件焊接至電路板內(nèi)層。
與傳統(tǒng)厚銅板或金屬芯板相比,這種解決方案有很多優(yōu)勢:
● 傳統(tǒng)PCB工藝確保始終如一的高可靠性;
● 只在需要時(shí)提供加強(qiáng)型熱量和電流路徑;
● MiB成本取決于需要MiB的那些網(wǎng);
● 布線密度高且符合高密度互連(HDI)使能邏輯和功率集成;
● FR-4材料的使用減少了鋁基板中經(jīng)常出現(xiàn)的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配情況;
● 組裝期間電路板可折疊,為LED燈具提供光度解決方案且無需使用子板/接頭。
構(gòu)成DWPCB電路板MiB組件的型材和導(dǎo)線被焊接在蝕刻于內(nèi)芯的路徑上,形成一個(gè)由蝕刻路徑和結(jié)合元件組成的三明治形狀。這一專利工藝可以確保路徑與對(duì)均勻散熱至關(guān)重要的導(dǎo)線/型材之間熔合線的一致性和導(dǎo)體橫截面的一致性。同時(shí),這一工藝簡化了布局任務(wù)和/或從傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)化流程,因?yàn)楦唠娏鱉iB組件(導(dǎo)線和型材)的布置是在內(nèi)層或外層顯著擴(kuò)大了的路徑上完成的。
這種排列方式為疊層配置提供了更多的靈活性。型材/導(dǎo)線焊接在路由路徑上,散熱面可與MiB路徑同層或設(shè)置在與MiB路徑同軸的飾面層。經(jīng)證實(shí),設(shè)置于飾面層的散熱面可改善散熱效果,如圖3所示。
圖3:散熱面對(duì)散熱效果的影響。
設(shè)計(jì)指南包括基于不同布局安排的熱像觀察載流容量表。如圖4所示,DWPCB電路板適合額定電流高達(dá)約140A(40℃溫升)的“中等”功率應(yīng)用。
圖4:各種型材橫截面和電流(安培)的溫升。
結(jié)合熱通孔或內(nèi)嵌物,取決于占空比的大小,這一數(shù)值能夠超過300A。BPA報(bào)告中提及的其他MiB類型適用于高電流應(yīng)用(250A~1000A),尤其是混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車或高功率整流。
DWPCB電路板的中等電流能力、高散熱特性和設(shè)計(jì)靈活性使其成為邏輯電路板、總線和線纜的更具性價(jià)比的替代品,而且其應(yīng)用范圍正在不斷擴(kuò)大。
設(shè)計(jì)實(shí)例:電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)
圖5所示的鋰離子電池組可為輕型電動(dòng)車提供平均100A、最大300A的電流。
評(píng)論