BittWare 宣布對 Eideticom 進(jìn)行戰(zhàn)略投資并拓寬基于 FPGA 的 NVMe 加速器產(chǎn)品組合以將 EDSFF 納入其中

新加坡–2019 年8月21日–Molex旗下的 BittWare 公司是一家采用FPGG技術(shù)的企業(yè)級 NVMe 存儲平臺領(lǐng)域領(lǐng)先供應(yīng)商，宣布將對 Eideticom 進(jìn)行戰(zhàn)略投資并開展協(xié)作 – 后者在高增長的新興計算存儲市場上是廣受認(rèn)可的領(lǐng)導(dǎo)者。

BittWare 市場副總裁 Craig Petrie 表示：“我們對 Eideticom 的投資合作將加快基于 NVMe 的計算存儲解決方案的推出，并且協(xié)助我們的客戶在降低風(fēng)險和成本的同時，實現(xiàn)創(chuàng)新。通過分享兩種尖端產(chǎn)品的詳細(xì)信息，我們正在拓展 BittWare 在這個新市場上的領(lǐng)導(dǎo)力 。250-E1S 是全球第一種符合 E1.S EDSFF 標(biāo)準(zhǔn)的 FPGA NVMe 加速器。第二個產(chǎn)品是 250-HMS，與 IBM 聯(lián)合開發(fā)而成，它充分利用了 OpenCAPI 中 25Gbps 高速串行接口的高性能，在新興的存儲級內(nèi)存領(lǐng)域，可以為數(shù)據(jù)庫加速提供技術(shù)與性能上的絕佳組合。”

Eideticom 首席執(zhí)行官 Roger Bertschmann 表示：“我們非常高興Molex能夠成為 Eideticom 的投資方。與Molex旗下的 BittWare 公司協(xié)作，將有助于加快我們的 NoLoad? 計算存儲處理器的開發(fā)過程，并且為市場提供激動人心的新方案來解決充滿了挑戰(zhàn)的數(shù)據(jù)處理問題。在Molex的協(xié)助下，Eideticom 可以更加高效的擴(kuò)大規(guī)模，更好的服務(wù)于我們不斷增長中的全球客戶群?！?/p>

這個BittWare 計算存儲產(chǎn)品組合符合 PCIe 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、U.2，以及 EDSFF 對外形的要求。這些開放架構(gòu)的 NVMe 平臺可以由從事內(nèi)部能力開發(fā)的客戶進(jìn)行完全的編程，或者作為準(zhǔn)備就緒的預(yù)配置解決方案來交付，其中配有 Eideticom 的 NoLoad? IP。在使用 NoLoad? 預(yù)編程后，每個計算存儲服務(wù)都可以作為一個常規(guī)的 NVMe 命名空間來提供給主機(jī)操作系統(tǒng)，并且綁定到標(biāo)準(zhǔn)的 NVMe 驅(qū)動器上。這樣客戶就可以不再需要開發(fā)或者使用專用的驅(qū)動器或軟件棧。相反，客戶可以繼續(xù)使用他們首選的 Linux、Windows 或 VMWare 操作系統(tǒng)以及各種基于主機(jī)的應(yīng)用。

250-E1S

250-E1S 是一種符合 E1.S SFF-TA-1006 EDSFF 規(guī)范的 PCIe 計算存儲處理器 (CSP)。250-E1S 采用了完全可編程的 FPGA，直接耦合到本地的 DDR4 內(nèi)存上。這種高能效的靈活計算節(jié)點(diǎn)可以由客戶進(jìn)行完全的編程，或者通過 Eideticom 的 NoLoad? 來預(yù)編程，然后交付。250-E1S 在 1U 的機(jī)殼中可從前部進(jìn)行維護(hù)，并可在同一臺服務(wù)器中與存儲單元混合使用，為用戶提供混合搭配的存儲和加速能力。

250-HMS

250-HMS 是一種符合全高、半長、單一寬度 PCIe 形狀系數(shù)要求的數(shù)據(jù)庫加速器。最新一代的 FPGA/MPSoC 技術(shù)與業(yè)內(nèi)久經(jīng)考驗的一系列內(nèi)存技術(shù)的組合緊密的結(jié)合到一起：

˙三星的低延遲 zNAND 作為主備份介質(zhì)，可實現(xiàn)極高的容量與性能

˙DRAM 作為緩存，在兼容的工作負(fù)載實現(xiàn)較低的有效延遲

˙MRAM 在供電意外中斷時可保存關(guān)鍵信息

采用了存儲級的內(nèi)存，250-HMS 可以在 NAND 和 DRAM 之間取得良好的平衡，同時保證性能與合理的價格，為客戶提供以前無法實現(xiàn)的選項。250-HMS 不會取代主內(nèi)存 DRAM，在同一條內(nèi)存通道上也無需 DRAM DIMM，這樣，在不犧牲帶寬的情況下，系統(tǒng)即可實現(xiàn)更高的總內(nèi)存容量。