東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。

U-MOS X-H系列產(chǎn)品示意圖

新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨。

由于采用了其最新一代的工藝制造技術(shù)，與當(dāng)前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比，新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，漏源導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性^[1]之間的平衡也得到了進(jìn)一步的改善^[2]。因此，新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低^[3]功耗。

東芝正在擴(kuò)展其降耗型產(chǎn)品線，從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。

應(yīng)用：

●   開關(guān)電源（高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

●   電機(jī)控制設(shè)備（電機(jī)驅(qū)動(dòng)等）

特性：

●   業(yè)界最低^[3]功耗（通過改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡）

●   業(yè)界最低^[3]導(dǎo)通電阻：

R_DS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠V_GS=10V（TPH2R40QM）

R_DS(ON)=19mΩ（最大值）＠V_GS=10V（TPN19008QM）

●   高額定通道溫度：T_ch=175℃

主要規(guī)格：

（除非另有說明，@Ta＝25℃）