助力“新基建”提速 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需“錯(cuò)位發(fā)展”防泡沫

“新基礎(chǔ)設(shè)施”是最近的熱門詞匯之一。國家發(fā)展和改革委員會(huì)最近首次明確了新基礎(chǔ)設(shè)施——的范圍。新基礎(chǔ)設(shè)施是以新的發(fā)展理念為指導(dǎo)、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力、以信息網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)、面向高質(zhì)量發(fā)展需求的基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng),提供數(shù)字轉(zhuǎn)換、智能升級和集成創(chuàng)新等服務(wù)。

“在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的‘新基礎(chǔ)設(shè)施’主要領(lǐng)域進(jìn)行自主創(chuàng)新、開發(fā)、改造和升級的關(guān)鍵核心材料和電子元件。

沈波解釋說,與仍然是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域主流的傳統(tǒng)硅基器件相比,第三代半導(dǎo)體功率電子器件可以進(jìn)一步提高電子電氣設(shè)備的效率、小型化和智能化。例如,基于碳化硅的抗高電壓、大電流和低損耗的電力電子器件和模塊可大規(guī)模應(yīng)用于智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車等領(lǐng)域。高效率、小體積、終端設(shè)備電源、手機(jī)和筆記本電腦電源適配器、無線快速充電電源等領(lǐng)域具有巨大的技術(shù)優(yōu)勢和市場空間。

其中,第三代半導(dǎo)體射頻電子器件已經(jīng)在民用和軍用領(lǐng)域得到了大規(guī)模應(yīng)用。尤其是氮化鎵射頻電子器件和模塊,由于其高頻、高功率、大帶寬的性能優(yōu)勢,在5G移動(dòng)通信基站建設(shè)中發(fā)揮著不可替代的作用。中國5G建設(shè)的加速將引發(fā)氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長。

放眼全球,2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)將處于低迷狀態(tài),但第三代半導(dǎo)體的技術(shù)、產(chǎn)品、市場和投資都呈現(xiàn)出較高的增長趨勢。領(lǐng)先企業(yè)通過調(diào)整業(yè)務(wù)領(lǐng)域、擴(kuò)大產(chǎn)能供應(yīng)、整合并購,加強(qiáng)了在第三代半導(dǎo)體的分銷,增強(qiáng)了競爭力。相比之下,中國的第三代半導(dǎo)體功率電子和射頻電子產(chǎn)業(yè)還處于起步階段,已經(jīng)初步形成了從材料、器件到應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。然而,總體技術(shù)水平仍落后于世界最高水平3-5年。迫切需要突破材料、器件、包裝和應(yīng)用環(huán)節(jié)的核心關(guān)鍵技術(shù),以及可靠性和一致性等工程應(yīng)用問題。

“新基礎(chǔ)設(shè)施”的加速為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了寶貴的機(jī)遇。國內(nèi)市場對第三代半導(dǎo)體材料和器件的需求迅速增長。終端應(yīng)用企業(yè)也在調(diào)整供應(yīng)鏈以支持國內(nèi)企業(yè)。產(chǎn)業(yè)鏈中上游和中游以前難以進(jìn)入供應(yīng)鏈的產(chǎn)品將獲得下游用戶認(rèn)證機(jī)會(huì),并進(jìn)入幾個(gè)主要制造商的供應(yīng)鏈。”第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長俞昆山表示。

最近發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展報(bào)告(2019年)》預(yù)測,2024年中國第三代半導(dǎo)體功率電子器件的應(yīng)用市場將達(dá)到200億元,未來五年復(fù)合增長率將超過40%。

面對難得的機(jī)遇,俞昆山建議中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)該更加腳踏實(shí)地,穩(wěn)步前進(jìn)。“過去幾年,政策資源嚴(yán)重傾斜,第三代半導(dǎo)體在許多地方被列為重點(diǎn)支持產(chǎn)業(yè),并采取了許多措施吸引項(xiàng)目,這也導(dǎo)致了一些低水平的重復(fù)建設(shè)。有鑒于此,各地在大力支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時(shí),也要注意協(xié)調(diào)發(fā)展和錯(cuò)位發(fā)展,做好項(xiàng)目篩選工作,結(jié)合本地產(chǎn)業(yè)、人才和資源優(yōu)勢,考慮財(cái)力和政策成本收益率,因地制宜?！?/p>

此外,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在過去兩年的快速市場增長主要是由于國家大力推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的獨(dú)立性,以及碳化硅和氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的新應(yīng)用所獲得的資本進(jìn)入。然而,當(dāng)前的經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致了消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車甚至工業(yè)電機(jī)等各種產(chǎn)品的市場下滑,出口受阻,下游需求萎縮?！靶袠I(yè)應(yīng)該努力提高產(chǎn)品性能和競爭力。深入挖掘創(chuàng)新應(yīng)用,在擴(kuò)大增量市場的同時(shí)擴(kuò)大現(xiàn)有市場的滲透率,促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展。同時(shí),我們也要面對“抓住機(jī)遇,提前投資,但市場啟動(dòng)不及預(yù)期”的矛盾,把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展的節(jié)奏。余昆山強(qiáng)調(diào)道。