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ROHM開發(fā)出雙通道高速CMOS運(yùn)算放大器“BD77502FVM”

—— 抗噪聲性能出色的“EMARMOUR?”系列高速運(yùn)算放大器,有助于擴(kuò)大產(chǎn)品陣容時(shí)實(shí)現(xiàn)緊湊型設(shè)計(jì)
作者: 時(shí)間:2020-10-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款雙通道高速接地檢測(cè)CMOS運(yùn)算放大器*1“BD77502FVM”,非常適用于計(jì)量設(shè)備、控制設(shè)備中使用的異常檢測(cè)系統(tǒng)以及處理微小信號(hào)的各種傳感器等需要高速感測(cè)的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202010/419151.htm

近年來,隨著IoT的普及,在汽車和工業(yè)設(shè)備等各種應(yīng)用中,搭載了很多電子元器件以實(shí)現(xiàn)高級(jí)控制。隨著應(yīng)用的電子化和高密度化發(fā)展,噪聲環(huán)境也越來越差,傳感器等處理微小信號(hào)的元器件的降噪設(shè)計(jì)已成為巨大課題。此外,在旨在確保安全性的各種異常檢測(cè)系統(tǒng)中,需要能夠高速放大微小信號(hào)的運(yùn)算放大器,但高速運(yùn)算放大器會(huì)因布線等的負(fù)載電容而容易發(fā)生振蕩,且難以處理,因此成為PCB設(shè)計(jì)的很大負(fù)擔(dān)。   

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ROHM已經(jīng)在抗干擾性能出色的EMARMOUR?系列中,推出了采用自有電源技術(shù)“Nano Cap?”,且不會(huì)因負(fù)載容量影響而發(fā)生振蕩的單通道高速CMOS運(yùn)算放大器“BD77501G”。該產(chǎn)品收到了眾多領(lǐng)域和地區(qū)包括客戶和其他領(lǐng)域技術(shù)人員在內(nèi)的廣泛反響,因此,為滿足市場(chǎng)需求,此次又推出了雙通道的新產(chǎn)品。

“BD77502FVM”是一款新產(chǎn)品,具有抗EMI性能*2(以下稱“抗噪聲性能”)非常出色、支持高速放大(10V/μs的高轉(zhuǎn)換速率),同時(shí)不會(huì)因布線等負(fù)載容量而振蕩等特點(diǎn),并且內(nèi)置兩路(2ch)已獲得高度好評(píng)的高速運(yùn)算放大器。由于具備出色的抗噪聲性能,因此不僅可將各噪聲頻段的輸出電壓波動(dòng)控制在±20mV以內(nèi)(普通產(chǎn)品的1/10),而且在受負(fù)載容量影響容易產(chǎn)生振蕩的高速型運(yùn)算放大器中也不會(huì)發(fā)生振蕩,可穩(wěn)定工作。因此,當(dāng)將本產(chǎn)品配置在傳感器等輸出微小信號(hào)的元器件后級(jí)時(shí),可以不受外部噪聲和負(fù)載容量的影響而實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)放大,作為雙通道產(chǎn)品,更加緊湊,有助于減少應(yīng)用的設(shè)計(jì)工時(shí)并提高可靠性。

本產(chǎn)品已于2020年8月開始出售樣品(樣品價(jià)格 500日元/個(gè),不含稅),預(yù)計(jì)于2020年10月開始暫以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。

未來,ROHM將會(huì)進(jìn)一步加速擴(kuò)充本系列產(chǎn)品陣容,并推進(jìn)車載級(jí)產(chǎn)品的開發(fā),為減少?gòu)V泛應(yīng)用的設(shè)計(jì)工時(shí)和提高應(yīng)用的可靠性貢獻(xiàn)力量。

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<什么是EMARMOUR??>

“EMARMOUR”是ROHM產(chǎn)品的品牌名,該品牌產(chǎn)品融合了ROHM的“電路設(shè)計(jì)技術(shù)”、“布局技術(shù)”、“工藝技術(shù)”優(yōu)勢(shì)開發(fā)而成,并在ISO 11452-2國(guó)際抗擾度評(píng)估測(cè)試中,實(shí)現(xiàn)在整個(gè)噪聲頻段的輸出電壓波動(dòng)均在±300mV以內(nèi)的抗干擾性能。由于抗噪聲性能非常出色,有助于解決系統(tǒng)開發(fā)過程中的噪聲干擾問題,因而可減少設(shè)計(jì)工時(shí)并提高可靠性。

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<新產(chǎn)品特點(diǎn)>

新產(chǎn)品“BD77502FVM”屬于抗噪聲出色的EMARMOUR?系列中的高速型運(yùn)算放大器,具有不會(huì)因負(fù)載容量而發(fā)生振蕩的特點(diǎn),是在工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)備受青睞的單通道接地檢測(cè)CMOS運(yùn)算放大器“BD77501G”的擴(kuò)展產(chǎn)品。在實(shí)現(xiàn)以下特點(diǎn)的同時(shí),作為雙通道產(chǎn)品,還支持市場(chǎng)要求的更加緊湊的應(yīng)用電路板設(shè)計(jì)。

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1   不振蕩的高速運(yùn)算放大器,減少負(fù)載容量引起的設(shè)計(jì)工時(shí)

新產(chǎn)品采用ROHM自有的電源技術(shù)“Nano Cap?”,實(shí)現(xiàn)了非常穩(wěn)定的控制,不僅支持異常檢測(cè)系統(tǒng)等所要求的高速放大(轉(zhuǎn)換速率高達(dá)10V/μs),而且是不會(huì)因布線等的負(fù)載容量而發(fā)生振蕩的運(yùn)算放大器。普通的高速運(yùn)算放大器會(huì)因布線等的負(fù)載容量而變得不穩(wěn)定,而且受布線和外圍部件的限制非常難以處理。而本產(chǎn)品可在不發(fā)生振蕩的狀態(tài)下穩(wěn)定工作,非常有助于縮減應(yīng)用的設(shè)計(jì)工時(shí)。

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2   出色的抗噪聲性能,可減輕降噪設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)(EMARMOUR?的特點(diǎn))

在整個(gè)噪聲頻段,相對(duì)于普通產(chǎn)品±200mV以上的輸出電壓波動(dòng),新產(chǎn)品作為EMARMOUR運(yùn)算放大器系列中的產(chǎn)品之一,輸出電壓波動(dòng)僅±20mV以內(nèi),實(shí)現(xiàn)了出色的抗噪聲性能。由于無需針對(duì)各頻段噪聲采取對(duì)策(設(shè)計(jì)濾波電路),故可以減輕在系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用的傳感器等的降噪設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān),從而有助于減少應(yīng)用的設(shè)計(jì)工時(shí)并提高可靠性。

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3   降噪部件數(shù)量減少16個(gè) (EMARMOUR?的特點(diǎn))

新產(chǎn)品的抗噪聲性能非常優(yōu)異,所以可減少普通產(chǎn)品必不可少的外置降噪部件(電源、輸入、輸出的CR濾波器)數(shù)量。以ROHM雙通道運(yùn)算放大器為例,與普通產(chǎn)品相比,共可減少16個(gè)降噪部件。

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<應(yīng)用示例>

適用于   ■   異常電流檢測(cè)器和氣體檢測(cè)器等設(shè)備管理裝置

■   需要高速控制(信號(hào)傳輸)的電機(jī)   ■   逆變器控制設(shè)備

■   晶體管驅(qū)動(dòng)用的預(yù)驅(qū)動(dòng)器和緩沖器

以及其他需要高速傳輸信號(hào)的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備,可高速放大而無需擔(dān)心負(fù)載容量。

<EMARMOUR? CMOS運(yùn)算放大器系列的產(chǎn)品陣容>

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<什么是Nano Cap??>

“Nano Cap”是在ROHM的垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制下,凝聚“電路設(shè)計(jì)”、“布局”、“工藝”三大尖端模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì)而實(shí)現(xiàn)的超穩(wěn)定控制技術(shù)。穩(wěn)定控制技術(shù)解決了模擬電路中電容器相關(guān)的穩(wěn)定運(yùn)行課題,無論是在汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,還是在消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域,這項(xiàng)技術(shù)都有助于減少各種應(yīng)用的設(shè)計(jì)工時(shí)。

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<術(shù)語解說>

*1) 運(yùn)算放大器

運(yùn)算放大器(Operationalamplifier)簡(jiǎn)稱“運(yùn)放”,可放大輸入信號(hào)。通過放大傳感器輸出信號(hào)等微小信號(hào),使之達(dá)到微控制器等可識(shí)別的電壓電平。

經(jīng)常與運(yùn)算放大器一起出現(xiàn)的比較器(Comparator)用于判斷輸入信號(hào)的閾值??蓪?duì)傳感器的輸出信號(hào)等進(jìn)行閾值判斷,并可輸出數(shù)字(High / Low)信號(hào)。

*2) 抗EMI(Electromagnetic Interference: 電磁干擾)性能

抗EMI性能是表示對(duì)周圍產(chǎn)生的噪聲干擾的耐受性的指標(biāo)。如果抗EMI性能較差,則當(dāng)周圍產(chǎn)生噪聲干擾時(shí),元器件或系統(tǒng)有可能產(chǎn)生誤動(dòng)作,因此需要使用濾波器(電容器、電阻器等)和屏蔽(金屬板)來降低噪聲。反之,如果抗EMI性能優(yōu)異,則無需擔(dān)心噪聲干擾的影響,這在減少針對(duì)噪聲的設(shè)計(jì)工時(shí)方面具有非常明顯的優(yōu)勢(shì)。



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