Intel唯一披露QLC閃存新進(jìn)展：壽命絕口不提

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來，容量密度越來越高，成本越來越低，性能和壽命卻越來越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助，但依然不容樂觀。

TLC依然是目前市場上的主流閃存類型，QLC風(fēng)行了一段時(shí)間之后表現(xiàn)并不太好，不少廠商又退回到了TLC。

最典型的就是華碩部分筆記本，去年因?yàn)榇罅坎捎?a class="contentlabel" href="http://butianyuan.cn/news/listbylabel/label/Intel">Intel QLC閃存的SSD 660p系列而飽受詬病，今年則全線換成了TLC，還成了宣傳賣點(diǎn)。Intel雖然連續(xù)推出了升級版的SSD 665p、SSD 670p系列，但乏人問津。

如今，Intel已經(jīng)將閃存存儲業(yè)務(wù)賣給SK海力士，不過在交易完成前，研發(fā)和產(chǎn)品依然在繼續(xù)，去年底還首發(fā)推出了144層堆疊的QLC，產(chǎn)品有面向數(shù)據(jù)中心市場的SSD D7-P5510/D5-P5316，面向消費(fèi)級的SSD 670p，面向筆記本混合加速的傲騰H20。

近日的ISSCC國際固態(tài)電路會議上，QLC閃存仿佛都被大家遺忘了，只有Intel一家在討論這個(gè)話題，公布的就是144層QLC的技術(shù)細(xì)節(jié)，而三星依然停留在92層，SK海力士、西部數(shù)據(jù)/鎧俠則都是96層。

Intel 144層QLC閃存的單Die容量依然是1Tb(128GB)，不過面積從114.6平方毫米縮小足足35％來到了74.0平方毫米，存儲密度因此從8.9Gb每平方毫米提高到13.8Gb每平方毫米。

性能指標(biāo)也是全面提升：I/O傳輸速度增加一半來到1.2Gbps，編程吞吐量升至40MB/s，編程延遲降至1630us，讀取延遲平均85us、最大128us，擦除區(qū)塊尺寸則縮小一半為48MB。

這樣的參數(shù)，自然遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于其他家的9x層老方案。

不過對于144層QLC的讀寫壽命，Intel只字未提。

事實(shí)上，Intel對于更進(jìn)一步的5-bit PLC閃存也一直興趣濃厚，認(rèn)為它是SSD未來在成本上優(yōu)于HDD的關(guān)鍵，搭配E1形態(tài)規(guī)格更是可以實(shí)現(xiàn)1PB(1000TB)的單盤容量。

PS：Intel將在近期推出消費(fèi)級的SSD新品，說不定就有QLC……