英特爾CEO重申歐洲投資發(fā)展半導(dǎo)體芯片制造計劃

英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger重申了關(guān)于英特爾計劃創(chuàng)建一個930億美元的半導(dǎo)體制造部門的聲明，該部門位于歐洲。該計劃將進(jìn)行長達(dá)10年以上的發(fā)展。這一信息是他在位于德國慕尼黑的IAA移動汽車展上的會談中再次提到的。Gelsinger表示，新的擴(kuò)建項目將是"世界上最先進(jìn)的芯片工廠"。新的開發(fā)項目將利用ASML控股的EUV（極紫外光刻）工具，用于未來的尖端部件。

Gelsinger表示，生產(chǎn)過程將與他們組織的"IDM 2.0"更新項目相結(jié)合，并有興趣與汽車制造商合作，更新其生產(chǎn)和開發(fā)資源。

去年7月，英特爾發(fā)布了關(guān)于該公司計劃在歐盟建立半導(dǎo)體制造廠的信息。正如之前報道的那樣，這使英特爾在開發(fā)更先進(jìn)的芯片方面與臺灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）以及三星處于直接競爭中，這兩家公司在整個芯片行業(yè)都占有很大的股份。Gelsinger打算將該公司帶回過去的更高行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

利用ASML公司的設(shè)備，也就是設(shè)備中"高數(shù)值孔徑"技術(shù)的來源，英特爾計劃采用較新的EUV能力來制造晶體管為20埃的IC（集成電路），與他們的7納米結(jié)點(diǎn)技術(shù)相比，尺寸減少了60%。目前，英特爾利用10納米節(jié)點(diǎn)來生產(chǎn)他們的設(shè)備和產(chǎn)品，而臺積電和三星使用5納米節(jié)點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。Gelsinger表示，英特爾最早將在2024年上半年開始生產(chǎn)，并放棄10納米節(jié)點(diǎn)技術(shù)，采用4納米和3納米節(jié)點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。

英特爾的新工廠一旦完全開發(fā)，將直接產(chǎn)生10000個工作崗位。英特爾的首席執(zhí)行官已經(jīng)與歐盟的各個領(lǐng)導(dǎo)人會面，如比利時、法國、德國、愛爾蘭、意大利、波蘭和荷蘭，以討論政府對該計劃的資助。新址不僅需要大面積的土地，而且還需要其他設(shè)施，如水、電和當(dāng)?shù)貙＜遥赃x址到歐盟地區(qū)，是因?yàn)?quot;該項目有相當(dāng)大的財政承諾"。

4月，英特爾宣布，他們正在與汽車制造商合作，以創(chuàng)造對行業(yè)有影響力的部件，特別是在全球芯片短缺期間。Gelsinger在上個月跟進(jìn)了該公司的計劃，以增加較新的半導(dǎo)體發(fā)展的好處。

英特爾表示，戴姆勒、博世和大眾等企業(yè)都對其加速器計劃感興趣，盡管暫時還沒有一個企業(yè)正式表態(tài)加入，沒有政府領(lǐng)導(dǎo)或汽車公司公開宣布與英特爾的任何新發(fā)展，但這些工作應(yīng)該最早在2022年開始看到進(jìn)展。