Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件， RDS(ON)*Qg FOM僅為2.8 Ω*nC，達到業(yè)內(nèi)先進水平
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、服務器和數(shù)據(jù)中心電源應用提供了高效解決方案，同時實現(xiàn)柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)先進水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應用中的關(guān)鍵指標（FOM）。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202202/431403.htmVishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種新型電子系統(tǒng)。隨著SiHK045N60E的推出以及即將發(fā)布的第四代600 V E系列產(chǎn)品，公司可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設計初期滿足提高能效和功率密度的要求——包括功率因數(shù)校正和硬切換AC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)。
SiHK045N60E采用Vishay最新高能效E系列超級結(jié)技術(shù)，10 V下典型導通電阻僅為0.043 Ω，超低柵極電荷下降到65 nC。器件的FOM為2.8 Ω*nC，比同類接近的MOSFET競品器件低3.4 %。SiHK045N60E有效輸出電容Co(er) 為117 pF，有助于改善開關(guān)性能。這些性能參數(shù)意味著降低了傳導和開關(guān)損耗，從而達到節(jié)能效果。SiHK045N60E結(jié)殼熱阻RthJC為0.45 C/W，比接近的競品器件低11.8 %，具有更加出色的熱性能。
該器件采用PowerPAK? 10x12封裝，符合RoHS標準，無鹵素，可承受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。
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