使用TDS瞬態(tài)分流抑制器，實現(xiàn)可靠ESD和EOS保護(hù)，完整攻略在此！

隨著工業(yè)4.0、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT) 和5G電話技術(shù)的普及，使得越來越多的更多復(fù)雜的電子設(shè)備部署在了更惡劣、更難進(jìn)入的環(huán)境中。這有助于在工業(yè)機(jī)器人、IO-Link接口、工業(yè)傳感器和IIoT設(shè)備、可編程邏輯控制器 (PLC) 和以太網(wǎng)供電 (PoE) 等應(yīng)用中進(jìn)行可重復(fù)的、確定性靜電放電 (ESD) 和電氣過應(yīng)力 (EOS) 事件保護(hù)。這些應(yīng)用需要滿足IEC61000標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)要求。雖然瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 二極管能很好地滿足設(shè)計人員的要求，但越來越多的應(yīng)用需要更確定、更線性、更緊湊和更可靠的ESD和EOS保護(hù)。

為了滿足這些不斷提高的性能和外形尺寸要求，可以采用瞬態(tài)分流抑制器 (TDS) 器件。這種器件同時具有卓越的箝位、線性和溫度穩(wěn)定性，可獲得更有保證的性能水平。TDS器件不像TVS二極管那樣耗散浪涌能量，而是將這種能量轉(zhuǎn)移到地。與TVS替代品相比，TDS不會耗散能量，因此其尺寸可以更小，這有助于縮小解決方案尺寸。此外，TDS器件的鉗位電壓會比TVS二極管低30%，因此減少了系統(tǒng)的電氣應(yīng)力，提高了可靠性。

浪涌級場效應(yīng)晶體管 (FET) 是TDS器件中的主要保護(hù)元件。當(dāng)發(fā)生EOS事件且瞬態(tài)電壓超過集成精密觸發(fā)器電路的擊穿電壓 (VBR) 時，驅(qū)動電路被激活，場效應(yīng)管導(dǎo)通，將瞬態(tài)能量 (IPP) 傳導(dǎo)至地（圖1） 。

隨著脈沖電流增大至IPP，F(xiàn)ET的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 變成幾個毫歐 (mΩ) ，鉗位電壓 (VC) 與觸發(fā)電路的VBR幾乎相同。因此，TDS器件的VC在IPP范圍內(nèi)幾乎是恒定的。這與TVS裝置中的箝位作用不同，后者已知：

其中Rdyn是動態(tài)電阻。

在TVS設(shè)備中，Rdyn 值固定，使得箝位電壓在額定電流范圍內(nèi)隨著IPP的增加而線性增加。對于TDS器件來說，VC 在工作溫度以及IPP范圍內(nèi)都是穩(wěn)定的，從而實現(xiàn)了決定性的EOS保護(hù)（圖2） 。

TDS器件的VC相對較低，因此被保護(hù)器件不僅受到的電氣應(yīng)力也較低，而且提高了可靠性（圖3） 。

• 接觸和空氣的ESD耐受電壓等級為±30kV，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求
• 峰值脈沖的額定電流為40A (tp = 8/20μs)，符合IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)要求；±1kV（tp = 1.2/50μs、分流電阻 (RS) = 42Ω），符合IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)要求，適用于非對稱線路
• EFT耐受電壓為±4 kV（100kHz和5kHz、5/50ns），符合IEC 61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)

圖4：TDS2211P可用于保護(hù)負(fù)載開關(guān) (HS2950P) 和下游器件免受雷電、ESD和其他EOS事件的影響。（圖片來源：Semtech）

除了在工業(yè)環(huán)境中發(fā)生的常見ESD和EOS危險外，將I0-Link收發(fā)器插入I0-Link主設(shè)備或從這些設(shè)備上拔出時，可能會遇到數(shù)千伏的電壓尖峰。通常用于保護(hù)I0-Link收發(fā)器的TVS二極管可以用TDS器件來補(bǔ)充，以提升保護(hù)性能。在典型的電路保護(hù)應(yīng)用中，所用器件的額定值至少為輸入電源的115%，因此對于I0-Link之類的24V應(yīng)用，選用像TDS3311P TDS這樣的33V保護(hù)器件是合適的。TDS3311P的主要規(guī)格如下：

• 接觸和空氣的ESD耐受電壓為±30kV，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的要求

• 峰值脈沖電流能力為35A (tp = 8/20 μs) ，以及1kV (tp = 1.2/50μs、RS = 42Ω) ，符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的非對稱線路要求

• 符合IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的猝發(fā)/EFT抗擾度要求

在3引腳情況下，需要3個TDS器件。如需要，可以通過兩個面對面的TDS3311P來提供雙向保護(hù)。在4引腳情況下，I0-Link端口的所有四個針腳應(yīng)均能承受正負(fù)浪涌。連接器的每對引腳間都需要進(jìn)行測試，以確保I0-Link收發(fā)器的浪涌保護(hù)性能，并應(yīng)按照IEC 61000-4-2 ESD、IEC 61000-4-4猝發(fā)/EFT和IEC 61000-4-5浪涌的要求水平進(jìn)行測試。

• ESD耐受電壓：±15kV（接觸）和±20kV（空氣） ，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的要求
• 峰值脈沖電流能力：20A (tp = 8/20 μs) ，1kV (tp = 1.2/50μs、RS = 42 Ω) ，符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的的要求

• 根據(jù)IEC61000-4-4的要求，EFT耐受電壓為±4kV（100kHz和5kHz、5/50ns）

  
  

PoE系統(tǒng)中的電源是通過變壓器的中心抽頭連接來提供的。PD (RJ-45) 端必須同時保護(hù)模式A（通過數(shù)據(jù)對1和2、數(shù)據(jù)對3和6提供電源）和模式B（通過引腳4和引腳5以及引腳7和引腳8提供電源) ，因此需要兩對TDS5801P來實現(xiàn)跨中心抽頭連接的雙向保護(hù)（圖6） 。

變壓器提供了共模隔離，但不能提供差分浪涌保護(hù)。在差動EOS事件中，線路側(cè)的變壓器繞組被充電，能量轉(zhuǎn)移到二次側(cè)，直到浪涌結(jié)束或變壓器飽和。PD側(cè)的TDS器件可以用位于變壓器的以太網(wǎng)物理層 (PHY) 側(cè)的四個RClamp3361P ESD保護(hù)器件進(jìn)行補(bǔ)充，防止差分EOS事件。

SurgeSwitch TDS器件為設(shè)計人員提供了多種工作電壓選擇，包括22 V (TDS2211P) 、30V (TDS3011P) 、33V (TDS3311P) 、40V (TDS4001P) 、45V (TDS4501P) 和58V (TDS5801P) （表1） 。這些器件滿足 IEC61000 標(biāo)準(zhǔn)的要求，可用于那些在惡劣的5G電話和工業(yè)環(huán)境中運行的系統(tǒng)。

由于TDS器件是非耗散性器件，而是通過低阻抗路徑將浪涌能量直接轉(zhuǎn)移到地面，因此可以采用1.6 x 1.6 x 0.55mm的小型封裝中，相比其他浪涌保護(hù)器件通常采用的SMA和SMB封裝，可以顯著節(jié)省電路板空間。具有6個引腳的DFN封裝包括3個輸入引腳和3個用于將浪涌能量轉(zhuǎn)移到地的引腳（圖7） 。

圖7：TDS器件采用1.6 x 1.6 x 0.55mm的DFN封裝，有6根引線（右）；1、2、3號引腳接地，而4、5、6號引腳用作EOS/ESD保護(hù)輸入。（圖片來源：Semtech）

當(dāng)在電路板上安裝SurgeSwitch TDS器件時，其所有接地引腳（1、2和3）都必須連接到同一印制線上，所有的輸入引腳（4、5和6）也必須連接到同一印制線，以獲得最大的浪涌電流能力。如果接地線位于電路板的不同層，強(qiáng)烈建議使用多個通孔與地平面連接（圖8） 。按照這些PC板布局指南，可以最大限度地減少寄生電感并優(yōu)化器件性能。此外，SurgeSwitch TDS器件應(yīng)盡可能地靠近受保護(hù)的連接器或器件。這會把瞬時能量與印制線的耦合降至最低，這在快速上升時間EOS事件中尤其重要。由于TDS器件不會耗散任何能量，因此不需要在器件下方設(shè)置導(dǎo)熱墊來傳導(dǎo)熱能。

圖8：當(dāng)接地平面位于電路板的不同層時，為獲得最佳性能，建議采用多個通孔進(jìn)行連接。（圖片來源：Semtech）

對于設(shè)計在惡劣環(huán)境下工作的工業(yè)和5G電話設(shè)備的設(shè)計人員來說，可以采用TDS器件，以提供可靠、確定的ESD和EOS事件保護(hù)。TDS器件的VC相對較低，通過減少元器件的電氣應(yīng)力來提高系統(tǒng)可靠性。這些器件符合IEC61000標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)要求，并有22V至58V電壓范圍，可滿足特定應(yīng)用的要求。TDS器件體積小巧，有助于減少整體解決方案的尺寸，但設(shè)計人員需要遵循一些簡單的PC板布局要求，以發(fā)揮TDS器件的最大性能。

（來源：得捷電子DigiKey，作者：Jeff Shepard）