東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代^[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的^[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導(dǎo)通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1^[3]”相比降低了約42%。與此同時(shí)，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4^[4]”相比，反向恢復(fù)電荷減少約74%，反向恢復(fù)^[5]時(shí)間縮短約44%，上述指標(biāo)是體現(xiàn)同步整流應(yīng)用性能的兩大關(guān)鍵反向恢復(fù)指標(biāo)。新產(chǎn)品面向同步整流應(yīng)用^[6]，降低了開(kāi)關(guān)電源的功率損耗，有助于提高系統(tǒng)效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產(chǎn)品減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的尖峰電壓，有助于降低電源的EMI。

該產(chǎn)品采用業(yè)界廣泛認(rèn)可的表面貼裝型SOP Advance（N）封裝。

此外，東芝還提供支持開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)的相關(guān)工具。除能夠迅速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型外，現(xiàn)在還提供能夠準(zhǔn)確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝利用該產(chǎn)品還開(kāi)發(fā)出了“用于通信設(shè)備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉(zhuǎn)換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設(shè)計(jì)。即日起可訪問(wèn)東芝官網(wǎng)獲取上述參考設(shè)計(jì)。除此以外，新產(chǎn)品還可用于已發(fā)布的“1kW全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器”參考設(shè)計(jì)。

東芝將繼續(xù)擴(kuò)大自身的功率MOSFET產(chǎn)品線，以降低功率損耗、提高電源效率，并助力改善設(shè)備效率。

■   應(yīng)用

-   工業(yè)設(shè)備電源，如用于數(shù)據(jù)中心和通信基站的電源

-   開(kāi)關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

■   特性

-   業(yè)界領(lǐng)先的^[2]低導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V）

-   業(yè)界領(lǐng)先的^[2]低反向恢復(fù)電荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）

-   業(yè)界領(lǐng)先的^[2]快速反向恢復(fù)時(shí)間：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）

-   高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃

■   主要規(guī)格

（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）

參考設(shè)計(jì)：“用于通信設(shè)備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉(zhuǎn)換器”

參考設(shè)計(jì)：“采用MOSFET的3相多電平逆變器”

注：

[1] 截至2023年3月的數(shù)據(jù)。

[2] 截至2023年3月，與其他150V產(chǎn)品的對(duì)比。東芝調(diào)查。

[3] 采用當(dāng)前一代U-MOSVIII-H工藝的150V產(chǎn)品。

[4] 產(chǎn)品采用與TPH9R00CQ5相同的生產(chǎn)工藝，并具有相同的電壓和導(dǎo)通電阻。

[5] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。

[6] 如果新產(chǎn)品用于不執(zhí)行反向恢復(fù)操作的電路，則功耗相當(dāng)于TPH9R00CQH的水平。