X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。

X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結(jié)構(gòu)

XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器件設(shè)計(jì)中直接集成無源元件（電感器、電容器和電阻器），從而顯著節(jié)省空間及成本。借助公司在銅金屬化技術(shù)領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，相關(guān)生產(chǎn)制造將在X-FAB位于法國科爾貝—埃索訥（Corbeil-Essonnes）的工廠進(jìn)行。

5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施的不斷推出、6G通信的發(fā)展，以及最新一代雷達(dá)和衛(wèi)星通信技術(shù)的涌現(xiàn)，均需要能夠支持更寬頻率的器件?；赬IPD平臺(tái)，可制造出具有更高性能特征的全集成高質(zhì)量無源元件，從而滿足對(duì)更緊湊RF/EMI濾波器、匹配網(wǎng)絡(luò)、平衡器和耦合器的需求。

由于使用表面貼裝或分立無源元件可能會(huì)因元件在高頻率下的偏差或元件采購復(fù)雜性的增加而帶來不便，XIPD提供了一種更為有效的途徑，可簡化整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)、加快開發(fā)周期、簡化制造過程，并降低相關(guān)工程費(fèi)用，還可以適應(yīng)從sub—6GHz頻段一直到毫米波高頻段的廣泛頻率范圍。

X-FAB技術(shù)的獨(dú)特之處在于可為任何批量的集成無源器件制造提供代工服務(wù)。我們推出全面的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），同時(shí)支持Cadence和Keysight ADS設(shè)計(jì)環(huán)境，使客戶能夠進(jìn)行完整RF子系統(tǒng)的精確仿真，并獲得首次成功（first-time-right）設(shè)計(jì)。目前，與幾家主要客戶的初步原型設(shè)計(jì)現(xiàn)已啟動(dòng)。

“雖然RF半導(dǎo)體器件不斷縮小，但與之配套的無源元件仍相對(duì)較大。兩者間的這種不匹配占用了過多的電路板面積，不符合對(duì)更時(shí)尚電子設(shè)備的需求?！盭-FAB首席執(zhí)行官Rudi De Winter指出，“通過采用我們的XIPD技術(shù)，不僅可以節(jié)省多個(gè)數(shù)量級(jí)的空間，還可以降低相關(guān)成本。這對(duì)于我們的客戶群而言，有可能真正改變行業(yè)的游戲規(guī)則，允許有源和無源芯片共同封裝，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量?！?/p>

X-FAB射頻技術(shù)總監(jiān)Greg U'Ren補(bǔ)充說：“此外，目前基于聲學(xué)技術(shù)的濾波解決方案無法實(shí)現(xiàn)毫米波頻率工作，難以滿足下一代通信標(biāo)準(zhǔn)的要求。我們的XIPD解決方案使客戶能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊的RF系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并通過完全集成的硬件最大限度地減少損耗，從而為市場創(chuàng)造價(jià)值。我們已經(jīng)在開展70—80GHz頻段的工作項(xiàng)目，而使用分立式無源方案是無法想象的?！?/p>

縮略語：

ADS   Keysight的先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)

EMI   電磁干擾（Electromagnetic Interference）

IPD   集成無源器件

RF   射頻

SOI   絕緣體上硅