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美國多個半導(dǎo)體制造項(xiàng)目推遲

作者: 時(shí)間:2024-08-15 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

近日,英國《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道,盡管美國的《通脹削減法》和《芯片與科學(xué)法》提供了超過4000億美元的稅收減免、貸款和補(bǔ)貼,以促進(jìn)美國國內(nèi)清潔能源技術(shù)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,但是美國制造業(yè)復(fù)興計(jì)劃因投資者按下暫停鍵而推遲。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202408/462036.htm

據(jù)悉,與上述法案相關(guān)的過億美元大項(xiàng)目共114個,總投資2279億美元,但其中總計(jì)投資約840億美元的項(xiàng)目進(jìn)度滯后兩個月至數(shù)年,甚至無限期停擺,其中不乏半導(dǎo)體項(xiàng)目。相關(guān)企業(yè)表示,市場狀況惡化、需求放緩,以及本土政策缺乏確定性,導(dǎo)致廠商改變了投資計(jì)劃。

01
臺積電亞利桑那州工廠推遲投產(chǎn)

8月13日,臺積電公布多項(xiàng)董事會決議,包括核準(zhǔn)近300億美元資本預(yù)算。其中,臺積電核準(zhǔn)不超過75億美元額度,增資百分之百持股子公司TSMC Arizona,即臺積電亞利桑那子公司。

按照規(guī)劃,臺積電未來幾年將在美國亞利桑那州建設(shè)3座工廠,總計(jì)投資達(dá)650億美元。不過,《紐約時(shí)報(bào)》最新消息顯示,臺積電宣布建廠以來四年時(shí)間過去,臺積電亞利桑那州工廠尚未生產(chǎn)出一顆芯片。業(yè)界分析,文化差異,勞動力資源面臨與英特爾的競爭,兩大因素使得臺積電亞利桑那州工廠面臨挑戰(zhàn),并推遲投產(chǎn)。

2020年5月臺積電宣布在亞利桑那州建設(shè)晶圓廠時(shí),計(jì)劃2021年開始建設(shè),目標(biāo)量產(chǎn)時(shí)間是2024年。第二座晶圓廠則是在2020年12月份宣布,原定計(jì)劃于2026年量產(chǎn)。

今年5月臺積電官網(wǎng)顯示,亞利桑那州首座晶圓廠延期至2025年上半年投產(chǎn),第二座晶圓廠也將其延期至2028年量產(chǎn)。

至于第三座晶圓廠,臺積電尚未披露動工的時(shí)間,官方表示計(jì)劃在本世紀(jì)30年代末開始投產(chǎn)。

按照臺積電規(guī)劃,亞利桑那州第一座工廠將采用4nm制程技術(shù),第二座工廠將采用2nm技術(shù),第三座工廠則將采用2nm或更先進(jìn)制程工藝。

02
英特爾俄亥俄州工廠延遲建設(shè)

美國本土半導(dǎo)體廠商英特爾計(jì)劃未來五年在美國投入1000億美元,在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州以及俄勒岡州投資新建芯片工廠以及擴(kuò)大現(xiàn)有產(chǎn)能,創(chuàng)造1萬個制造業(yè)工作崗位和2萬個建筑業(yè)崗位。

2月外媒報(bào)道,由于市場低迷以及美國補(bǔ)貼發(fā)放延遲,英特爾推遲了俄亥俄州200億美元規(guī)模的芯片項(xiàng)目。英特爾將在俄亥俄州建設(shè)兩家新的尖端晶圓廠,計(jì)劃2025年開始芯片制造,經(jīng)過調(diào)整,英特爾俄亥俄州一號項(xiàng)目的Fab1和Fab2兩座工廠將推遲至2026~2027年完工,約2027~2028年正式投運(yùn)。

隨著芯片制程不斷向3nm、2nm邁進(jìn),晶圓廠的投資金額也水漲船高,半導(dǎo)體廠商面臨資金緊張的壓力。這一背景下,英特爾不但推遲了美國俄亥俄州工廠建設(shè),而且對歐洲的工廠做出了延期調(diào)整。

其中,英特爾在德國馬格德堡投資300億歐元興建的Fab 29.1和Fab 29.2兩座晶圓廠原本計(jì)劃在2023年下半年開工,但是由于歐盟補(bǔ)貼的推遲確認(rèn)、建廠地區(qū)需要移除黑土,英特爾已經(jīng)將開工時(shí)間將推遲到2025年5月。此外,英特爾還暫停了對法國和意大利的投資計(jì)劃。

03
三星泰勒晶圓廠延期

三星計(jì)劃在美國得克薩斯州建設(shè)包括兩座先進(jìn)邏輯代工廠和一座先進(jìn)封裝工廠在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,美國將提供至多64億美元補(bǔ)貼。

其中,三星位于美國得克薩斯州泰勒市的首座晶圓廠已于2022年動工,原定于2024年投產(chǎn),可提供4nm制程生產(chǎn)能力。不過,今年5月媒體報(bào)道三星已將該座晶圓廠的量產(chǎn)時(shí)間從2024年底推遲到了2026年,原因可能與晶圓代工市場增勢放緩以及美國補(bǔ)貼發(fā)放進(jìn)度緩慢有關(guān)。

另據(jù)媒體報(bào)道,隨著晶圓廠延期建設(shè),三星可能將上述工廠先進(jìn)制程技術(shù)從4nm升級至2nm,以便在先進(jìn)制程領(lǐng)域,與臺積電、英特爾、Rapidus等廠商進(jìn)行競爭。




關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體制造

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