鎧俠將開發(fā)新型 CXL 接口存儲(chǔ)器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND

 11 月 7 日消息，鎧俠日本當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲(chǔ)制造技術(shù)開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）“加強(qiáng)后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目 / 先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)”計(jì)劃采納。

鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時(shí)代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預(yù)計(jì)將變得極其龐大，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲(chǔ)器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。

鎧俠計(jì)劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲(chǔ)，目標(biāo)打造出較 DRAM 內(nèi)存功耗更低且位密度更高的同時(shí)較 NAND 閃存讀取速度更快的新型存儲(chǔ)器。這不僅可提高存儲(chǔ)器利用效率，還有助于節(jié)能。

據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，鎧俠計(jì)劃未來 3 年斥資 360 億日元（IT之家備注：當(dāng)前約 16.77 億元人民幣）用于新型 CXL 存儲(chǔ)器開發(fā)，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將提供 180 億日元（當(dāng)前約 8.39 億元人民幣）補(bǔ)貼，相關(guān)產(chǎn)品有望于 21 世紀(jì) 30 年代早期實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。