鎧俠將開發(fā)新型 CXL 接口存儲器：功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND
加入技術(shù)交流群
11 月 7 日消息，鎧俠日本當?shù)貢r間昨日表示，其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）“加強后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目 / 先進半導體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202411/464376.htm鎧俠表示，在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時代，AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預計將變得極其龐大，從而導致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的存儲器必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù)，提高容量并降低功耗。
鎧俠計劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲，目標打造出較 DRAM 內(nèi)存功耗更低且位密度更高的同時較 NAND 閃存讀取速度更快的新型存儲器。這不僅可提高存儲器利用效率，還有助于節(jié)能。
據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道，鎧俠計劃未來 3 年斥資 360 億日元（IT之家備注：當前約 16.77 億元人民幣）用于新型 CXL 存儲器開發(fā)，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將提供 180 億日元（當前約 8.39 億元人民幣）補貼，相關(guān)產(chǎn)品有望于 21 世紀 30 年代早期實現(xiàn)商業(yè)化。
評論