如何根據現象判斷晶閘管燒壞的原因

　　1.由于晶閘管的電壓參數下降或線路產生的過電壓超過其額定值造成其絕緣強度相對降低，因此發(fā)生啟弧放電現象，而弧光的溫度是非常高的，遠大于芯片各金屬的熔點，因此燒毀晶閘管，又由于芯片外圓邊緣、芯片陰極-陽極表面之間的絕緣電壓強度不是完全一致的，只有在相對絕緣電壓較低的那點啟弧放電，因此電壓擊穿表現為在芯片陰極表面或芯片的邊緣有一小黑點。

　　2.由于晶閘管的電流、dv/dt、漏電、關斷時間、壓降等參數下降或線路的原因造成其芯片溫度過高，超過結溫，造成硅片內部金屬格式發(fā)生變化，引起其絕緣電壓降低，因此發(fā)生啟弧放電現象，弧光產生的高溫將墊片、硅片、鉬片熔化、燒毀，同時也會將外殼與芯片相連的金屬熔化。由于芯片溫度過高需要較長的時間，是慢慢積累起來的，因此超溫的面積是較大的，燒壞的面積也是較大的。

　　3.由于di/dt、開通時間燒壞的晶閘管雖然也是一小黑點，但燒壞的位置與真正的電壓擊穿是不同的，其燒壞的機理與上面2所述的是一樣的，只是由于芯片里面的小可控硅比較小，所以形成的燒毀痕跡亦較小，實際是已經將小可控硅完全燒毀了。

　　綜上所述，無論什么原因燒壞晶閘管，最終都是由于晶閘管絕緣電壓相對降低，然后啟弧放電，產生高溫，使晶閘管芯片金屬甚至外殼金屬熔化，致使晶閘管短路，損壞。