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釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)

作者: 時間:2009-05-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
濕法刻蝕是 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝,總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON China期間推出了模塊與氧化物釋放技術(shù),該技術(shù)為器件設(shè)計師提供了更多的生產(chǎn)選擇,同時帶來了寬泛的制造工藝窗口,從而使良率得到了提升。

SVR-vHF氧化物釋放模塊結(jié)合現(xiàn)有的memsstar SVR-Xe 犧牲性汽相釋放模塊,利用無水氫氟蒸汽(aHF)來去除犧牲氧化物,從而釋放機械結(jié)構(gòu)。SVR蝕刻方法可以完全地去除犧牲材料而不損害機械結(jié)構(gòu)或?qū)е吗じ?,它同時提供了高度的可選擇性、可重復性和均勻性。SVR保留有干燥的表面,沒有任何殘留物或水汽,這也省去了包含在濕法工藝中的表面準備、引入酸、中和以及隨后的干燥等步驟。

SVR與CMOS工藝和CMOS晶圓設(shè)施是兼容的,這使得MEMS器件可以像傳統(tǒng)的集成電路一樣在相同的設(shè)施和基板上進行生產(chǎn),這也將適用于新類型的單片MEMS/CMOS 器件。SVR進一步的好處包括減少材料的使用和更低的浪費。

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