飛兆半導(dǎo)體推出全新符合AEC-Q101的30V汽車應(yīng)用MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）已推出四款30V、N溝道PowerTrench® MOSFET，在小尺寸封裝中提供高效率和耐用性，能滿足今日最具挑戰(zhàn)性和講究空間應(yīng)用的汽車應(yīng)用要求。新型FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和 FDU068AN03L備有D-PAK和I-PAK兩種封裝選項(xiàng)，適用于表面安裝或通孔安裝設(shè)計(jì)。在最大3.9毫歐 (VGS = 10V) 條件下具有較高的功率密度和較小的封裝尺寸，F(xiàn)DD044AN03L和FDU044AN03L分別采用TO-252 (D-PAK) 和 TO-251 (I-PAK) 封裝方式，能在30V下提供最低的RDS(on) 。

四款MOSFET器件均符合“汽車電子委員會(huì)”發(fā)布的分立半導(dǎo)體器件可靠性認(rèn)可測(cè)試步驟AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。通過符合這項(xiàng)重要的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)，飛兆半導(dǎo)體保證汽車和高可靠性工業(yè)用戶能享用現(xiàn)成的產(chǎn)品解決方案，而無(wú)需進(jìn)行額外的認(rèn)可測(cè)試。這些器件的典型應(yīng)用包括：用于防鎖定剎車系統(tǒng) (ABS)、雨刮、HVAC風(fēng)扇、座椅調(diào)整以及車窗開關(guān)等的電機(jī)控制。

FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L具有改善的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 和反向恢復(fù)電荷 (QRR) 特性，以降低開關(guān)噪聲，從而減少體二極管的固有損耗，并降低EMI和RFI。除電機(jī)控制外，這些產(chǎn)品還可用于各種體負(fù)載控制應(yīng)用。

飛兆半導(dǎo)體分立汽車產(chǎn)品市務(wù)總監(jiān)Steve Ahrens稱：“這些新型30V MOSFET性能卓越，可在小至D-PAK的封裝中提供低至3.9毫歐的RDS(on)。除了協(xié)助用戶滿足對(duì)汽車電子解決方案日益增長(zhǎng)的空間需求外，這些產(chǎn)品還通過提供低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的耐用性，為電機(jī)控制應(yīng)用提供高性能?！?/P>

除FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和 FDU068AN03L MOSFET外，飛兆半導(dǎo)體還針對(duì)汽車應(yīng)用提供包括IGBT、整流器、光傳感器和紅外開關(guān)等解決方案。

價(jià)格：
FDD044AN03L (D-PAK) 每個(gè)1.36美元 (訂購(gòu)1,000 個(gè))
FDU044AN03L (I-PAK) 每個(gè)1.36美元 (訂購(gòu)1,000 個(gè))
FDD068AN03L (D-PAK) 每個(gè)0.93美元 (訂購(gòu)1,000 個(gè))
FDU068AN03L (I-PAK) 每個(gè)0.93美元 (訂購(gòu)1,000 個(gè))

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