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2014年中國(guó)半導(dǎo)體十件大事

作者: 時(shí)間:2014-12-31 來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 收藏

  6.中芯深圳廠投產(chǎn) 芯片制造進(jìn)一步提速

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/267562.htm

  中芯國(guó)際有限公司12月17日宣布其在深圳的8英寸晶圓廠正式投產(chǎn)。該廠今年年底前將達(dá)到每月1萬(wàn)片的裝機(jī)產(chǎn)能,在2015年達(dá)到每月2萬(wàn)片,全部產(chǎn)能規(guī)劃為每月4萬(wàn)片。中芯國(guó)際深圳8英寸廠是中國(guó)華南地區(qū)第一條投入使用的8英寸生產(chǎn)線,如果該項(xiàng)目運(yùn)作成功意味著中芯國(guó)際在華南地區(qū)完成了設(shè)點(diǎn),其在中國(guó)大陸的整體布局也將進(jìn)一步完善。同時(shí),中芯國(guó)際成功制造28nm Qualcomm驍龍410處理器,明年上半年上海廠和北京廠都會(huì)進(jìn)入量產(chǎn)階段。

  點(diǎn)評(píng):這幾年中芯國(guó)際的步子邁得很穩(wěn),在先進(jìn)工藝取得進(jìn)展的同時(shí),又在華南落子布局。通過(guò)這些布局,中芯國(guó)際一步步追趕與國(guó)際先進(jìn)水平間的距離。

  7.投資13.5億美元 聯(lián)電參股廈門(mén)晶圓廠

  聯(lián)電董事會(huì)10月通過(guò)與廈門(mén)市政府及福建省電子信息集團(tuán)簽訂參股協(xié)議書(shū),聯(lián)電集團(tuán)將通過(guò)參股方式,從2015年起的5年內(nèi)投資約13.5億美元,參股新建于廈門(mén)的12英寸晶圓廠。聯(lián)電表示,此次參股的12英寸晶圓廠,最快將于2016年量產(chǎn),初期以55納米及40納米制程切入,主要從事晶圓代工,鎖定通信、信用卡、銀聯(lián)卡等芯片應(yīng)用,規(guī)劃最大月產(chǎn)能為5萬(wàn)片。

  點(diǎn)評(píng):隨著中國(guó)大陸制造業(yè)的崛起,我國(guó)臺(tái)灣代工廠“西進(jìn)”的步伐將加快,只有如此才能在快速增長(zhǎng)的中國(guó)大陸龐大市場(chǎng)商機(jī)中分得一杯羹。

  8.華為、展訊新品頻發(fā) 移動(dòng)通信成IC突破口

  2014年中國(guó)移動(dòng)通信芯片廠商新品頻發(fā),不斷拉近與國(guó)際先進(jìn)水平距離。華為海思最新發(fā)布的麒麟620智能手機(jī)芯片,采用全新ARMv8-A指令集,基于28nm工藝制造。展訊也在4G芯片領(lǐng)域不斷發(fā)力,不僅推出了3模LTE調(diào)制解調(diào)器SC9620,支持 3GPP R9協(xié)議Category 4級(jí)別,而且支持5模制式的SC9830也有望于年底上市。聯(lián)芯科技也推出了4G LTE芯片LC1860,采用28nm工藝,完整覆蓋TD-LTE、LTE FDD、TD-SCDMA、WCDMA和GGE等5種模式和13個(gè)頻段。

  點(diǎn)評(píng):中國(guó)不僅是全球最大的手機(jī)制造基地,也是最主要的智能手機(jī)市場(chǎng),它的成長(zhǎng),有力地支撐了中國(guó)本土移動(dòng)通信芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展,有望成為中國(guó)IC設(shè)計(jì)行業(yè)起飛的突破口。

  9.北斗導(dǎo)航突破應(yīng)用瓶頸 首顆40納米Soc誕生

  上海北伽導(dǎo)航科技有限公司發(fā)布北斗導(dǎo)航芯片“航芯一號(hào)”,采用40nm SoC工藝,是北斗多模射頻基帶一體化的芯片,將于明年量產(chǎn),進(jìn)入中興等品牌手機(jī),并將逐步進(jìn)入平板電腦、可穿戴設(shè)備、車(chē)載導(dǎo)航等設(shè)備,使百姓能用到更多的北斗導(dǎo)航產(chǎn)品。

  點(diǎn)評(píng):這標(biāo)志著我國(guó)北斗導(dǎo)航產(chǎn)業(yè)大規(guī)模應(yīng)用瓶頸得到突破。北斗導(dǎo)航芯片國(guó)產(chǎn)化提速,對(duì)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、拉動(dòng)北斗消費(fèi)意義重大。

  10.首批國(guó)產(chǎn)8英寸IGBT 達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平

  繼國(guó)內(nèi)首條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線在南車(chē)株洲投產(chǎn)后,載有首批8英寸IGBT芯片的模塊,在昆明地鐵車(chē)輛段完成段內(nèi)調(diào)試,并穩(wěn)定運(yùn)行1萬(wàn)公里,各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平,顯示IGBT芯片達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。2008年,南車(chē)時(shí)代電氣成功并購(gòu)英國(guó)丹尼克斯公司。2012年,株洲所投資15億元,在株洲建設(shè)起國(guó)內(nèi)第一條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線,并于今年6月正式投產(chǎn)。今年10月,自主IGBT模塊成功通過(guò)功率考核試驗(yàn),并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號(hào)線城軌車(chē)輛上。

  點(diǎn)評(píng):作為電力電子裝置的“心臟”,IGBT在國(guó)家戰(zhàn)略中不可或缺。但是,國(guó)內(nèi)IGBT技術(shù)起步較晚,發(fā)展艱難而緩慢。上述成績(jī)的取得標(biāo)志著我國(guó)功率業(yè)取得了良好的開(kāi)端。

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