聯(lián)發(fā)科飆速　推殺手產(chǎn)品尬高通

　　聯(lián)發(fā)科(2454)傳出今年將推6款晶片，其中最引起市場(chǎng)關(guān)注，聯(lián)發(fā)科預(yù)計(jì)在第4季推出網(wǎng)速可飆贏高通的20奈米8核心的Cat.6單晶片，另外，聯(lián)發(fā)科也將于第2季推出主流4G版8核心以及基本4G板4核心系統(tǒng)單晶片，全力搶攻4G市場(chǎng)。

　　最引起市場(chǎng)關(guān)注的是，聯(lián)發(fā)科預(yù)計(jì)在第4季推出的20奈米8核心的Cat.6單晶片，為第一款64位LTECat全網(wǎng)通單晶片，采用20奈米先進(jìn)制程，號(hào)稱網(wǎng)速可飆贏競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高通，成為今年聯(lián)發(fā)科的殺手級(jí)產(chǎn)品。

　　據(jù)了解，高通20奈米高階晶片S810，采8核心64位元處理，因產(chǎn)生過(guò)熱問(wèn)題需進(jìn)行改版，由于聯(lián)發(fā)科推8核心產(chǎn)品時(shí)間較久，在處理過(guò)熱甚至耗能技術(shù)方面也較有經(jīng)驗(yàn)。

　　據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人士透露，據(jù)傳高通S810改版主要采降速方式解決過(guò)熱問(wèn)題，雖然速度上仍然可保持沖上最高速率，不過(guò)實(shí)際測(cè)速達(dá)到高規(guī)之后，也會(huì)跟著發(fā)生降速問(wèn)題。

　　依照聯(lián)發(fā)科日前曝光的產(chǎn)品藍(lán)圖來(lái)看，年底前將朝向20奈米制程方向挺進(jìn)，此外，聯(lián)發(fā)科也將于2月6日在北京舉辦支援全模CDMA(分碼多工存取)網(wǎng)路8核心晶片MT6753，以及4核心晶片MT6735新品發(fā)表會(huì)。

　　市場(chǎng)研判，聯(lián)發(fā)科這次提前內(nèi)部大約1個(gè)季度，搶先發(fā)表新款晶片組，主要策略要在高通20奈米制程立足尚未穩(wěn)定之際，直搗對(duì)方中軍陣地，取得后發(fā)先至的重要一役。