集成電路：產(chǎn)業(yè)整合加快 企業(yè)實(shí)力倍增

　　2014年，全球集成電路產(chǎn)業(yè)開(kāi)始步入平穩(wěn)發(fā)展階段，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整步伐加速，IC設(shè)計(jì)業(yè)與晶圓代工業(yè)呈現(xiàn)異軍突起之勢(shì)。展望2015年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將持續(xù)增大，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)日趨合理;技術(shù)水平持續(xù)提升，與國(guó)際差距逐步縮小;國(guó)內(nèi)企業(yè)實(shí)力倍增，有望洗牌全球格局;政策環(huán)境日趨向好，基金引領(lǐng)投資熱潮。

　　全球市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大

　　中國(guó)產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)

　　根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)(WSTS)，2014年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3331億美元，同比增長(zhǎng)9%，為近4年增速之最。伴隨著行業(yè)集中度越來(lái)越高，行業(yè)發(fā)展也逐步結(jié)束過(guò)去高增長(zhǎng)和周期性波動(dòng)的發(fā)展局面，開(kāi)始步入平穩(wěn)發(fā)展階段。

　　從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)看，制造業(yè)、IC設(shè)計(jì)業(yè)、封裝和測(cè)試業(yè)分別占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)業(yè)收入的50%、27%和23%。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)看，模擬芯片、處理器芯片、邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片2014年的銷(xiāo)售額分別為442.1億美元、622.1億美元、859.3億美元和786.1億美元，分別占全球集成電路市場(chǎng)份額的16.1%、22.6%、32.6%和28.6%。

　　據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2014年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售收入達(dá)3015.4億元，同比增長(zhǎng)20.2%，增速較2013年提高4個(gè)百分點(diǎn)。產(chǎn)業(yè)規(guī)模繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)，各季度增速呈現(xiàn)前緩后高的態(tài)勢(shì)。

　　從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)看，2014年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其中，設(shè)計(jì)業(yè)增速最快，銷(xiāo)售額為1047.4億元，同比增長(zhǎng)29.5%;芯片制造業(yè)銷(xiāo)售額為712.1億元，同比增長(zhǎng)18.5%;封裝測(cè)試業(yè)銷(xiāo)售額為1255.9億元，同比增長(zhǎng)14.3%。IC設(shè)計(jì)業(yè)的快速發(fā)展導(dǎo)致國(guó)內(nèi)芯片代工與封裝測(cè)試產(chǎn)能普遍吃緊。從市場(chǎng)結(jié)構(gòu)看，通信和消費(fèi)電子是我國(guó)集成電路最主要的應(yīng)用市場(chǎng)，二者合計(jì)共占整體市場(chǎng)的48.9%，其中網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域依然是2014年引領(lǐng)中國(guó)集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?。全球?jì)算機(jī)產(chǎn)銷(xiāo)量的下滑直接導(dǎo)致中國(guó)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域集成電路市場(chǎng)的增速放緩，2014年計(jì)算機(jī)類(lèi)集成電路市場(chǎng)份額進(jìn)一步下滑，同比下滑達(dá)13.28%。

　　14nm工藝芯片正式進(jìn)入市場(chǎng)

　　3D-NAND存儲(chǔ)技術(shù)走向商用

　　2014年，集成電路產(chǎn)業(yè)重要?jiǎng)?chuàng)新的三大進(jìn)展如下：一是14nm FinFET工藝芯片正式進(jìn)入市場(chǎng)。14nm工藝節(jié)點(diǎn)被業(yè)界普遍視為集成電路制造的工藝拐點(diǎn)。在實(shí)現(xiàn)14nm工藝的技術(shù)進(jìn)程中，目前主要包括兩條技術(shù)路線。一種是由英特爾公司在22nm制程中就開(kāi)始采用的FinFET結(jié)構(gòu)三柵晶體管技術(shù)，另一種是由IBM和意法半導(dǎo)體等公司在22nm制程節(jié)點(diǎn)中采用的FD-SOI全耗盡技術(shù)。

　　二是3D-NAND存儲(chǔ)技術(shù)走向商用。2014年10月，三星公司宣布開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的3bit MLC 3D V-NAND閃存。3D V-NAND技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于不僅可以提升芯片的存儲(chǔ)密度和寫(xiě)入速度，還可以降低芯片的功耗。截至2014年12月，全球已經(jīng)有4家存儲(chǔ)器生產(chǎn)企業(yè)推出自己的3D-NAND發(fā)展路線圖。總體來(lái)看，該技術(shù)有望在2016年全面走向市場(chǎng)，并替代傳統(tǒng)NAND閃存。

　　三是可穿戴市場(chǎng)推動(dòng)無(wú)線充電技術(shù)走向成熟。移動(dòng)智能終端用戶對(duì)于電池續(xù)航能力的要求不斷提升，促使芯片設(shè)計(jì)企業(yè)開(kāi)始布局新的電源供應(yīng)技術(shù)，其中無(wú)線充電技術(shù)已經(jīng)成為業(yè)界“搶攻”的重點(diǎn)。截至2014年年底，已有包括博通、艾迪特(IDT)、德州儀器(TI)、聯(lián)發(fā)科、安森美等在內(nèi)的多家芯片廠商積極瞄準(zhǔn)可穿戴式設(shè)備市場(chǎng)推出無(wú)線充電解決方案，并針對(duì)周邊的電源管理平臺(tái)發(fā)展策略做出相應(yīng)變革。

　　2014年，集成電路產(chǎn)業(yè)在以下三個(gè)方面值得引起重視：一是國(guó)際芯片巨頭“軍備競(jìng)賽”日益激烈，我國(guó)芯片制造業(yè)面臨國(guó)際壓力愈發(fā)增強(qiáng);二是核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)的缺失，使得4G設(shè)備在加速替代過(guò)程中仍將面臨專(zhuān)利的隱患;三是國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的實(shí)施將面臨投資主體選擇、海外并購(gòu)標(biāo)的甄別等幾方面的挑戰(zhàn)。