Flash廠力推3D/TLC NAND　高密度/低成本SSD加速問世

　　固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設(shè)計(jì)架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價(jià)格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。

　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價(jià)格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費(fèi)性儲存市場出貨量翻揚(yáng)。

　　三星率先點(diǎn)火　3D NAND制程競技開打

　　快閃記憶體是目前在筆記型電腦、資料中心，以及許多手機(jī)、平板電腦和行動裝置中經(jīng)常被使用到的儲存技術(shù)。不過，現(xiàn)今的平面式(Planar)NAND快閃記憶體已接近物理的極限，為記憶體產(chǎn)業(yè)帶來嚴(yán)峻的考驗(yàn);而3D NAND技術(shù)將對快閃記憶體儲存方案帶來重大影響，并使其繼續(xù)遵循摩爾定律(Moore's Law)腳步，同時(shí)不斷提升效能與降低成本，從而擴(kuò)大應(yīng)用范圍(圖1)。

　　圖1　3D NAND架構(gòu)可延續(xù)摩爾定律腳步。 資料來源：Intel

　　看好3D NAND的應(yīng)用發(fā)展?jié)摿?，三?Samsung)搶先在2014年發(fā)表業(yè)界首款運(yùn)用2x奈米制程、48層堆疊的3D NAND，進(jìn)而大幅提升制造成本效益。為避免三星持續(xù)擴(kuò)大在快閃記憶體市場的競爭優(yōu)勢，東芝(Toshiba)、SanDisk、SK Hynix、英特爾(Intel)和美光(Micron)等產(chǎn)業(yè)要角也相繼跟進(jìn)，并都規(guī)畫在2015年投入量產(chǎn)。

　　其中，英特爾與美光正聯(lián)合開發(fā)3D NAND技術(shù)，目標(biāo)系打造世界上最高密度的快閃記憶體，反將三星一軍。這項(xiàng)新的3D NAND技術(shù)以極為精準(zhǔn)的方式垂直堆疊數(shù)層資料儲存單元，可實(shí)現(xiàn)比其他NAND競爭技術(shù)容量多三倍的儲存元件，在更小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高儲存容量，進(jìn)而降低成本與功耗。

　　Intel/美光攜手強(qiáng)攻超高密度3D NAND

　　美光記憶體技術(shù)與解決方案部門副總裁Brian Shirley表示，透過美光與英特爾的合作，雙方共同打造出先進(jìn)的固態(tài)儲存技術(shù)，能提供相較于其他快閃記憶體技術(shù)更高密度、性能與效率。這項(xiàng)新的技術(shù)足以改變整個快閃記憶體市場的格局。 英特爾副總裁兼非揮發(fā)性儲存解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke亦指出，藉由最新的3D NAND技術(shù)，可顯著改善密度與成本問題，并將加快固態(tài)儲存在運(yùn)算平臺中的應(yīng)用。

　　據(jù)了解，英特爾與美光研發(fā)的新一代3D NAND技術(shù)最重要的特點(diǎn)，是其基礎(chǔ)儲存單元采用浮動閘單元設(shè)計(jì)，為提升性能、品質(zhì)和可靠性的關(guān)鍵設(shè)計(jì)。

　　全新的3D NAND技術(shù)可垂直堆疊三十二層快閃記憶體單元，能夠在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)256Gb多層單元(MLC)和384Gb TLC晶片。這些容量可使口香糖大小的固態(tài)硬碟提供超過3.5TB的儲存容量，同時(shí)使標(biāo)準(zhǔn)2.5寸固態(tài)硬碟提供超過10TB的儲存容量。如此一來，該技術(shù)將有望提高產(chǎn)品的性能和耐用性，甚至可以使TLC設(shè)計(jì)滿足資料中心儲存的需求。

　　據(jù)悉，目前256Gb MLC版本的3D NAND晶片已開始向部分合作夥伴提供樣品，384Gb TLC版本的3D NAND晶片也將于今年春末開始提供樣品。這兩款元件將在今年第四季度全面投產(chǎn)。同時(shí)，兩家公司也正在開發(fā)基于3D NAND技術(shù)的獨(dú)立固態(tài)硬碟產(chǎn)品線，并預(yù)計(jì)將在明年上市。

　　3D NAND/TLC SSD　加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)

　　慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭(圖2)表示，今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴(kuò)大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終端產(chǎn)品售價(jià)快速逼近傳統(tǒng)硬碟(HDD)，逐漸觸及SSD價(jià)格甜蜜點(diǎn)，因而帶動儲存應(yīng)用市場轉(zhuǎn)換潮。

　　圖2　慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭認(rèn)為，SSD市場今年的表現(xiàn)將非常出色。

　　隨著上游NAND Flash供應(yīng)商透過3D晶圓堆疊設(shè)計(jì)逐漸降低生產(chǎn)成本后，下游SSD制造業(yè)者的產(chǎn)品價(jià)格也可望快速下滑，進(jìn)而刺激非蘋陣營的筆電OEM、企業(yè)端和一般消費(fèi)者的采購意愿。

　　除3D NAND外，TLC Flash亦是提升SSD價(jià)格競爭力的關(guān)鍵技術(shù)，但過去TLC因可靠度、壽命不佳等問題，遲遲難以取代目前主流的MLC方案，討論聲浪也就逐漸淡化。不過，段喜亭強(qiáng)調(diào)，今年主要Flash大廠，以及慧榮等SSD控制器晶片商，皆已發(fā)展出可修正TLC讀寫錯誤，顯著優(yōu)化其寫入/抹除次數(shù)(P/E Cycle)性能的控制器與韌體技術(shù)(圖3)，因而大幅提升SSD廠商的接受度，預(yù)計(jì)今年下半年，搭載TLC Flash的消費(fèi)性SSD或筆電出貨量將顯著增長。

　　圖3　TLC Flash SSD控制器架構(gòu)圖

　　段喜亭提到，隨著筆電OEM日益重視產(chǎn)品性價(jià)比，SSD今年在非蘋陣營筆電市場的滲透率可望從2014年不到10%占比，一舉躍升至20?30%水準(zhǔn)，并將在未來幾年躍居市場主流。

　　段喜亭也透露，由于開發(fā)SSD韌體須耗費(fèi)大量資源，對主攻消費(fèi)性SSD的業(yè)者或筆電OEM而言是一大投資壓力，因此該公司也率先發(fā)表整合韌體的TLC Flash SSD控制器，并已于今年開始出貨，可望吸引系統(tǒng)廠青睞，占得市場先機(jī)。

　　除低成本TLC Flash SSD正快速翻紅外，新一代兼具高速傳輸效能、省電且小尺寸優(yōu)勢的NVMe PCIe SSD設(shè)計(jì)也日益受到市場關(guān)注。繼3D NAND、TLC Flash產(chǎn)品布局后，三星再于日前宣布開始量產(chǎn)首款采用M.2介面規(guī)格的NVMe PCIe SSD，此款硬碟不僅擁有業(yè)界最高性能的特點(diǎn)，且體積小又不耗電。目前已經(jīng)供貨給原始設(shè)備制造商，準(zhǔn)備大舉搶攻PC市場。

　　三星首款M.2 NVMe固態(tài)硬碟問世

　　三星記憶體市場部門資深副總裁Jeeho Baek表示，新一代的固態(tài)硬碟主要為速度較快、體積輕薄的筆記型電腦而設(shè)計(jì)，透過減少電腦的耗電率，及延長電池使用時(shí)間等種種優(yōu)勢，以吸引筆電制造商青睞，進(jìn)而擴(kuò)大消費(fèi)性市場的采用。

　　這款NVMe固態(tài)硬碟的連續(xù)讀取及寫入資料的性能，分別可以達(dá)到2,260MB/s、1,600MB/s，這比典型的SATA M.2固態(tài)硬碟提升三到四倍以上。此外，該硬碟利用四個8Gbit/s通道(PCIe 3.0規(guī)格)同時(shí)傳送資料，因此可達(dá)到32Gbit/s的資料傳輸率以及4GB/s的最大吞吐量，這比每秒只能傳送600MB的SATA M.2固態(tài)硬碟更具優(yōu)勢。

　　如果以隨機(jī)讀取寫入的操作功能來看，M.2 NVMe固態(tài)硬碟最大可以處理300,000 IOPS(輸入輸出每秒)，超過AHCI版本硬碟的130,000 IOPS的兩倍之多，甚至是SATA型固態(tài)硬碟的三倍(圖4)。

　　圖4　NVMe固態(tài)硬碟可大幅提升效能

　　在外觀部分，M.2 NVMe固態(tài)硬碟厚度不超過4毫米、重量不到7克，比兩個堆疊的鎳幣還要輕薄。此外，該硬碟采用PCI-SIG協(xié)會所制定的L1.2低功耗待機(jī)模式，讓電腦達(dá)到省電功效。

　　值得注意的是，新款硬碟雖然才剛問世，三星卻早已迫不及待，馬上著手計(jì)畫研發(fā)下一代，Baek表示，研發(fā)團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將3D V-NAND快閃記憶體技術(shù)融入NVMe產(chǎn)品線，讓固態(tài)硬碟具備更大、更先進(jìn)的容量與性能，滿足瞬息萬變的市場需求。