Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關(guān)，能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。

　　在局域網(wǎng)路由器及中跨設(shè)備等供電設(shè)備內(nèi)，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設(shè)備內(nèi)的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶，因為以太網(wǎng)電纜供電提供44V到57V的應(yīng)用范圍，符合60V的安全特低電壓 (SELV) 額定值，毋須嚴(yán)格的終端設(shè)備隔離和認(rèn)證之余，還能簡化系統(tǒng)保養(yǎng)。器件在這些電壓下工作可盡量降低I2R損耗，有助于增加輸往終端設(shè)備的供電量以及提升效率。

　　DMN10H120SFG MOSFET通過100V的 BVDSS額定值，為48V以太網(wǎng)供電提供充足的凈空。它還擴(kuò)展了安全工作區(qū) (SOA) ，能夠承受因以太網(wǎng)線纜折斷等短路故障而耗散的電力，直到供電設(shè)備控制器檢測到故障并關(guān)機(jī)為止。MOSFET在這種故障狀態(tài)下會以線性模式工作，并需要耗散30W的功率至少20毫秒，即使在高達(dá)+60°C的工作溫度下仍能實現(xiàn)。

　　DMN10H120SFG采用節(jié)省空間的PowerDI3333封裝。Diodes亦為廣泛的100V DMN10H系列提供SOT23、SOT223和TO252 (DPAK) 封裝選擇。以采用TO252封裝的抗雪崩DMN10H099SK3為例，它完全通過非箝位電感開關(guān)測試，確保能夠在線圈、電機(jī)及繼電器等開關(guān)電感負(fù)載承受能量脈沖。

　　DMN10H系列MOSFET各以一萬個為出貨批量。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請訪問www.diodes.com。