手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線，估與手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈、貿(mào)易政策考量相關(guān)。

　　FD-SOI的特點(diǎn)在于較低的導(dǎo)通電壓、運(yùn)作電壓，電路運(yùn)作時(shí)的省電性較佳，同時(shí)支持者強(qiáng)調(diào)FD-SOI每閘電路成本較低。不過，現(xiàn)階段FD-SOI的微縮制程不如FinFET，相同面積內(nèi)的電晶體密度較低，電路運(yùn)作效能也較低。

　　目前支持FD-SOI的晶圓代工廠主要為美國(guó)格羅方德(GlobalFoundries)、南韓三星半導(dǎo)體(Samsung Semiconductor)的晶圓代工業(yè)務(wù)，以及歐洲意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;STMicro)，大陸晶圓代工廠華虹(HH Grace)也可能加入，不過即將已表態(tài)支持的業(yè)者營(yíng)收加總，其合計(jì)營(yíng)收總額仍遠(yuǎn)不及臺(tái)積電營(yíng)收，此連帶反映代工產(chǎn)能，并影響晶片商的制程路線選擇。

　　DIGITIMES Research推測(cè)，現(xiàn)階段僅有代工產(chǎn)量少、價(jià)位中低，無法在現(xiàn)有晶圓代工排程中獲得優(yōu)先順位的晶片商轉(zhuǎn)投FD-SOI。高量、高價(jià)晶片以及高效能、高密度晶片，仍會(huì)傾向FinFET生態(tài)圈。

　　半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)制程持續(xù)精進(jìn)的兩個(gè)路線