微電子工藝專有名詞（2）

51 DRAM , SRAM 動態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 隨機(jī)存取記憶器可分動態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），在一段時間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫（refresh），此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個Transistor（晶體管）加一個Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優(yōu)點，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類：A.需要六個Transistor（晶體管），B.四個Transistor（晶體管）加兩個Load resistor（負(fù)載電阻）。由于上述之優(yōu)缺點，DRAM一般皆用在PC（個人計算機(jī)）或其它不需高速且記憶容量大之記憶器，而SRAM則用于高速之中大型計算機(jī)或其它只需小記憶容量。如監(jiān)視器（Monitor）、打印機(jī)（Printer）等外圍控制或工業(yè)控制上。
　　52 DRIVE IN 驅(qū)入 離子植入（ion implantation）雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無法將雜質(zhì)打入芯片較深（um級）的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴(kuò)散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進(jìn)行，一方面將雜質(zhì)擴(kuò)散道教深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱之驅(qū)入。在驅(qū)入時，常通入一些氧氣，因為硅氧化時，會產(chǎn)生一些缺陷，如空洞（Vacancy），這些缺陷會有助于雜質(zhì)原子的擴(kuò)散速度。另外，由于驅(qū)入世界原子的擴(kuò)散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出（out-diffusion），這是需要注意的地方。
　　53 E-BEAM LITHOGRAPHY 電子束微影技術(shù) 目前芯片制作中所使用之對準(zhǔn)機(jī)，其曝光光源波長約為（365nm～436nm），其可制作線寬約1μ之IC圖形。但當(dāng)需制作更細(xì)之圖形時，則目前之對準(zhǔn)機(jī)，受曝光光源波長之限制，而無法達(dá)成，因此在次微米之微影技術(shù)中，及有用以電子數(shù)為曝光光源者，由于電子束波長甚短（～0.1A），故可得甚佳之分辨率，作出更細(xì)之IC圖型，此種技術(shù)即稱之電子束微影技術(shù)。電子束微影技術(shù)，目前已應(yīng)用于光罩制作上，至于應(yīng)用于光芯片制作中，則仍在發(fā)展中。
　　54 EFR（EARLY FAILURE RATE） 早期故障率 Early Failure Rate是產(chǎn)品可靠度指針，意謂IC到客戶手中使用其可能發(fā)生故障的機(jī)率。當(dāng)DRAM生產(chǎn)測試流程中經(jīng)過BURN-IN高溫高壓測試后，體質(zhì)不佳的產(chǎn)品便被淘汰。為了確定好的產(chǎn)品其考靠度達(dá)到要求，所以從母批中取樣本做可靠度測試，試驗中對產(chǎn)品加高壓高溫，催使不耐久的產(chǎn)品故障，因而得知產(chǎn)品的可靠度。故障機(jī)率與產(chǎn)品生命周期之關(guān)系類似浴缸，稱為Bathtub Curve.
　　55 ELECTROMIGRATION 電子遷移 所謂電子遷移，乃指在電流作用下金屬的質(zhì)量會搬動，此系電子的動量傳給帶正電之金屬離子所造成的。當(dāng)組件尺寸越縮小時，相對地電流密度則越來越大；當(dāng)此大電流經(jīng)過集成電路中之薄金屬層時，某些地方之金屬離子會堆積起來，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來，堆積金屬會使鄰近之導(dǎo)體短路，而金屬空缺則會引起斷路。材料搬動主要原動力為晶界擴(kuò)散。有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對電遷移之抗力，例如：與銅形成合金，沉積時加氧等方式。
　　56 ELECTRON/HOLE 電子/ 電洞 電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一單位的負(fù)電荷，環(huán)繞在原子核四周形成原子。墊洞是晶體中在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來的“空缺”因缺少一個電子，無法維持電中性，可視為帶有一單位的正電荷。
　　57 ELLIPSOMETER 橢圓測厚儀 將已知波長之射入光分成線性偏極或圓偏極，照射在待射芯片，利用所得之不同橢圓偏極光之強(qiáng)度訊號，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待測芯片模厚度
　　58 EM（ELECTRO MIGRATION TEST） 電子遷移可靠度測試 當(dāng)電流經(jīng)過金屬導(dǎo)線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界（GRAIN Bounderies）擴(kuò)散（Diffusion），使金屬線產(chǎn)生空洞（Void），甚至斷裂，形成失效。其對可靠度評估可用電流密度線性模型求出：AF=【J（stress）/J（op）】n