KLA-Tencor推出達到關(guān)鍵性45nm晶片幾何度量要求的完整度量解決方案

　　KLA-Tencor 公司推出了 WaferSight 2，這是半導(dǎo)體行業(yè)中第一個讓晶片供應(yīng)商和芯片制造商能夠以 45nm 及更小尺寸所要求的高精度和工具匹配度，在單一系統(tǒng)中度量裸晶片平面度、形狀、卷邊及納米形貌的度量系統(tǒng)。憑借業(yè)界領(lǐng)先的平面度和納米形貌測量精度，加之更高的工具到工具匹配度，WaferSight 2 讓晶片供應(yīng)商能夠率先生產(chǎn)下一代晶片，并讓集成電路 (IC) 制造商對未來晶片質(zhì)量的控制能力更具信心。

　　領(lǐng)先的光刻系統(tǒng)供應(yīng)商的研究表明，在 45nm 工藝中，晶片平面度的細微差異會消耗高達 50% 的關(guān)鍵光刻焦深預(yù)算。在 KLA-Tencor 公司 WaferSight 1 系統(tǒng)占據(jù)市場領(lǐng)先地位的基礎(chǔ)上，WaferSight 2 系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更嚴格的裸晶片平面度規(guī)格，并幫助芯片制造商戰(zhàn)勝焦深挑戰(zhàn)，其快速精確的新一代 45nm 平面度測量功能將讓晶片制造商和集成電路公司雙雙獲益。

　　KLA-Tencor 的成長與新興市場副總裁 Jeff Donnelly 表示：“在 45nm 及更小尺寸級別，晶片平面度、形狀及表面形貌的差異對制程區(qū)段、光刻優(yōu)率及其它制造工藝的影

　　響更大。與先前的 ADE Wafersight 1 相比，新型 WaferSight 2 系統(tǒng)具備更佳的光學(xué)與測量隔離，可實現(xiàn)更高的分辨率、匹配率和精確度，不僅能幫助晶片制造商大幅提升其制造規(guī)格，以滿足 45nm 的要求，還能讓芯片制造商測量將要使用的晶片，以確保生產(chǎn)的工藝質(zhì)量。同時，這套系統(tǒng)的產(chǎn)能可降低運營成本，并提高效率?！?/P>

　　納米形貌控制已成為 45nm 節(jié)點的關(guān)鍵，因為它是化學(xué)機械研磨 (CMP) 中縮小制程極限的根本，且會引起光刻中的微距量測 (CD) 差異。新型 WaferSight 2 具備業(yè)界領(lǐng)先的納米形貌測量性能和更高精度，并且是第一個以單一非破壞性測量方式進行前后兩面納米形貌測量的系統(tǒng)。

　　WaferSight 2 將平面度和納米形貌測量合并在一個系統(tǒng)上，與多工具解決方案相比，可縮短周期時間，減少在制品 (WIP) 的排隊與移動時間，縮小所占空間，并提高設(shè)施的使用效率。WaferSight 2 還可與 KLA-Tencor 的數(shù)據(jù)管理系統(tǒng) FabVision® 無縫結(jié)合，形成一套可離線分析存檔數(shù)據(jù)或當前度量數(shù)據(jù)的完整解決方案，并可提供完全自定義的圖表和報告。

　　WaferSight 2 測試現(xiàn)場合作伙伴 Soitec 公司的 SOI 產(chǎn)品平臺副總裁 Christophe Maleville 表示：“我們對 WaferSight 2 系統(tǒng)的評估表明，這套工具的所有測量模式在同類產(chǎn)品中均具備領(lǐng)先性能，可提供卓越的長期重復(fù)能力與測量穩(wěn)定性。Wafersight 2 系統(tǒng)的先進性能使其適合于新一代 45nm 生產(chǎn)，且在評估測試階段和實際生產(chǎn)中，均表現(xiàn)出極佳的穩(wěn)定性。WaferSight 2 度量系統(tǒng)已被接受用于硅和 SOI 生產(chǎn)，且將成為 Soitec 以后晶片幾何度量的一個關(guān)鍵系統(tǒng)。”

　　關(guān)于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是為半導(dǎo)體制造及相關(guān)行業(yè)提供產(chǎn)能管理和制程控制解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)。該公司總部設(shè)在美國加州的圣何塞市，銷售及服務(wù)網(wǎng)絡(luò)遍布全球。KLA-Tencor 躋身于標準普爾 500 強公司之一，并在納斯達克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關(guān)該公司的更多信息，請訪問 http://www.kla-tencor.com。

　　WaferSight 2 技術(shù)概要

　　集成電路 (IC) 制程中的平面度、卷邊和納米形貌測量的重要性

　　平面度

　　在 45nm 節(jié)點，先進的光刻光學(xué)技術(shù)可將焦深縮小到 100~150nm。更小的焦深對晶片上平面度變化的容差要求更為嚴格，因此，對于每個更小的技術(shù)節(jié)點，必須更嚴格地控制晶片平面度與形狀參數(shù)。WaferSight 2 可以勝任 45nm 生產(chǎn)，因為它具備次納米級平面度測量精度，且其工具到工具匹配度比 WaferSight 1 提高了 200%。此業(yè)界領(lǐng)先性能可幫助晶片制造商提高優(yōu)率，并幫助芯片制造商降低對所要使用晶片的不確定性與風(fēng)險。

　　卷邊

　　晶片鄰近邊緣區(qū)域(定義為從邊緣開始 1mm 至 5mm 的范圍內(nèi))的幾何一致性是制造過程中的一個新挑戰(zhàn)，這是因為，與晶片的中心相比，鄰近邊緣區(qū)域存在各種加工差異。由此產(chǎn)生的形狀或厚度差異稱為卷邊 (ERO)。卷邊會嚴重影響在最外層區(qū)域的光刻焦點控制及該區(qū)域的化學(xué)機械研磨 (CMP) 一致性。

　　WaferSight 2 的 ERO 測量可提供所需的準確數(shù)據(jù)，有助于控制晶片邊緣區(qū)域的卷邊效應(yīng)，并提高晶粒優(yōu)率。使用 WaferSight 2 可對角度 ERO 差異進行定量分析，晶片供應(yīng)商之間，以及晶片和晶片內(nèi)部之間的差異在 ERO 數(shù)據(jù)中一目了然。這種 ERO 差異會影響 CMP 中邊緣覆膜厚度的一致性，因此，控制晶片 ERO 成為實現(xiàn)預(yù)期 CMP 性能的關(guān)鍵。

　　納米形貌

　　納米形貌是晶片上的納米級高度差異，它通過測量大約 2mm 至 10mm 的區(qū)域得出。國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖 (ITRS) 指出，從峰頂?shù)焦鹊椎募{米形貌可能僅有幾納米，因此納米形貌的精度會受到測量系統(tǒng)上卡盤效應(yīng)的影響。WaferSight 2 使用全邊緣卡夾的晶片操作系統(tǒng)，在其獲取平面度和卷邊數(shù)據(jù)的相同掃描中，會捕捉來自晶片前后兩面的無偽差納米形貌數(shù)據(jù)，從而消除了卡盤效應(yīng)。