半導體設計工程進入“32納米”時代
IBM雖然沒有透露詳細計劃,但表示對32納米平臺的開發(fā)投入將是目前投資規(guī)模的兩倍。IBM稱,整體的SiliconBusiness得到了全面的發(fā)展,相比之下Packaging領域稍顯落后,不過通過這次投資應該能挽回過來。未來3~4年內(nèi)半導體工程中熱傳遞和輸入輸出(I/O)領域會有很大變化,為此,將需要大規(guī)模的投資。
該聯(lián)盟計劃集中開發(fā)超小型FormFactorPackage和Stacking技術(shù)。意法半導體(STMicro)副總裁稱:“2008年末將可以確保45納米工程技術(shù),在以后32納米技術(shù)的開發(fā)中,聯(lián)盟的作用會很大。”同時他認為以聯(lián)盟形式加入共同開發(fā),可以大幅節(jié)省投資費用。
飛思卡爾半導體稱,一個新的Fab需要投資30億美元~60億美元,要從200mm轉(zhuǎn)到300mm需要巨大的經(jīng)費,因此,以聯(lián)盟的形式進行共同開發(fā)會更加受到矚目。
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