富士通微電子推出用于消費(fèi)類(lèi)數(shù)字電子產(chǎn)品的低功耗256Mbit FCRAM

　　富士通微電子（上海）有限公司今天宣布推出一款用于消費(fèi)類(lèi)數(shù)字電子產(chǎn)品的低功耗256Mbit消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品FCRAM(1)，型號(hào)為MB81EDS256545。這款新型FCRAM產(chǎn)品為低功耗，系統(tǒng)封裝(SiP)(2)設(shè)計(jì)的理想產(chǎn)品，自今日起提供樣片。該款產(chǎn)品的特性是擁有64bit位寬的I/O口及使用低功耗DDR SDRAM接口，其數(shù)據(jù)吞吐速度相當(dāng)于兩個(gè)擁有16bit位寬I/O口的DDR2 SDRAM(3)，同時(shí)能減少最大約1瓦特(1W) (約70%)(4)的功耗，從而降低了消費(fèi)類(lèi)數(shù)字電子產(chǎn)品的功耗。該款產(chǎn)品是適用于低功耗消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品(如數(shù)字電視和可攜式攝像錄像機(jī))的理想產(chǎn)品。

圖 1: 新型FCRAM和DDR2 SDRAM的功耗比較

圖 2: SiP 使用新型FCRAM的優(yōu)點(diǎn)

　　近年來(lái)電子元件在性能和集成度方面的發(fā)展越來(lái)越高，推動(dòng)了消費(fèi)類(lèi)數(shù)字電子產(chǎn)品發(fā)展，伴隨而來(lái)的是如何解決散熱的問(wèn)題，于是開(kāi)發(fā)了小封裝芯片并努力提高消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的省電性能。產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)了市場(chǎng)對(duì)低功耗元器件的需求。
 
　　富士通微電子新型FCRAM特點(diǎn)是，其數(shù)據(jù)吞吐速度相當(dāng)于兩個(gè)擁有16bit位寬I/O口的DDR2 SDRAM器件，而耗電卻降低70%，約1W。FCRAM的強(qiáng)大省電能力降低了消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的功耗，同時(shí)更好的散熱能力不僅能簡(jiǎn)化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)而且能降低元件成本。

　　富士通微電子預(yù)測(cè)該存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)的RAM，用于要求低功耗的消費(fèi)類(lèi)數(shù)字電子產(chǎn)品，如數(shù)字電視及可攜式攝像錄像機(jī)等，是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值和成本降低的理想解決方案。

　　樣片價(jià)格和提供

　　銷(xiāo)售目標(biāo)
　　
　　每月一百萬(wàn)片

　　產(chǎn)品特點(diǎn)

　　1.數(shù)據(jù)傳輸時(shí)與DDR2 SDRAM相比，功耗最大減少了約為1W

　　DDR2 SDRAM和其它高速存儲(chǔ)器接口要求終端電阻 (5)在運(yùn)行時(shí)保持信號(hào)穩(wěn)定，這樣導(dǎo)致消耗更多的電流。這款新產(chǎn)品使用64bit位寬的I/O口在較低的工作頻率下運(yùn)行，不再需要終端電阻。其數(shù)據(jù)吞吐速度與兩個(gè)擁有16bit位寬的I/O口的DDR2 SDRAM相當(dāng)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)功耗減少70%，約1W (見(jiàn)圖1)。

　　2.兩倍于DDR2 SDRAM的高速大規(guī)模圖像數(shù)據(jù)處理能力

　　該產(chǎn)品擁有64bit位寬的I/O口和高達(dá)216 MHz的工作頻率，每秒的最大數(shù)據(jù)吞吐量為3.46G字節(jié)(3.46 GBps)，是典型DDR2 SDRAM的兩倍，適用于處理圖像/視頻數(shù)據(jù)和其它需要高帶寬的數(shù)據(jù)，如數(shù)字電視等。

　　3.專(zhuān)為SiP設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器節(jié)省了貼裝空間

　　產(chǎn)品設(shè)計(jì)把邏輯芯片集成到SiP，從而縮減了電路板上的貼裝空間，進(jìn)而降低元件和板材成本。除為SiP集成提供晶圓外形外，富士通微電子(FML)的新型FCRAM還可用于晶圓級(jí)封裝(WLP)(6) (見(jiàn)圖 2)。

　　MB81EDS256545的主要規(guī)格