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電磁兼容外場(chǎng)測(cè)試中的干擾抵消技術(shù)(下)*

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作者:葛壽兵 中國電子科技集團(tuán)公司第23研究所 龔成 中國電子科技集團(tuán)公司第50研究所 時(shí)間:2009-05-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  采用M個(gè)陣元的自適應(yīng)線陣,它的方向圖函數(shù)可表示為:

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/94656.htm

  (16)

  式中wi為各陣元的復(fù)加權(quán)系數(shù);d為相鄰單元間距。

  圖6給出了當(dāng)自適應(yīng)陣列方向圖最大增益指向q=0o的被測(cè)信號(hào)方向,方向圖零深對(duì)準(zhǔn)q=q1的干擾信號(hào)方向,則測(cè)試點(diǎn)處的被測(cè)信號(hào)與干擾信號(hào)的幅度比為:

  (17)

  如果SIR高于15dB,則進(jìn)入頻譜儀的干擾信號(hào)幅度遠(yuǎn)小于被測(cè)信號(hào),即可以忽略干擾信號(hào)的對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。



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