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近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁，包括華邦電（2344）原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國，以及力晶（5346）原創(chuàng)始元老曾邦助，都相繼轉(zhuǎn)換跑道，為其他DRAM業(yè)者效力，加上華邦電近......
5月20日消息，三星電子昨天宣布開發(fā)出了首款應(yīng)用90納米技術(shù)的512Mb XDR DRAM樣品，這是目前多媒體應(yīng)用領(lǐng)域速度最快的存儲器。 三星該款......
5月18日消息，三星電子周二表示，全球DRAM內(nèi)存市場供過于求的狀況預(yù)計將持續(xù)到今年第三季度，并且在今年第四季度達(dá)到供需的平衡。由于需求的增長，全球內(nèi)存芯片市場預(yù)計將在2007年復(fù)蘇......
繼2004年11月16日意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）與海力士半導(dǎo)體（Bloomberg: 000660 KS）宣布簽訂合資建廠協(xié)議后，這兩家世界大型半導(dǎo)體公司在中國江蘇省無錫市舉行了存儲器芯片前端制造廠的奠基典禮......
美國模擬器件公司（Analog Devices, Inc.，紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，今日在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布了一款新的集成電路能夠簡化臺......
據(jù)外電報道，三星電子周三預(yù)期下半年個人計算機用DRAM的供給和需求將達(dá)到平衡，并認(rèn)為2006年LCD面板的需求成長將持續(xù)降溫。 三星在一份呈交南韓證交所的報告中表示，芯片制造商將制程升級至90奈米后，良率問題影響供給......
5月11日消息，全球第二大半導(dǎo)體制造商三星電子預(yù)計2006年計算機內(nèi)存芯片全球銷售將步入連續(xù)第二年衰退。 三星電子在香港準(zhǔn)備給投資人的文件中表示，動態(tài)隨機......
據(jù)外電報道，據(jù)研究機構(gòu)Semico研究公司稱，NOR閃存市場將扭轉(zhuǎn)當(dāng)前市場銷售收入下降的局面，在2006年的銷售收入將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的110億美元。然而，在2005年，NOE閃存市場將僅......
瑞薩科技(Renesas)和M-Systems Flash Disk Pioneers公司達(dá)成協(xié)議，將合作開發(fā)SH-Mobile平臺，即瑞薩面向多媒體手機推出的應(yīng)用處理器。通過合作，瑞薩公司期望在日本市場之外的M-Sys......
日前推出的FSI-60075內(nèi)插件分析探針，是Agilent(安捷倫科技)專為下一代DDR2 SDRAM總線分析而設(shè)計的產(chǎn)品。該新品為低平外形內(nèi)插件，對DDR2總線影響小，可使用任何Jedec標(biāo)準(zhǔn)的DDR2雙在線存儲模塊......
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