首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand

“BIWIN首屆Nand Flash應用高峰論壇”側(cè)記

  • 2012年，隨著智能手機、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā)，有一種半導體器件會受到產(chǎn)業(yè)的萬眾矚目----這就是Nand Flash，Gartner預估今年NAND Flash市場增長18%! 年初以來，NAND Flash大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴增新產(chǎn)能計劃，各大廠工藝紛紛轉(zhuǎn)向20nm，三星西安建廠發(fā)力10nm Nand Flash!可以說，一場圍繞Nand Flash應用的存儲大變革正在進行，Nand Flash應用變革給本土業(yè)者帶來哪些機遇?智能手機、平板電腦供應商如何看待
  • 關(guān)鍵字： BIWIN  Nand Flash  

東芝將新建NAND閃存芯片工廠

  • 北京時間4月4日下午消息，據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，由于移動設備的需求持續(xù)增加，東芝最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

  • 什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時通過對浮置閘極的電荷加電壓，
  • 關(guān)鍵字： Flash  NAND  MLC  SLC    

淡季效應持續(xù)發(fā)酵 NANDFlash合約價下跌

  • 　　根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受第一季淡季效應的影響，零售市場的記憶卡與隨身碟需求持續(xù)疲軟，再加上OEM客戶的新機種上市時間點，最快也會落于2Q12，使得NANDFlash下游客戶端皆持續(xù)采取保守的庫存策略，以降低營運風險。在買方購買意愿不強的情況下，賣方過去采取的降價促銷策略效果有限，價格若繼續(xù)下跌，恐將侵蝕自身的獲利水平，使得部分賣方降價意愿已大幅降低。上述因素乃是造成3月下旬NANDFlash合約價呈現(xiàn)微幅走跌的原因。集邦科技表示，2012年上半
  • 關(guān)鍵字： 集邦科技  NAND  平板  

盡管UFS出現(xiàn)，但eMMC NAND閃存仍然具有活力

  • 　　雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動NAND閃存市場引發(fā)新的技術(shù)競爭，但較舊的嵌入多媒體存儲卡(eMMC)標準在許多手機和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位，屆時出貨量將強勁增長37%。 　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動與嵌入存儲市場簡報，2013年eMMC解決方案的出貨量預計達到7.111億個，高于2012年的5.203億個。 　　尚沒有關(guān)于UFS的預測，但eMMC憑借其增強的安全性與出色性能，預計繼續(xù)強勁增長，這種勢頭至少能保持到2015年，屆時在手機和其它消費電子
  • 關(guān)鍵字： NAND  UFS  

存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機遇？

  • 縱觀半導體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源，當年的光盤存儲技術(shù)興起，就帶動了中國整體光盤機產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機遇?這里結(jié)合自己的體會聊做分析。
  • 關(guān)鍵字： 泰勝微  存儲  NAND FLASH   

TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化

  • 　　TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。 　　該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
  • 關(guān)鍵字： TDK  NAND  

NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

  • 　　日本災害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 　　受日本災害影響最大的NAND閃存供應商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
  • 關(guān)鍵字： NAND  晶圓  

NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

  • 　　日本災害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 　　受日本災害影響最大的NAND閃存供應商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動市場存儲報告，由于經(jīng)濟形勢糟糕和泰國洪災導致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。 　　2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。 　　第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災導致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟黯
  • 關(guān)鍵字： NOR  NAND  

蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營收比重略減

  • 　　市場研究機構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NANDFlash佔該公司記憶體營收比重降至38%，佔全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。 　　反觀海力士，其NANDFlash佔公司營收比重則維持在30%，佔全球NANDFlash營
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新

  • 利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新,引言
    嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應用，嵌入式系統(tǒng)的維護與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進行升級和維護，以延長系統(tǒng)的使用周期，
  • 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)  遠程  更新  嵌入式  實現(xiàn)  NAND  Flash  利用  

固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

  • 　　1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。 　　隨著Intel Ivy Bridge處
  • 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤  NAND  

NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計

  • NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
  • 關(guān)鍵字： 閃存  設計  映射  存儲器  NAND  適應  

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
  • 關(guān)鍵字： 存儲  管理  TMS320F28x  實現(xiàn)  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  
共1110條 43/74 |‹ « 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 » ›|

?nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條?nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?nand的理解，并與今后在此搜索?nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473