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傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司

  • 　　據(jù)報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。 　　韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
  • 關鍵字： SK海力士  NAND  

三星SK海力士引領韓國半導體產(chǎn)業(yè)營利有望破256億美元

  • 　　據(jù)海外媒體報道，由三星電子及SK海力士領導的韓國半導體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關紀錄。 　　韓國半導體業(yè)可望在營業(yè)利益創(chuàng)下新紀錄，主要受惠于存儲器價格快速上揚，以及在晶圓代工領域也可能持續(xù)增長。因此，預估2017年幾乎是不費吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導體營業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當年半導體產(chǎn)業(yè)正處于繁榮成長階段。 　　據(jù)券商及半導體業(yè)預估，三星光是在2017年的半導體業(yè)務營業(yè)利益，就可達179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  

被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望

  • 　　眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務發(fā)展都不如預期，于是從早幾年開始，這個美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開發(fā)3D Xpoint技術。這種新型的存儲技術將會在未來給Intel和美光帶來新的成長激勵。 尤其是對美光來說，在現(xiàn)狀和未來的表現(xiàn)都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。 　　回顧存儲的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來，最具突破性的一項存儲技術。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者：
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  

SK海力士在集團內地位上升 加速汽車業(yè)務發(fā)展

  • 　　SK集團(SK Group)日前發(fā)布定期人事異動公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高層獲得升遷，社長樸星昱甚至晉升為副會長，顯示SK海力士在集團內的地位大幅上升。業(yè)界普遍認為，這次人事調整意味SK集團將以SK海力士為中心，加速發(fā)展汽車事業(yè)。據(jù)報導，SK集團似乎有意將SK海力士調整為直屬于集團的子公司，內部正準備將SK電信(SK Telecom;SKT)轉換為中間持股公司進行結構調整。加上SK集團會長崔泰源先前已宣示過公司應盡快求新求變，跟上工業(yè)4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力
  • 關鍵字： SK海力士  半導體  

SK海力士72層3D NAND存儲器，傳明年領先全球量產(chǎn)

  • 　　SK海力士最先進72層3D NAND存儲器傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設計，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。 　　若按計劃進行，SK海力士將成為全球第一個量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠。為因應市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。 　　隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術各不相同。目前技術領先的三星已于
  • 關鍵字： SK海力士  存儲器  

嚴防技術泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信

  • 　　全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。 　　半導體人士透露，三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術，顯示不樂見DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴大，明年再現(xiàn)飆漲
  • 關鍵字： DRAM  SK海力士  

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  • 　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。   　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。 　　SK海力士曾在20
  • 關鍵字： NAND Flash  SK海力士  

SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM　與三星拉近差距

  • 　　傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產(chǎn)，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產(chǎn)10奈米級DRAM的半導體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術研發(fā)，同時著手開發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團隊，持續(xù)追求更高的技術競爭力。 　　據(jù)韓媒ET News報導，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產(chǎn)。其目前已完成客戶樣品生產(chǎn)，正進行最后的可靠度檢測，預定2017年第2季由M14新廠正式量
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM

  • 　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 　　來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設為 Alius，已準備進入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。 　　半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM

  • 　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 　　來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設為 Alius，已準備進入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。 　　半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士、希捷聯(lián)盟成立合資公司 抗衡三星、英特爾

  • 　　隨著2017年固態(tài)硬碟(SSD)占NAND Flash應用比重將挑戰(zhàn)40%，全球儲存領域異業(yè)整合風潮將邁向另一個高峰，繼硬碟龍頭廠西部數(shù)據(jù)(Western Digital;WD)購并NAND Flash存儲器大廠閃迪(SanDisk)，近期傳出SK海力士(SK Hynix)將與希捷(Seagate)策略聯(lián)盟成立合資公司，專攻企業(yè)云端SSD市場，成為握有HDD和SSD兩大儲存產(chǎn)品的新陣營，挑戰(zhàn)既有霸主三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel)，未來云端SSD可望是NAND
  • 關鍵字： SK海力士  希捷  

傳希捷與SK海力士結盟 全球存儲器版圖將大變革？

  • 硬盤大廠爭相與Flash廠商結盟，全球存儲器產(chǎn)業(yè)鏈供貨、版圖又將迎來什么樣的變化?
  • 關鍵字： 希捷  SK海力士  

SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認證，最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術瓶頸，SK海力士將是第二家進入量產(chǎn)的業(yè)者。
  • 關鍵字： SK海力士  NAND   

SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 　　SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)

  • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 　　SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  
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