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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?sk海力士

三星及SK海力士將投資19萬億韓元研發(fā)芯片

  • 　　三星電子和世界頂級的內(nèi)存芯片制造商SK海力士計劃在2015年投資19萬億韓元用于研發(fā)芯片，此次投資計劃高于去年17.7萬億韓元的芯片投資資金。據(jù)美國一位對沖基金負責(zé)人表示，三星電子和SK海力士希望通過此次19萬億韓元的投資，改善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，適應(yīng)市場狀況，調(diào)整市場的供求平衡。 　　據(jù)悉，一些對沖基金和市場投資機構(gòu)都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來發(fā)展。按照投資計劃，三星電子計劃投資3.5萬億韓元，SK海力士計劃投資5.5萬億韓元。三星一位官員表示，三星的銷量增長將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
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海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。 　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲器eMMC業(yè)務(wù)外，有機會延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營運
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東芝擬砸10億美元與南亞科結(jié)盟　全面反擊三星

  • 　　全球存儲器產(chǎn)業(yè)恐將再爆震撼彈，面對三星電子(SamsungElectronics)和SK海力士在eMCP市場搶盡風(fēng)頭，東芝(Toshiba)為取得穩(wěn)定的DRAM貨源將大舉反攻，業(yè)界傳出其向南亞科提出10億美元的策略聯(lián)盟投資案，將再度開啟臺、日存儲器結(jié)盟新里程碑，合作案是否會成局，2015年第1季底前可望確定。不過，南亞科未證實該項消息。 　　全球存儲器產(chǎn)業(yè)甫經(jīng)歷大洗牌，全球三大DRAM廠版圖底定，由于三星、SK海力士、美光(Micron)均擁有PCDRAM、MobileRAM及NANDFlash三大
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20納米制程 躍今年DRAM主秀

  • 　　隨三星宣布20奈米制程正式產(chǎn)出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及華亞科(3474)也預(yù)定第2季導(dǎo)入20奈米量產(chǎn)，讓今年DRAM產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)，將正式推進至20奈米世代。 　　不過，20奈米需要投入龐大的資本支出，各DRAM考量必須在獲利的基礎(chǔ)上進行擴充，也讓今年各家20奈米制程推進趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢報告，預(yù)告今年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)維持寡占格局，支持DRAM持穩(wěn)不墜，今年各家DRAM廠仍處于全面獲利的一年。 　　集邦預(yù)估，今年DARM產(chǎn)值達541億元，年增16%。
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SK海力士與東芝訴訟和解　提升未來技術(shù)發(fā)展力

  • 　　東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。 　　據(jù)ET News報導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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新iPhone傳DRAM容量倍增　三星、SK海力士樂開懷

  • 　　蘋果(Apple)預(yù)計2015年推出的新一代iPhone和iPad，傳出搭載的DRAM容量將較目前產(chǎn)品倍增，占蘋果DRAM供應(yīng)量7成以上比重的三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望擴大供貨量。 　　據(jù)南韓經(jīng)濟日報報導(dǎo)，在Mobile DRAM市場上，三星和SK海力士的市占率約達75%。近來使用智能型手機的人口增加，穿戴式裝置市場也逐漸擴大，讓DRAM需求扶搖直上。 　　據(jù)南韓證券業(yè)者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事業(yè)獲利各約6兆韓元(約5
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第三季全球移動存儲器營收34.6億美元

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查顯示，全球行動式記憶體總營收在 2014年第三季達34.6億美元，季成長6%，占DRAM總產(chǎn)值29%。三星半導(dǎo)體(Samsung)不意外仍穩(wěn)居第三季行動式記憶體龍頭，而且市占首度突破50%，儼然成為一方霸主，讓位居二、三名的SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的市占率差距再度拉大。 　　雖全球DRAM產(chǎn)能依舊處于微幅吃緊狀態(tài)，導(dǎo)致第三季行動式記憶體價格小幅度下滑，但因位元產(chǎn)出增加，全球行動式記憶體總產(chǎn)值仍向上提升
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制程在競賽 獲利很穩(wěn)定

  • 　　三星、SK海力士及美光三大DRAM廠明年制程進入20納米世代，盡管市場憂心恐造成供給大增、壓抑價格走勢，但DRAM業(yè)者強調(diào)，制程微縮并非一、兩天可以完成，期間將遭遇技術(shù)瓶頸與整量產(chǎn)能縮減等問題，因此盡管資本支出龐大，明年DRAM價格仍可望持穩(wěn)，業(yè)者仍會穩(wěn)定獲利。 　　集邦協(xié)理吳雅婷表示，三星及SK海力士在制程推進至25納米期間，都吃足苦頭，預(yù)料美光借重華亞科從30納米制程直接切入20納米制程，同樣也將面臨極大的挑戰(zhàn)。三星首次進入28納米制程時，因良率無法有效提升，黯然宣告中止，部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)回35納米，
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DRAM寡占陣營將面臨價格壓力？

  • 　　隨著DRAM三大陣營的確立，今年DRAM各大陣營的獲利與營收，都可說是連連報捷，這也使得在先進制程的投入也更加積極。但是否又會再次面臨價格下跌的壓力?答案似乎是有可能的。 　　根據(jù)TrendForce表示，今年以來DRAM市場一直呈現(xiàn)供貨吃緊、價格持續(xù)走揚的市況來規(guī)劃未來需求，DRAM廠紛紛決定自2014年第四季開始增加產(chǎn)能。按照DRAM廠現(xiàn)有的規(guī)劃，2015年制程微縮與新增產(chǎn)能貢獻產(chǎn)出年增率將逼近30%，現(xiàn)有的DRAM產(chǎn)業(yè)的寡占架構(gòu)將面臨重大挑戰(zhàn)，若明年總體經(jīng)濟狀況不如預(yù)期，此舉恐怕導(dǎo)致DRA
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DRAM雙雄 全球市場占有率近70%

  • 三星電子和SK海力士在今年第2季共占有全球DRAM市場份額68%，遙遙領(lǐng)先美國企業(yè)占有的25.7%，和臺灣業(yè)者的6.3%。
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SK海力士擴大HBM供應(yīng)量搶占次世代半導(dǎo)體市場

  • 　　2014年上半SK海力士(SKHynix)業(yè)績告捷，在次世代存儲器技術(shù)競爭中也占據(jù)優(yōu)勢，未來可望帶動版圖變化。 　　SK海力士的次世代存儲器獲全球系統(tǒng)芯片業(yè)者搭載在2016年以后上市產(chǎn)品，并進行性能測試，未來將有機會超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競爭對手，在市場競爭中也將居優(yōu)勢。 　　據(jù)韓國每日經(jīng)濟報導(dǎo)，SK海力士的次世代超高速存儲器(HBM)將優(yōu)先供應(yīng)給AMD、NVIDIA等全球性系統(tǒng)芯片業(yè)者，搭載于次世代產(chǎn)品中進行測試。 　　SK
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東芝要求SK海力士支付11億美元損害賠償金

  • 　　SK海力士(SK Hynix)表示，其競爭對手東芝(Toshiba)正尋求1,091.5億日圓(約合10.8億美元)的損害賠償金，因東芝于2014年初時提出一項訴訟，宣稱SK海力士非法取得一項快閃記憶體芯片技術(shù)。 　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，全球第二大記憶體芯片制造商的SK海力士最新公布東芝所要求的損害賠償金額，并表示將對東芝的指控進行反駁。 　　不過，SK海力士發(fā)言人拒絕透露更多細節(jié);而東芝方面則表示不確定上述損害賠償金額是否正確。 　　放大因涉及非法取得競爭對手東芝關(guān)鍵的記憶
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海力士跨足系統(tǒng)半導(dǎo)體 第一步進軍PMIC事業(yè)

  • 去年海力士的一場大火并沒有給年底財報抹黑，反而因為供求關(guān)系的因素，存儲產(chǎn)品價格上漲，讓海力士的財報看起來還是相當(dāng)美觀的。今年海力士也做出了新的戰(zhàn)略布局，不再局限于存儲業(yè)務(wù)，希望將餅攤大，獲得更多的收入來源，擴展的第一步就瞄準(zhǔn)了電源管理IC。
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供應(yīng)吃緊 2013年第四季DRAM產(chǎn)值再創(chuàng)新高

  • 　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，2013年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士(Hynix)無錫廠大火影響而有略減，但因供貨吃緊反而造成平均銷售單價勁揚，因此當(dāng)季全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美元，較上一季成長近5%。同時，前兩大DRAM供應(yīng)商的獲利能力較上季皆有提升，其中獲利差異點取決于各DRAM廠標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的供給多寡。 　　TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示，就2013年第四季合約價格走勢做觀察，由于9月SK海力士受祝融波及而
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SK海力士無錫大火余波：DRAM芯片漲價42%

  • 　　9月4日，SK海力士無錫工廠發(fā)生大火，暫時關(guān)閉并停止生產(chǎn)。由于無錫工廠占SK海力士總產(chǎn)量一半，SK海力士又是全球第二大DRAM制造商，因此，這場大火造成全球芯片價格大幅上漲，創(chuàng)出兩年來新高;有業(yè)內(nèi)人士表示，智能手機和計算機廠商成本的提高或?qū)⑦M一步推高電子類產(chǎn)品價格的上漲。 　　DRAM芯片價已大漲42% 　　公開資料顯示，SK海力士是全球第二大DRAM芯片制造商，全球DRAM市場占有率達到24.6%，僅次于三星的50%，無錫工廠的產(chǎn)量占到了SK海力士總產(chǎn)量的一半。 　　9月4日，SK海力士無錫工
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