- 清華紫光傳出有意收購美光(Micron)消息后，韓國分析師認為，雙方成交后對于韓國對手SK海力士(SK Hynix)影響不大，而且清華紫光提出價格偏低及政治因素，都是阻礙成交的因素。
據韓國時報(The Korea Times)報導，Hi Investment分析師Song Myeong-seop表示，由于存在諸多外部因素，短期內該收購案恐怕無法成真。即使最終清華紫光如愿買下美光，也只會對SK海力士造成輕微影響。
有分析師指出，SK海力士在DRAM技術上領先美光至少18個月，因此SK海力士
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清華紫光 SK海力士
- DRAM與NAND Flash市場預期下半年將持續(xù)榮景，主要設備廠商業(yè)績也有望改善，三星電子和海力士獲利最大。
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三星 SK海力士
- 過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產品。
針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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NAND SK海力士
- 南韓記憶體大廠SK 海力士 (SK Hynix )又傳公安意外，造成三人喪命!SK海力士施工中的新廠氮氣外泄，有三名工人窒息死亡，上個月該廠才有13名工人因氣體外泄送醫(yī)。
etnews、 韓國先驅報(The Korea Herald)、路透社報導，SK海力士的M14仁川工廠十樓，30日發(fā)生氮氣外泄事故。該公司稱，工人正在測試剛安裝好的濕式空氣清凈系統(tǒng)，可能因此窒息死亡。氮氣沒有毒性，但是密閉空間中氮氣外泄，會導致含氧量會迅速減少，危險性極高。
M14仁川廠三月份才發(fā)生過類似意外，當時有13
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SK海力士 M14
- 中國扶植自有DRAM供應鏈計劃浮上臺面，業(yè)界透露中國將分三個階段著手，包括扶植大型集團建立自有技術、高關稅逼迫國際大廠合作、強制品牌系統(tǒng)廠采用， 由于上一輪全球DRAM市場崩盤是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。
半導體業(yè)者表示，中國建立DRAM產業(yè)最難解問題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術，然事實上，中
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SK海力士 DRAM
- 南韓業(yè)者來勢洶洶，在半導體產業(yè)實力日益壯大!外傳三星電子(Samsung Electronics)靠著先進制程搶走臺積電 (2330)不少大單，如今IHS Technology數據又顯示，南韓記憶體大廠SK 海力士 (SK Hynix )踢下美光(Micron Technology)，晉身全球第四大晶片制造商。
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SK海力士 美光
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產30納米級DRAM，全面進入20納米級生產時代。據了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產DRAM，不過到2015年第1季，生產效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達全體生產的82%。
韓媒Digital Times報導，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產比例的8%，但從2015年第1季開始已全面轉進20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級
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SK海力士 DRAM
- SK海力士(SK Hynix)搶進20奈米級制程進展迅速!韓媒報導，SK海力士引進38奈米制程，已在四年后停止30奈米級生產，全數轉為20奈米級制程。
韓媒BusinessKorea 13日報導，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產的8%，預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產的82%。DRAMeXchange預估，SK海力士將在今年Q3進入2z制程，明年邁上軌道。
相較之下，30奈米制程仍占美光
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SK海力士 20nm
- SK海力士(SK Hynix)搶進20奈米級制程進展迅速!韓媒報導，SK海力士引進38奈米制程，已在四年后停止30奈米級生產，全數轉為20奈米級制程。
韓媒BusinessKorea 13日報導，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產的8%，預計今年下半改為2z DRAM(20奈米級)制程。業(yè)界消息稱，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產的82%。DRAMeXchange預估，SK海力士將在今年Q3進入2z制程，明年邁上軌道。
相較之下，30奈米制程仍占美光
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三星 SK海力士
- 韓系半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將擴大非存儲器領域的晶圓代工事業(yè)。三星電子(Samsung Electronics)采14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程推動晶圓代工事業(yè)發(fā)展，SK海力士將把焦點放在8吋90納米制程，以架構少量生產多元系統(tǒng)芯片的生產系統(tǒng)。
據ET News報導，為擴大專門提供晶圓代工服務的清州M8廠可生產的芯片種類，SK海力士著手重新調整產線。
M8廠主要生產CMOS影像傳感器(CIS)、電源管理芯片(PMIC)、顯示器驅動芯片(DDI)等。過去也曾生產N
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物聯(lián)網 SK海力士
- SK海力士(SK Hynix)成立3年便進入營業(yè)利益5兆韓元具樂部(約45.3億美元)，成為SK集團(SK Group)的當紅炸子雞。目前正著手系統(tǒng)芯片研發(fā)，同時積極購并企業(yè)以掌握必要的技術力。中長期目標便是成為綜合半導體企業(yè)。
根據韓媒AsiaToday的報導，SK海力士的業(yè)績已經超越SK集團的傳統(tǒng)主力企業(yè)SK Innovation與SK電信(SKT)，將2家公司2014年的營業(yè)利益合并計算后，得到的數值只有SK海力士營業(yè)利益的4分之1。
SK海力士在成立第1年雖然有超過2,000億韓元
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SK海力士 存儲器
- 面對競爭激烈的半導體市場，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業(yè)持續(xù)成長，2015年將面臨三大課題：成功量產22納米DRAM、建構利川M14新廠的量產系統(tǒng)，以及強化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。
根據韓媒E-Daily報導，SK海力士社長樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會上表示，2015年下半初期將開始量產22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會開始量產22納米DRAM。
SK海力士近2年業(yè)績屢創(chuàng)新高，主力產
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SK海力士 20納米
- 三星集團(Samsung Group)和SK集團(SK Group)正迅速拓展半導體事業(yè)領域。移動裝置和煉油等主力事業(yè)成長停滯不前，半導體事業(yè)儼然成為集團金雞母。
據Digital Times報導，SK海力士(SK Hynix)獨家對樂金電子(LG Electronics)供應固態(tài)硬碟(SSD)，搭載在2015年1月上市的超輕量Ultrabook Gram 14上。Gram 14上市后較前一代產品銷售量提升約30%，SK海力士的SSD獲樂金熱門機種搭載，對SK海力士相對表現(xiàn)較不出色的NAND F
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三星 SK海力士
- 在合理的價格下，市場歡迎更高品質的競爭，這是市場規(guī)律。
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存儲器 三星 SK海力士
- SK 海力士 20日舉行股東會，社長樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級DRAM最快可能在今年7月邁入量產，將可在高階產品趕上三星與美光等競爭者。
海力士目前最先進的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領域，且預估今年下半年，半數PC用記憶體都會以20奈米制程打造。
據科技網站kitguru.net報導，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進的晶粒數量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產成本，并提高利潤空間。隨著8GB DDR4記憶體時代來臨，
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SK海力士 DRAM
?sk海力士介紹
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