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三星、SK海力士紛量產(chǎn)UFS芯片 手機(jī)存儲(chǔ)器醞釀新風(fēng)暴

  • 　　繼三星電子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片，SK海力士(SK Hynix)亦投入量產(chǎn)64GB UFS 2.0芯片，盡管東芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS領(lǐng)域有具體成果，然隨著全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭及第四大廠紛開始量產(chǎn)UFS芯片，可望加速智慧型手機(jī)存儲(chǔ)器規(guī)格升級(jí)，業(yè)界預(yù)估2016年下半便可看到搭載UFS芯片的高階手機(jī)陸續(xù)上市。 　　根據(jù)韓國(guó)電子新聞(ET
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存

  • 　　隨著新一代顯卡到來，內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國(guó)IT網(wǎng)站Golem.de報(bào)道，SK Hynix計(jì)劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計(jì)在今年第三季度出貨，8GB芯片將在今年第四季度上市。 　　通過這一舉措，SK Hynix將成為三星競(jìng)爭(zhēng)者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計(jì)劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同，但具有更高的時(shí)鐘頻率和容量，時(shí)鐘頻率從1GHz起跳，到2GHz，數(shù)
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存

  • 　　隨著新一代顯卡到來，內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國(guó)IT網(wǎng)站Golem.de報(bào)道，SK Hynix計(jì)劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計(jì)在今年第三季度出貨，8GB芯片將在今年第四季度上市。 　　通過這一舉措，SK Hynix將成為三星競(jìng)爭(zhēng)者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計(jì)劃。標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同，但具有更高的時(shí)鐘頻率和容量，時(shí)鐘頻率從1GHz起跳，到2GHz，數(shù)
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲(chǔ)器新工廠

  • 　　日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲(chǔ)器工廠。 　　新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預(yù)計(jì)將在2018年正式動(dòng)工、2019年投產(chǎn)。 　　新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲(chǔ)器，若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲(chǔ)器，海力士現(xiàn)有NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)能將擴(kuò)增超過兩倍。 　　此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進(jìn)的3
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一片不景氣聲中　SK海力士仍決定大規(guī)模投資

  • 2016年展望并不樂觀，PC市場(chǎng)成長(zhǎng)已停滯好幾年，連智能型手機(jī)市場(chǎng)也出現(xiàn)成長(zhǎng)趨緩的跡象，DRAM、NAND Flash的價(jià)格也因此持續(xù)下跌，這個(gè)時(shí)候逆勢(shì)上揚(yáng)也是下了多大的決心。
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紫光被SK海力士拒絕擬入股美光 華亞科叫好

  • 　　大陸紫光集團(tuán)入股南韓SK海力士遭拒，消息人士透露，紫光集團(tuán)已專注與美光(Micron)洽商入股，預(yù)料很快可明朗化，讓同屬美光集團(tuán)的華亞科戰(zhàn)略地位大大提升。 　　   　　消息人士透露，紫光集團(tuán)將以不堅(jiān)持在大陸設(shè)DRAM廠為條件，爭(zhēng)取入股美光。紫光董事長(zhǎng)趙偉國(guó)證實(shí)，紫光正和美一芯片廠洽商合作，雖然紫光不愿透露對(duì)象，但市場(chǎng)推估應(yīng)該就是美光。 　　據(jù)了解，美光若獲紫光入股，紫光未來將借重美光提供龐大的DRAM貨源，美光獲財(cái)力雄厚的紫光集團(tuán)提供金援，將可快速推進(jìn)DRAM制程腳步，讓美光從
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三星、SK海力士獨(dú)大　對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體是福還是禍

  • 　　韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收在三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)兩大廠之外，正逐漸減少。三星和SK海力士各居存儲(chǔ)器市場(chǎng)第一、二名，營(yíng)收每年大幅成長(zhǎng)，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)基礎(chǔ)強(qiáng)化的錯(cuò)覺。然事實(shí)上除兩大廠外，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模正逐漸縮減。 　　Digital Times引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，2015年上半韓國(guó)半導(dǎo)體營(yíng)收中，三星以199.63億美元占66.9%，SK海力士以85.56億美元占28.7%。兩企業(yè)營(yíng)收比重合計(jì)達(dá)95.6%，以最近期第2季資料來看，比重更
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三星SK海力士存儲(chǔ)器被中國(guó)美國(guó)追趕 韓政府預(yù)算零成長(zhǎng)

  • 　　韓國(guó)政府2016年未編列半導(dǎo)體預(yù)算，使韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界不滿聲浪高漲。在韓國(guó)引以為傲的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上，大陸和美國(guó)迅速追擊，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者危機(jī)感提升，而列為未來成長(zhǎng)動(dòng)能的IC設(shè)計(jì)，也未受到韓國(guó)政府重視。 　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體、顯示器等核心產(chǎn)業(yè)，以及電子情報(bào)裝置新事業(yè)等，均未編列預(yù)算。自2016年起，將不會(huì)有由韓國(guó)政府主導(dǎo)的新半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)。 　　目前正在進(jìn)行的系統(tǒng)芯片扶植相關(guān)研發(fā)事業(yè)也陷入危機(jī)。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部關(guān)系人員指出，產(chǎn)業(yè)委員會(huì)對(duì)于預(yù)算方面提出質(zhì)疑，并主張?jiān)鲑Y30
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三星SK海力士營(yíng)收持平 Q3移動(dòng)存儲(chǔ)器占DRAM營(yíng)收40%

  • 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，受到市況供過于求影響，DRAM平均銷售單價(jià)持續(xù)下降，然而各家廠商策略性地將跌幅最大的標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器產(chǎn)能轉(zhuǎn)往毛利較高、價(jià)格較穩(wěn)定的服務(wù)器存儲(chǔ)器及移動(dòng)存儲(chǔ)器領(lǐng)域，配合位元顆粒仍持續(xù)成長(zhǎng)，整體DRAM營(yíng)收規(guī)模尚未出現(xiàn)大幅的縮減。 　　DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第三季DRAM總產(chǎn)值小幅衰退1.2%，移動(dòng)存儲(chǔ)器占總營(yíng)收比重從第二季的33.7%，大幅提升至第三季的40%。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第
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三星、SK海力士2016年半導(dǎo)體投資前景仍未明

  • 現(xiàn)在是2016年半導(dǎo)體設(shè)備投資應(yīng)稍有雛形的時(shí)間點(diǎn)，但韓系半導(dǎo)體大廠經(jīng)營(yíng)計(jì)劃不明朗，變動(dòng)性大，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者難以擬定事業(yè)計(jì)劃。
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全球第二！SK海力士追上三星、量產(chǎn)20納米DRAM

  • 　　SK海力士終于趕上三星電子，成為全球第二家成功量產(chǎn)20奈米DRAM的廠商。該公司也力拼3D NAND Flash研發(fā)，期盼能在明年量產(chǎn)48層3D NAND。 　　BusinessKorea 15日?qǐng)?bào)導(dǎo)，SK海力士人員受訪表示，該公司引入20奈米DRAM制程，過程雖有困難，但已經(jīng)穩(wěn)定，開始寄送樣品給客戶、進(jìn)入量產(chǎn)。據(jù)此而言，SK海力士是世界第二家量產(chǎn)20奈米DRAM的業(yè)者。三星首開先例，去年3月就量產(chǎn)20奈米DRAM。 　　SK海力士也宣布3D NAND研發(fā)計(jì)畫，社長(zhǎng)樸星昱(Park Sung-wo
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鴻海、SK海力士要包攬亞洲市場(chǎng)？

  • 　　南韓第三大企業(yè)集團(tuán)SK會(huì)長(zhǎng)崔泰源近日來臺(tái)，并前往鴻海土城總部與董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘會(huì)面，雙方暢談近2小時(shí)。會(huì)后雙方接受短暫訪問時(shí)表示，此次主要是初步交流，瞭解有多少機(jī)會(huì)能進(jìn)行合作，未來可能共同在臺(tái)灣、中國(guó)、印度等地區(qū)發(fā)展，不過尚未談到具體合作細(xì)節(jié)。 　　郭臺(tái)銘表示，鴻海及SK集團(tuán)1、2年前彼此有投資關(guān)系，過去已見面許多次，崔泰銘此次先前往中國(guó)再來訪臺(tái)灣，主要想看看兩岸整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境、尋找生意機(jī)會(huì)。這次崔泰銘首度來訪，是想瞭解鴻海目前的營(yíng)運(yùn)狀況，針對(duì)有多少機(jī)會(huì)能進(jìn)行合作，于臺(tái)灣、中國(guó)、印度、甚至是全世界發(fā)展，進(jìn)
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SK海力士進(jìn)軍超高速SSD市場(chǎng)

  • 　　繼三星電子(Samsung Electronics)之后，SK海力士(SK Hynix)也進(jìn)軍超高速固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。將推出應(yīng)用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置(NVMe)標(biāo)準(zhǔn)的SSD。 　　據(jù)韓媒Newsis報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士已投入量產(chǎn)NVMe架構(gòu)的M.2規(guī)格SSD新產(chǎn)品“PC300”。容量512GB，該產(chǎn)品能讓搭載的超輕薄筆記型電腦(NB)速度更快，電池更薄卻待機(jī)更久，可望取代SSD。 　　所謂NVMe是PCIe架構(gòu)的介面，讓搭載SSD的伺服器、PC得以提升
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全球半導(dǎo)體支出縮減　三星、SK海力士反其道而行

  • 　　南韓存儲(chǔ)器芯片業(yè)界將主導(dǎo)設(shè)備投資(CAPEX)競(jìng)爭(zhēng)。在其他地區(qū)競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者擔(dān)憂IT產(chǎn)品需求趨緩，而縮減設(shè)備投資規(guī)模時(shí)，三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韓企業(yè)將反其道而行，擴(kuò)大投資并推動(dòng)微細(xì)制程尖端化等，致力于研發(fā)新技術(shù)，未來在競(jìng)爭(zhēng)中將更具優(yōu)勢(shì)。 　　據(jù)南韓Newstomatoa報(bào)導(dǎo)，英特爾(Intel)決定將2015年設(shè)備投資規(guī)模，從87億美元縮減11.5%至77億美元;臺(tái)積電設(shè)備投資規(guī)模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產(chǎn)業(yè)
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DRAM慘！SK海力士Q3難好轉(zhuǎn)、轉(zhuǎn)攻NAND救火

  • 　　南韓存儲(chǔ)器大廠SK海力士(SK Hynix)第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，分析師預(yù)估，由于個(gè)人電腦(PC)的DRAM需求持續(xù)疲軟，SK海力士本季表現(xiàn)恐怕難有起色。 　　韓聯(lián)社24日?qǐng)?bào)導(dǎo)，SK海力士Q2營(yíng)益為1.37兆韓圜(11.8億美元)，不及分析師估計(jì)的1.44兆韓圜。NH Investment & Securities Co.分析師Lee Sae-chul指出，PC DRAM需求欠佳，8月份為止價(jià)格將持續(xù)下滑，到9月才會(huì)回穩(wěn)，因此SK海力士Q3的DRAM營(yíng)益會(huì)與前季持平;不過，下半年該公司的NAN
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