半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件文章進(jìn)入半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體行業(yè)：Q3一反常態(tài) 前景暗淡

　情況更為糟糕的是：ST增幅介乎-5%到 +5.5%;Freescale增幅介乎 -7%到+2%;PMC-Sierra增幅介乎 -6%到0%;Maxim 增幅介乎0 %到+5% ——所有公司均表示，半導(dǎo)體行業(yè)困難重重。
關(guān)鍵字： SanDisk 半導(dǎo)體

中國(guó)LED之殤：缺芯的煩惱

根據(jù)業(yè)內(nèi)人士的指引，記者來(lái)到廣東省惠州市某開發(fā)區(qū)的LED產(chǎn)業(yè)園，據(jù)產(chǎn)業(yè)園工作人員介紹，這個(gè)LED產(chǎn)業(yè)園主要引進(jìn)外延片、芯片、LED背光源、封裝等中上游LED企業(yè)為主，產(chǎn)業(yè)園的初衷是想集中LED行業(yè)龍頭企業(yè)，建成集企業(yè)總部、中上游產(chǎn)業(yè)的研發(fā)與生產(chǎn)、生產(chǎn)性服務(wù)和生活配套于一體的LED產(chǎn)業(yè)核心集聚區(qū)。顧名思義能夠進(jìn)入該園區(qū)的企業(yè)都是有志向開發(fā)研究LED中上游技術(shù)產(chǎn)品的企業(yè)，所以招商初始進(jìn)入園區(qū)的都是有志在LED中上游階段發(fā)展的有實(shí)力的企業(yè)。但是記者在這個(gè)園區(qū)看到的景象卻和想象相去甚遠(yuǎn)，很多在兩三年前就拿了地承建
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適用于能量采集應(yīng)用的電源管理架構(gòu)

過(guò)去幾年，各大公司都做出了相當(dāng)大的努力，目標(biāo)是讓一些持續(xù)供電和無(wú)電池型系統(tǒng)能夠利用自然能工作。開發(fā)這種系統(tǒng)所需的關(guān)鍵集成電路 (IC) 是超低功耗微處理器、無(wú)線電器件和電源管理 IC。盡管我們?cè)诘凸奈⑻幚砥骱?/li>
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半導(dǎo)體電阻率的多種測(cè)量方法應(yīng)用與注意事項(xiàng)

半導(dǎo)體電阻率的多種測(cè)量方法應(yīng)用與注意事項(xiàng)依據(jù)摻雜水平的不同，半導(dǎo)體材料可能有很高的電阻率。有幾種因...
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體電阻率測(cè)量靜電計(jì) 運(yùn)算放大器

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入三強(qiáng)鼎立時(shí)代

　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的摩爾定律仍然有效，但要更有效的降低生產(chǎn)成本，以符合終端電子產(chǎn)品的景氣循環(huán)及降價(jià)速度，接下來(lái)的最大關(guān)卡，就是18寸晶圓及EUV技術(shù)，未來(lái)有能力加入這場(chǎng)游戲的業(yè)者，只剩下英特
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶圓

電源：大型UPS在半導(dǎo)體制造廠的應(yīng)用

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 UPS 電源一.引言半導(dǎo)體制造業(yè)是全球十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)之一,是技術(shù)資金密集,技術(shù)進(jìn)步和投資風(fēng)險(xiǎn)高的產(chǎn)業(yè).中緯公司是浙江省至今唯一的6英夾酒制造項(xiàng)目,該項(xiàng)目于2003年7月投產(chǎn)以來(lái),當(dāng)前的產(chǎn)量已達(dá)10000片/
關(guān)鍵字：制造廠應(yīng)用半導(dǎo)體 UPS 大型電源

大型UPS在半導(dǎo)體制造廠的應(yīng)用

一.引言半導(dǎo)體制造業(yè)是全球十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)之一,是技術(shù)資金密集,技術(shù)進(jìn)步和投資風(fēng)險(xiǎn)高的產(chǎn)業(yè).中緯公司是浙江...
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半導(dǎo)體代工幾家歡喜幾家愁

的變化，上有半導(dǎo)體代工工廠的境況也可謂是喜憂參半。作為一個(gè)國(guó)家科技實(shí)力的象征，很多半導(dǎo)體企業(yè)可以獲得來(lái)自政府的直接或間接投資，但如果一個(gè)國(guó)家有多家半導(dǎo)體代工企業(yè)，那么相對(duì)弱勢(shì)的企業(yè)則很難得到來(lái)自政府的鼎力支持。另一方面，半導(dǎo)體代工行業(yè)是一項(xiàng)前期投資非常巨大且投資回報(bào)周期相對(duì)較長(zhǎng)的行業(yè)，資金鏈?zhǔn)欠窠】抵苯雨P(guān)系到企業(yè)能否繼續(xù)生存下去
關(guān)鍵字：聯(lián)電半導(dǎo)體

報(bào)告稱Q2日本半導(dǎo)體公司集體淪陷

公司東芝第二財(cái)季營(yíng)收為24億美元，環(huán)比下滑26%。東芝是全球第六大半導(dǎo)體公司，位居英特爾、三星、臺(tái)積電、德儀和高通之后。
關(guān)鍵字：美光半導(dǎo)體

美光科技測(cè)試產(chǎn)能項(xiàng)目進(jìn)行擴(kuò)容

全球最大的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商之一美國(guó)美光科技有限公司，繼在西安投資2.5億美元和3億美元后，將在西安再投近3億美元進(jìn)行測(cè)試產(chǎn)能擴(kuò)容項(xiàng)目。
關(guān)鍵字：美光半導(dǎo)體

新研究揭示塑料半導(dǎo)體中電荷陷阱的形成機(jī)制

標(biāo)簽：塑料半導(dǎo)體電荷陷阱塑料半導(dǎo)體給低成本、大批量生產(chǎn)電子器件帶來(lái)了希望，但其有一個(gè)重要的缺陷：電流會(huì)受到材料中電荷陷阱的影響。據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月31日(北京時(shí)間)報(bào)道，荷蘭格羅寧根大學(xué)和美國(guó)佐治亞理工
關(guān)鍵字：陷阱形成機(jī)制中電半導(dǎo)體揭示塑料研究

ST與CERN同慶“上帝粒子”之發(fā)現(xiàn)

　　在歐洲核子研究組織( CERN )于2012年7月4日發(fā)布經(jīng)長(zhǎng)期努力后終于成功發(fā)現(xiàn)希格斯玻色子(Higgs boson，俗稱上帝粒子 )的新聞后，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，ST )特別公開恭賀這一研究成果，像負(fù)責(zé)這項(xiàng)專案的多國(guó)研發(fā)團(tuán)隊(duì)致上最高的敬意。　　CERN的大型強(qiáng)子對(duì)撞機(jī)(LHC)透過(guò)緊湊渺子線圈(Compact Muon Solenoid，CMS)和超導(dǎo)環(huán)場(chǎng)探測(cè)儀(ATLAS)尋找希格斯玻色子，意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)為CERN提供這兩個(gè)儀器專用電子元件。意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁
關(guān)鍵字： ST 電子元件

全球最小半導(dǎo)體雷射清大成功研發(fā)

　　臺(tái)灣又有領(lǐng)先世界的研究，清華大學(xué)物理系成功臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、傲視全球，國(guó)立清華大學(xué)、成功大學(xué)在半導(dǎo)體研究又有新的突破發(fā)現(xiàn)。研究團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出、全球最小的半導(dǎo)體雷射，運(yùn)算速度比傳統(tǒng)半導(dǎo)體雷射、快了將近1000倍?，F(xiàn)有的電晶體雖然已經(jīng)做到奈米等級(jí)，但傳輸速度卻無(wú)法大幅提升，科學(xué)界雖然知道，光可以解決所有的問(wèn)題，但發(fā)展了半世紀(jì)的半導(dǎo)體雷射卻始終面臨瓶頸無(wú)法克服，清華大學(xué)和美國(guó)德州大學(xué)合作，成功研發(fā)出有史以來(lái)最小尺寸的半導(dǎo)體雷射，將帶領(lǐng)半導(dǎo)體科技進(jìn)入新的里程。　　電晶體要愈做愈小的原因是愈做愈小的話電子跑
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Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對(duì)3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調(diào)查報(bào)告，指出過(guò)去一年來(lái)，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(tái)(包括CMOS影像感測(cè)器、環(huán)境光感測(cè)器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值約為27億美元，而到了2017年，該數(shù)字還可望成長(zhǎng)到400億美元，占總半導(dǎo)體市場(chǎng)的9%。　　Yole Developpement的先進(jìn)封裝部市場(chǎng)暨技術(shù)分析師Lionel Cadix 指出，3DIC通常使用TSV 技術(shù)來(lái)堆疊記憶體和邏輯IC，預(yù)
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宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)0.13微米嵌入式EEPROM模塊

　　中國(guó)上海，2012年7月30日-上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“宏力半導(dǎo)體”)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造領(lǐng)先企業(yè)，宣布成功開發(fā)出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模塊(具有單字節(jié)擦寫能力)。　　宏力半導(dǎo)體先進(jìn)的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，第一次在0.13微米1.5伏低漏電、低功耗邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了閃存模塊和EEPROM模塊的完美結(jié)合?；谠撓冗M(jìn)技術(shù)開發(fā)出的0.13微米嵌入式EEPROM模塊，數(shù)據(jù)保持時(shí)間達(dá)到100年，擦寫次數(shù)大幅提高到50萬(wàn)次。此次
關(guān)鍵字：宏力半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體（st）應(yīng)用軟件介紹

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