半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
臺積電帶頭 臺灣蟬聯(lián)最大半導(dǎo)體支出市場
- 臺灣蟬聯(lián)2013年全球半導(dǎo)體設(shè)備與材料投資金額雙料冠軍。在臺積電領(lǐng)軍下,今年臺灣半導(dǎo)體設(shè)備與材料的投資金額持續(xù)領(lǐng)先全球,并分別達(dá)到104.3億美元與105.5億美元;至于全球半導(dǎo)體設(shè)備支出金額方面則與去年相當(dāng),維持在362.9億美元上下,預(yù)估2014年可回升至439.8億美元。 鈺創(chuàng)科技董事長暨臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長盧超群表示,臺灣半導(dǎo)體業(yè)者為鞏固全球領(lǐng)先地位,正持續(xù)加碼設(shè)備與材料的投資金額。 鈺創(chuàng)科技董事長暨臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長盧超群表示,盡管過去3年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值每年
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張家祝:半導(dǎo)體今年產(chǎn)值估成長9.3%
- 國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2013)4日開展,經(jīng)濟(jì)部長張家祝致詞時表示,臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球供應(yīng)鏈上扮演不可或缺的角色,在全球具有高度競爭力,去年(2012年)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)1.6兆新臺幣,預(yù)估今年(2013年)將成長9.3%,再創(chuàng)新高。 張家祝表示,臺灣是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最重要的國家之一,從IC設(shè)計(jì)、晶圓代工到封裝測試等服務(wù),形成完整的產(chǎn)業(yè)聚落,從去年臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)值達(dá)到新臺幣1.6兆元,預(yù)計(jì)今年會比去年成長9.3%,可望再創(chuàng)歷史新高。 張家祝指出,臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所
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光谷力爭國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三極
- 8月的最后一個周三,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的非盈利機(jī)構(gòu)GSA(半導(dǎo)體聯(lián)盟)迎來一名新成員,英文名XMC。 說到這位“新人”,GSA亞太區(qū)執(zhí)行長王智立博士這樣描述:“在新興半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中,XMC正扮演著創(chuàng)新且重要的角色”。 這家公司的中文名字叫武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”),目前芯片產(chǎn)能排名中部第一。從2006年首條12英寸芯片生產(chǎn)線建成,經(jīng)歷了七年之癢的武漢新芯重回公眾視野,卻代表著光谷的雄心&mdas
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盧超群:往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個大多頭
- 臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長暨鈺創(chuàng)科技董事長盧超群表示,今年將是3D IC從研發(fā)到導(dǎo)入量產(chǎn)的關(guān)鍵年,3D IC元年最快明年來臨,往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個大多頭,重現(xiàn)1990年代摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的爆發(fā)性成長。 隨著矽元件趨近納米極限,摩爾定律開始遭遇瓶頸,各界期盼立體堆疊3D IC技術(shù)延續(xù)摩爾定律 存儲器芯片設(shè)計(jì)公司鈺創(chuàng)董事長盧超群上半年接任臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長,他希望透過協(xié)會的影響力,帶領(lǐng)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與各項(xiàng)國際半導(dǎo)體規(guī)格制定、提升人才參與及素質(zhì),并讓國內(nèi)外科技投
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東芝歡慶泰國新半導(dǎo)體工廠開業(yè)
- 曼谷和東京--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)宣布,該公司旗下的泰國公司東芝半導(dǎo)體(泰國)公司(Toshiba Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.,簡稱TST)已經(jīng)完成向新半導(dǎo)體制造工廠的搬遷工作,并開始量產(chǎn),象徵著該公司已經(jīng)從2011年災(zāi)難性大洪水中完全恢復(fù)過來。 新廠位于曼谷東北方向約140公里處,這是一座位于泰國巴真府(Prachinburi)304工業(yè)園區(qū)的最先進(jìn)工廠。這座工廠的建設(shè)始于2012
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我國首次制備大規(guī)模鍺基石墨烯 助推半導(dǎo)體工業(yè)
- 將助推石墨烯在半導(dǎo)體工業(yè)界廣泛應(yīng)用 記者從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉,該所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI課題組與超導(dǎo)課題組,采用化學(xué)氣相淀積法,在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質(zhì)量單層石墨烯。相關(guān)成果日前發(fā)表于《自然》雜志子刊《科學(xué)報告》。 石墨烯在機(jī)械、電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)方面的優(yōu)異性能,使其具有巨大的應(yīng)用前景。目前,化學(xué)氣相沉積法是制備高質(zhì)量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是,在石墨烯的生長過程中,金屬基底是必不可少的催化劑,而隨后的應(yīng)用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉(zhuǎn)移到所需要的絕緣或者半
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寬禁帶半導(dǎo)體新時代的來臨
- 第三代半導(dǎo)體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出,最有發(fā)展前景。第三代半導(dǎo)體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石,其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導(dǎo)率和更成熟的技術(shù),而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點(diǎn)則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應(yīng)用范圍上的差異,在光電領(lǐng)域,GaN占絕對的主導(dǎo)地位,而在其他功率器件領(lǐng)域,SiC適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域,GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域。目前來看,未來2
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半導(dǎo)體、電子設(shè)備:電子行業(yè)整體運(yùn)行狀況
- 電子板塊五個交易日上漲2.46%,排在23個行業(yè)中第4位,成交金額512.70億元,資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為:億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環(huán)旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為:華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。 行業(yè)動態(tài)觸控筆記本OGS面板低價版問世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國內(nèi)液晶電視面板自給率超過3成
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半導(dǎo)體巨頭搶入20納米 設(shè)備廠新一輪搶單
- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代,設(shè)備廠也展開新一波的搶單計(jì)劃。 在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后,另一設(shè)備大廠科磊(KLATencor)21日宣布,同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠已搶進(jìn)臺積電及英特爾供應(yīng)鏈,對于國內(nèi)設(shè)備廠漢微科來說競爭壓力大增。 雖然半導(dǎo)體市場下半年景氣能見度不高,但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
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半導(dǎo)體搶入16/14nm FinFET制程 業(yè)者掠地
- EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā),EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨,并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案,以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn),卡位先進(jìn)制程市場。 16/14奈米(nm)先進(jìn)制程電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)市場戰(zhàn)火正式點(diǎn)燃。相較起28/20奈米制程,16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結(jié)構(gòu)不僅提升晶片設(shè)計(jì)困難度(圖1),更可能拖累產(chǎn)品出貨時程,為協(xié)助客戶能突破Fi
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莫大康:縮小半導(dǎo)體工藝尺寸能走多遠(yuǎn)?
- 推動半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個輪子,一個是工藝尺寸縮小,另一個是硅片直徑增大,而且總是尺寸縮小為先。由半導(dǎo)體工藝路線圖看,2013年應(yīng)該進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn),觀察近期的報道,似乎已無異議,而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩爾定律快“壽終正寢”的聲音已不容置辯,但是14nm的步伐仍按期走來,原因究竟是什么? 傳統(tǒng)光刻技術(shù)與日俱進(jìn) 當(dāng)尺寸縮小到22/20nm時,傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已無能力,必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)。 提高光刻的分辨率有3個途徑:縮短曝光波長、增大鏡頭數(shù)值孔徑NA
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半導(dǎo)體技術(shù)扮推手 醫(yī)療保健設(shè)備邁向智能化
- 半導(dǎo)體技術(shù)正推動醫(yī)療保健產(chǎn)業(yè)變革。在半導(dǎo)體業(yè)者的努力下,MEMS感測器和致動器、低功耗微控制器,以及無線收發(fā)器的效能不斷提升,且功耗大幅降低,因而有助電子產(chǎn)品制造商為可攜式醫(yī)療電子設(shè)備增添智慧化功能,從而加速行動醫(yī)療及遠(yuǎn)距照護(hù)發(fā)展。 意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁暨大中華與南亞區(qū)總裁紀(jì)衡華 過往醫(yī)療設(shè)備體積龐大,占滿整個房間,現(xiàn)今醫(yī)療設(shè)備已不斷變小、變輕,并創(chuàng)造許多新的應(yīng)用,例如很多新的穿戴式醫(yī)療設(shè)備已被設(shè)計(jì)得十分隱蔽,不易被人發(fā)現(xiàn)。如同智慧型手機(jī)和游戲機(jī)一樣,可攜式醫(yī)療設(shè)備可全天候工作,讓病患與醫(yī)
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國際半導(dǎo)體展 聚焦3D IC綠色制程
- SEMICON Taiwan 2013國際半導(dǎo)體展下月起跑,今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit,立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機(jī)械及系統(tǒng)級封裝等為主題,另有LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極體)制程特展,同時也將舉辦15場國際論壇及邀請多家知名企業(yè)主參與,預(yù)料將成注目焦點(diǎn)。 國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)指出,今
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融資渠道成關(guān)鍵 IC代工業(yè)需有序進(jìn)步
- 中國半導(dǎo)體業(yè)究竟要實(shí)現(xiàn)什么樣的目標(biāo)?有宏大的目標(biāo)如“建立自主可控的中國半導(dǎo)體業(yè)體系”。由于自主與可控的范圍太大,離目前產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平還稍有點(diǎn)遠(yuǎn),我們可以把它稱之為中國半導(dǎo)體業(yè)的終極目標(biāo)。還有一個目標(biāo)即中國半導(dǎo)體業(yè)的“十二五”規(guī)劃,簡要概括是實(shí)現(xiàn)銷售額3300億元,以及國產(chǎn)化率達(dá)到30%,還有諸如銷售額達(dá)到多少億元的芯片生產(chǎn)線共有多少條等。站在不同立場,對于中國半導(dǎo)體業(yè)要實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)理解可能不盡相同。實(shí)際上IC國產(chǎn)化率才是反映中國半導(dǎo)體業(yè)綜合競爭力提高的主要指
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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