半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電張忠謀：半導(dǎo)體行業(yè)不能守成要做世界級(jí)公司

　　【因?yàn)樵嫉亩x是18~24個(gè)月晶體管密度會(huì)倍增，但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來發(fā)展半導(dǎo)體工藝，會(huì)以快于摩爾定律的時(shí)間來倍增晶體管密度，并維持到至少2025年以前】　　摩爾定律的極限在哪里? 　　在臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀看來，實(shí)際上摩爾定律在半導(dǎo)體行業(yè)中早已不適用了。　　“因?yàn)樵嫉亩x是18~24個(gè)月晶體管密度會(huì)倍增，但我們已經(jīng)用遠(yuǎn)快于摩爾定律的速度來發(fā)展半導(dǎo)體工藝，會(huì)以快于摩爾定律的時(shí)間來倍增晶體管密度，并維持到至少2025年以前。”10月23日，在臺(tái)積電30周年
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我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

　　近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。　　通常，國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì)，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
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【深入淺出】晶體硅電池發(fā)電原理

【深入淺出】晶體硅電池發(fā)電原理-天天討論光伏發(fā)電，你知道太陽能電池發(fā)電的原理嗎？本文分別用文字形式，介紹了晶硅太陽能電池的發(fā)電原理。屬于科普級(jí)別，非常通俗易懂。
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MEMS是什么？看完這篇就懂了

MEMS是什么？看完這篇就懂了-MEMS全稱Micro Electromechanical System，微機(jī)電系統(tǒng)。是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。
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深入淺出了解晶體硅電池發(fā)電原理

深入淺出了解晶體硅電池發(fā)電原理-天天討論光伏發(fā)電，你知道太陽能電池發(fā)電的原理嗎?本文分別用文字形式，介紹了晶硅太陽能電池的發(fā)電原理。屬于科普級(jí)別，非常通俗易懂。
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儲(chǔ)能材料基本知識(shí)及市場(chǎng)分析

儲(chǔ)能材料基本知識(shí)及市場(chǎng)分析-隨著對(duì)新能源和可再生能源的研究和開發(fā)，尋求提高能源利用率的先進(jìn)方法，已成為全球共同關(guān)注的首要問題。
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半導(dǎo)體電鍍工藝解析

半導(dǎo)體電鍍工藝解析-電鍍金在集成電路制造中有著廣泛的應(yīng)用，例如：在驅(qū)動(dòng)IC封裝中普遍使用電鍍金凸塊；在CMOS/MEMS中應(yīng)用電鍍金來制作開關(guān)觸點(diǎn)和各種結(jié)構(gòu)等；在雷達(dá)上金鍍層作為氣橋被應(yīng)用；電鍍還被用于UBM阻擋層的保護(hù)層，以及用于各種引線鍵合的鍵合面等等。
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6000億基金掀資本熱潮半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“高燒”

與過熱的資本相比，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的研發(fā)支出仍然“冷淡”，全國(guó)每年集成電路研發(fā)投入尚不及高通一年的投入，且遠(yuǎn)低于Intel，集成電路產(chǎn)業(yè)的崛起仍然需要十年以上的長(zhǎng)期培育。
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國(guó)家未來對(duì)半導(dǎo)體持將有增無減國(guó)產(chǎn)化替代需求很大

由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)涉及國(guó)防，國(guó)家對(duì)于半導(dǎo)體的政策扶持一直很重視。
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謝金河：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是發(fā)展AI最重要心臟引擎

　　10年前，臺(tái)積電市值還不到半導(dǎo)體巨擘英特爾一半，如今臺(tái)積電市值比英特爾多了300億美元，從這個(gè)定位，大家可以領(lǐng)會(huì)到，臺(tái)積電在未來發(fā)展人工智慧上無可替代的地位。　　把臺(tái)灣市值排行攤開來看，第一大的是臺(tái)積電，市值超過臺(tái)幣5.7兆元新臺(tái)幣，這已是世界頂級(jí)的實(shí)力。目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最重要指標(biāo)的費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)，臺(tái)積電已是費(fèi)半指數(shù)第一大權(quán)值股，難能可貴的是，10年前，臺(tái)積電市值還不到半導(dǎo)體巨擘英特爾一半，如今臺(tái)積電市值比英特爾多了300億美元，從這個(gè)定位，大家可以領(lǐng)會(huì)到，臺(tái)積電在未來發(fā)展人工智慧上無可替代的地位。
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)站上新風(fēng)口：機(jī)構(gòu)布局股價(jià)進(jìn)入上行周期

以國(guó)家大基金成立為契機(jī)，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來最好的發(fā)展時(shí)期。雖然會(huì)遇到很多困難，包括并購(gòu)失敗、技術(shù)挑戰(zhàn)等，但前景依舊是樂觀的。
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傳韓擬禁止半導(dǎo)體、面板業(yè)赴中國(guó)擴(kuò)張

中國(guó)報(bào)復(fù)韓國(guó)部署薩德反導(dǎo)彈系統(tǒng)，讓樂天、現(xiàn)代汽車損失慘重，韓國(guó)政府這次計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體與面板業(yè)下禁制令，似乎有反報(bào)復(fù)中國(guó)的意圖在。
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韓國(guó)2017年半導(dǎo)體出口有望超900億美元

　　韓聯(lián)社報(bào)道，韓國(guó)貿(mào)易協(xié)會(huì)國(guó)際貿(mào)易研究院13日發(fā)布的報(bào)告顯示，今年韓國(guó)半導(dǎo)體出口額有望首破900億美元，譜寫出口歷史新篇章。　　今年1-8月韓國(guó)半導(dǎo)體出口額同比增長(zhǎng)52%，達(dá)595億美元。每月出口如能保持80億美元以上，全年出口總額將突破900億美元。過去40年來韓國(guó)半導(dǎo)體出口年均增長(zhǎng)約15%，今年在出口總額中所占比重達(dá)到16%。貿(mào)易順差方面貢獻(xiàn)更大，今年1-7月的半導(dǎo)體貿(mào)易收支順差占順差總額的51%。　　作為技術(shù)密集型產(chǎn)品的生產(chǎn)和出口大國(guó)，韓國(guó)的國(guó)際形象也在不斷提升。去年韓國(guó)半導(dǎo)體占國(guó)際出口市
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臺(tái)專家：中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展模式的探討

　　大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時(shí)期、改革開放前的起步探索時(shí)期、改革開放初期的開發(fā)引進(jìn)時(shí)期、全面布局的重點(diǎn)建設(shè)時(shí)期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期，當(dāng)中2014年6月國(guó)務(wù)院發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國(guó)家集成電路大基金，更成為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點(diǎn)。　　爾后不論是中國(guó)制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動(dòng)，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國(guó)家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
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張汝京：CIDM模式進(jìn)可攻、退可守，建議嘗試

　　大約30多年前一些美國(guó)、日本和歐洲的IDM半導(dǎo)體工廠把多余的產(chǎn)能出來做代工服務(wù)，因?yàn)榇さ墓静粫?huì)與客戶競(jìng)爭(zhēng)，所以專業(yè)代工的模式成為半導(dǎo)體市場(chǎng)的新寵。那么，究竟國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)更加適用怎樣的模式呢? 　　在近日召開的“2017集微半導(dǎo)體峰會(huì)”間隙，“中國(guó)半導(dǎo)體教父”張汝京博士針對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代工發(fā)表了自己的見解。他表示，CIDM是一個(gè)共享式的，“舊有翻新”的模式，進(jìn)可攻、退可守，建議大家嘗試。　　據(jù)了解，90年代聯(lián)電在臺(tái)灣就有5
關(guān)鍵字： CIDM 半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]