- Renesas公司近期宣布加入由Cypress、Infineon及Micron三家公司聯合倡導的CellularRAM標準聯合開發(fā)組。CellularRAM產品被設計用來進行2.5G和3G手機設計,是一種嵌入式替換方案,引腳和功能都與用于當前手機設計中的異步低功耗SRAM兼容。www.renesas.com
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Renesas 存儲器
- 飛利浦電子公司發(fā)布了全球第一款DVD+R/+RW和硬盤驅動器結合的半導體參考設計。該參考設計基于 PNX7100 MPEG-2解碼器,具有完整的硬件圖單、材料單、業(yè)界標準的軟件堆棧、全面的Nexperia Home開發(fā)工具包以及相關文件。為亞洲的消費電子OEM廠商提供了低材料成本及快速的上市時間。www.semiconductors.philips.com
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飛利浦 存儲器
- 摘 要:本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動存儲終端,終端中使用NAND Flash作為存儲器件。討論了TMS320C54x對NAND Flash的編程以及接口設計。關鍵詞:DSP;NAND;Flash
引言移動存儲終端包括手機、掌上電腦、PDA和數碼相機等手持設備及各種信息家電。在這類產品中既要結合存儲功能,又需要具備一定的信號處理能力,因此基于DSP芯片的設計方案成為這些產品的主流方案。同時,為了降低產品成本,采用具有較高容量/價格比的NAND Fla
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DSP Flash NAND 存儲器
- 按慣例,設計人員總把SRAM 作為其最基本的形式,即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時,設計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能,但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進通信系統的存儲器,這就將工作重點轉向了帶寬,而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為:給定時間內可通過器件訪問的數據量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬:帶寬=I/O速度
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SRAM 存儲器
- 摘 要:本文對高速、高精度大容量數據采集板卡所采用的SDRAM控制器技術進行了討論,詳細介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設計、命令組合以及設計仿真時序,并將該技術應用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數據采集板卡,最后給出了板卡測試結果。關鍵詞:SDRAM;FPGA;AD9432
引言高速數據采集具有系統數據吞吐率高的特點,要求系統在短時間內能夠傳輸并存儲采集結果。因此,采集數據的快速存儲能力和容量是制約加快系統速度和容許采集時間的主要因素之一。通常用于數據采
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AD9432 FPGA SDRAM 存儲器
- 根據彭博資訊(Bloomberg),證券業(yè)者花旗集團旗下半導體分析師,宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調高,理由是認為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。 據了解,花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調高至“買進”,Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調高至“持有”,韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出,價格可能在下個月或其后一個約觸底,而全球
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DRAM 存儲器
- 軟誤差是半導體器件中無法有意再生的“干擾”(即數據丟失)。它是由那些不受設計師控制的外部因素所引起的,包括α粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統能夠容忍一定程度的軟誤差。例如,如果為音頻、視頻或靜止成像系統設計一個預壓縮捕獲緩沖器或后置解壓縮重放緩沖器,則一個偶然出現的缺陷位可能不會被察覺,而且對用戶而言也許并不重要。然而,當存儲元件在關鍵任務應用中負責控制系統的功能時,軟誤差的不良影響就會嚴重得多,不僅會損壞數據,而且還有可能導致功能缺失和關鍵系統故障。本文將討論產生這些軟誤差的根源、不同的測量技術以及抵御
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賽普拉斯 存儲器
- 引言當前電子設計的趨勢是復合功能化以及更廣泛地使用模擬、數字混合技術。在設計、建模和測試諸如3G手機及機頂盒等混合了視頻、音頻及數據信號的系統時,需要緊密集成與基頻采樣頻率、失真和觸發(fā)特性相匹配的數字及模擬數據采集和發(fā)生硬件。模擬及數字儀器不再是具有完全相異的定時引擎和不匹配模擬性能的獨立系統。另外,隨著這些具有類似時鐘的設備在全球范圍內廣泛地制造,產品必須在極寬的溫度范圍內具有穩(wěn)定性和性能一致性,以便進行可靠的、高性能的功能測試。NI設計的同步及存儲磁心(SMC)作為一種針對高速模塊化儀器的通用結構回應
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NI 存儲器
- 意法半導體(ST)公布的一項新技術rSRAM,完全可以消除近年來不斷困擾電子設備制造商的 “軟錯誤”難題。由于該技術對標準SRAM存儲單元的改進方法是在單元結構內以垂直方式增裝附加電容器,因此,芯片面積以及制造成本都不會受到較大的影響。www.st.com
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ST 存儲器
- 4月28日,意法半導體(STMicro)與韓國現代半導體(Hynix)在無錫舉行了奠基典禮,在中國建設首家存儲器芯片前端制造廠。合資廠計劃總投資20億美元,將制造DRAM存儲器和NAND閃存芯片。
點評
與前幾年的建線熱相比,2005年我國IC制造領域冷清了許多。這一方面是受到全球半導體市場回升緩慢的影響,另一方面也是主流晶圓制造廠商在為下一步的發(fā)展在資金和工藝等方面進行積累和蓄勢。而在集成電路制造業(yè)方面也有一些利好的消息,有媒體報道稱,臺灣廠商在祖國大陸投資建設晶圓廠的限制將進一步放寬,
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ST 存儲器 Hynix
- 摘 要:本文根據FPGA器件的特點,介紹了應用FPGA設計某通信設備中PCM碼流處理模塊的一種方案。并就設計中遇到的問題進行了分析。關鍵詞:FPGA;RAM引言由于FPGA器件可實現所有數字電路功能 ,具有結構靈活、設計周期短、硬件密度高和性能好等優(yōu)點,在高速信號處理領域顯示出愈來愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技術對PCM碼流進行處理的實現方法。變換后的數據寫入RAM,與DSP配合可完成復雜的信號處理功能。設計方案某新型通信設備中,在完成調度功能的板子上,需要進行
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FPGA RAM 存儲器
- 市場調查機構iSuppli日前公布了2004年全球獨立(第三方)內存模組廠排名,金士頓(Kingston)繼續(xù)蟬聯寶座,我國臺灣省的威剛(A-DATA)迅速崛起,以91%的營業(yè)額成長率超越美光(Micron)旗下獨立內存模組廠Crucial Technology,成為全球第三大模組廠,今年更有機會挑戰(zhàn)亞軍地位。 在iSuppli公布的2004年全球獨立內存模組廠排名中,前10位的依次為:金士頓、Modular&
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威剛 存儲器
- 摘 要:本文在簡要介紹SyncFlash(同步Flash)存儲器的基礎上,著重敘述了SyncFlash在基于ARM體系微處理器的嵌入式系統中的應用,并介紹了采用SyncFlash設計嵌入系統的優(yōu)勢。關鍵詞:SyncFlash;SDRAM;ARM微處理器;嵌入式系統
隨著嵌入式處理器的迅速發(fā)展,32位RISC處理器的應用越來越廣泛,許多基于ARM核的微處理器都集成了SDRAM控制器。應用系統中一般都是采用SDRAM存儲器作內存、NOR Flash作程序存儲
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ARM微處理器 SDRAM SyncFlash 嵌入式系統 存儲器
- 為了滿足用戶對手機更多服務的需求,服務提供商不斷推陳出新,促使僅具通話功能的傳統手機向同時具有語音和數據功能的新型手機轉換。向數據通信功能的轉變將直接影響手機中的硬件結構。目前,2.5G 和3G手機已經能夠提供更多的功能,諸如SMS(短信息服務)、MMS(多媒體信息服務)、圖象傳送、音頻/視頻流和因特網接入等。隨著密度更高、能耗更低、吞吐量更大的存儲器的涌現,應用在手機上的存儲器也隨之變化。對數據處理容量需求的增大,使得現有的基帶控制器和存儲器難以滿足要求。除此之外,電池的使用壽命是移動電話當中的一個更為
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Cypress 存儲器
- SRAM一直是網絡應用的重要組成部分,它可提高帶寬,從而在許多高性能應用中起著主導作用。這些應用包括無總線時延 (NoBL)和四倍數據速率 (QDR) 等。就系統資源及內存帶寬要求而論,分組處理對內存帶寬的要求最高。分組處理塊內部的多個功能以及其它存儲功能要求采用不同的 SRAM 架構。因此需要采用支持 SRAM 的新型協議及架構,以滿足這些網絡系統的需求。本文重點介紹針對網絡應用提供的高級 SRAM 架構。此外,還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構的各種應用以及促使用戶選擇 SRAM 的標準。
網
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SRAM 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統中的記憶設備,用來存放程序和數據。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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