存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

產(chǎn)業(yè)多變：三星DRAM業(yè)景氣報(bào)告前后不同調(diào)

日前，全球最大閃存廠南韓三星電子（Samsung）在香港舉行全球巡回說(shuō)明會(huì)中表示，2005年、2006年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模均將因供給過(guò)剩而出現(xiàn)衰退，且2005年到第四季（Q4）才會(huì)出現(xiàn)供需平衡，而一直到2007年，DRAM產(chǎn)業(yè)才會(huì)有機(jī)會(huì)再見(jiàn)到成長(zhǎng)；不過(guò)一份來(lái)自三星內(nèi)部的最新報(bào)告卻顯示，2005年下半整體DRAM產(chǎn)業(yè)將不至于太差，到了Q3便會(huì)供不應(yīng)求，而之所以會(huì)看法前后不一，主要還是在于DRAM產(chǎn)業(yè)詭譎多變，隨時(shí)須調(diào)整產(chǎn)能及計(jì)畫才足以應(yīng)付。　
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三星研發(fā)出多媒體領(lǐng)域速度最快存儲(chǔ)器

5月20日消息，三星電子昨天宣布開(kāi)發(fā)出了首款應(yīng)用90納米技術(shù)的512Mb XDR DRAM樣品，這是目前多媒體應(yīng)用領(lǐng)域速度最快的存儲(chǔ)器。　　三星該款512Mb XDR DRAM能夠以每秒高達(dá)9.6GB的速度傳輸數(shù)據(jù)，其傳輸速度是DDR400存儲(chǔ)器的12倍，同時(shí)也是目前最快的RDRAM (PC 800)存儲(chǔ)器的6倍。它應(yīng)用了先進(jìn)的90納米技術(shù)，能夠在1.8伏的工作電壓下，達(dá)到最高每秒4.8Gb的運(yùn)
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三星全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將在2007年復(fù)蘇

5月18日消息，三星電子周二表示，全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)供過(guò)于求的狀況預(yù)計(jì)將持續(xù)到今年第三季度，并且在今年第四季度達(dá)到供需的平衡。由于需求的增長(zhǎng)，全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2007年復(fù)蘇。　　據(jù)電子時(shí)報(bào)報(bào)道，三星電子副總裁Robert Yi稱，2005年全球PC行業(yè)的增長(zhǎng)率將減緩。但是，今年移動(dòng)設(shè)備、游戲機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求將比2004年增長(zhǎng)100%，從而抵消了PC對(duì)DRAM內(nèi)存需求的下降。由于芯片廠商要向90納米設(shè)計(jì)工藝過(guò)渡，全球D
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意法半導(dǎo)體擬全球裁員內(nèi)存產(chǎn)能將移中國(guó)

繼年初退出非策略性芯片市場(chǎng)后，意法半導(dǎo)體又傳來(lái)裁員消息。該公司中國(guó)區(qū)公關(guān)經(jīng)理丘紅表示，意法計(jì)劃在2006年年中以前裁員3000人，所涉區(qū)域僅限亞太以外地區(qū)。　　在意法提供的電子材料中，該公司稱，由于公司處于重組階段，美元相對(duì)歐元疲弱不振，而全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又持續(xù)低迷，意法在出口方面大受限制，從而導(dǎo)致2005年第一季度凈收入比去年第四季下降10.5%，凈虧損3100萬(wàn)美元。這是該公司連續(xù)5季盈利后的首次虧損。因此，該公司試圖通過(guò)裁員轉(zhuǎn)廠提升全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。　　這似乎是
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意法半導(dǎo)體被證實(shí)是2004年串行非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)的第一大制造商

工業(yè)分析家Web-Feet研究有限公司證實(shí)，意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）是全球第一大非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片供應(yīng)商。Web-Fee于2005年3月公布了2004年NVM市場(chǎng)占有率的調(diào)查報(bào)告*，該報(bào)告顯示ST的市場(chǎng)占有率提高了4.4%，在串行EEPROM制造商排名中居首位；另外在該公司今年第一次公布的串行閃存市場(chǎng)排名中也居榜首。2004年串行EEPROM市場(chǎng)增長(zhǎng)近15%，超過(guò)了并行EEPROM的增長(zhǎng)速度，ST的收入增長(zhǎng)幅度驚人，達(dá)到32.5%，銷售額達(dá)到2.24億美元，以32%的市場(chǎng)占有率位居榜
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意法半導(dǎo)體研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動(dòng)器物理層知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今天宣布該公司采用90nm制造工藝的（多接口PHY）物理層接口IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）單元研制成功，這是世界上第一個(gè)支持串行ATA（SATA）磁盤驅(qū)動(dòng)器以及Serial Attached SCSI (SAS)、Fibre Channel和PCI Express串口標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用的宏單元，ST的工程師準(zhǔn)備在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)內(nèi)集成這個(gè)單元以及其它功能，使驅(qū)動(dòng)器制造商可以制造銷售一個(gè)能夠在多個(gè)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)工作的IC，從而降低產(chǎn)品成本。ST目前正在實(shí)施和驗(yàn)證90nm接口的設(shè)計(jì)，為今年下半年系
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韓國(guó)海力士半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在中國(guó)建立的存儲(chǔ)器芯片制造廠奠基

繼2004年11月16日意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）與海力士半導(dǎo)體（Bloomberg: 000660 KS）宣布簽訂合資建廠協(xié)議后，這兩家世界大型半導(dǎo)體公司在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市舉行了存儲(chǔ)器芯片前端制造廠的奠基典禮，來(lái)自中韓兩國(guó)的國(guó)家及省市地區(qū)的高級(jí)官員參加了典禮儀式。新的芯片制造廠將制造DRAM存儲(chǔ)器和NAND閃存芯片，這個(gè)合資企業(yè)是ST與海力士的成功合作關(guān)系的合理延伸，它將使合資雙方率先進(jìn)入快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)，還將使ST能夠更好地滿足特別是通信和消費(fèi)電子市場(chǎng)領(lǐng)域重要客戶的需求，為他們提供完整的存
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ST研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動(dòng)器物理層知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片

意法半導(dǎo)體（ST）研制成功世界第一顆90nm制造技術(shù)的多標(biāo)準(zhǔn)硬盤驅(qū)動(dòng)器物理層知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片　　測(cè)試結(jié)果顯示新的MIPHY宏單元性能優(yōu)異，新產(chǎn)品將集成到SATA、SAS、Fibre Channel和 PCI Express應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)中　　中國(guó)， 2005年4月25日 – 意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）今天宣布該公司采用90nm制造工藝的（多接口PHY）物理層接口IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）單元研制成功，這是世界上第一個(gè)支持串行ATA（SATA）磁盤驅(qū)動(dòng)器以及Serial Attached SCSI
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2004年串行非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)的第一大制造商

意法半導(dǎo)體（ST）被證實(shí)是 2004年串行非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)的第一大制造商 Web-Feet最新的非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)報(bào)告顯示， ST是串行EEPROM和串行閃存市場(chǎng)的第一大供應(yīng)商中國(guó)，2005年4月28日 – 工業(yè)分析家Web-Feet研究有限公司證實(shí)，意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）是全球第一大非易失性存儲(chǔ)器（NVM）芯片供應(yīng)商。Web-Fee于2005年3月公布了2004年NVM市場(chǎng)占有率的調(diào)查報(bào)告*，該報(bào)告顯示ST的市場(chǎng)占有率提高了4.4%，在串行EEPROM制造商排名中居
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賽普拉斯公司被中興通訊公司認(rèn)可為頂尖的SRAM供應(yīng)商

Cypress憑借其超群的總所有權(quán)成本、產(chǎn)品質(zhì)量、技術(shù)支持和交貨能力而得到了中國(guó)領(lǐng)先WAN公司的表彰 2005年5月13日北京訊今天，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor)宣布被中國(guó)最大的WAN設(shè)備制造商之一、年收入達(dá)40億美元的中興通訊（ZTE）公司評(píng)定為SRAM和專用存儲(chǔ)器的首選供應(yīng)商。這一排名是根據(jù)各SRAM銷售商在去年的總體業(yè)績(jī)確定的。據(jù)ZTE稱，影響該排名的因素有很多，包括總所有權(quán)成本、產(chǎn)品質(zhì)量、對(duì)ZTE要求
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三星下半年DRAM供需均衡面板需求降溫

據(jù)外電報(bào)道，三星電子周三預(yù)期下半年個(gè)人計(jì)算機(jī)用DRAM的供給和需求將達(dá)到平衡，并認(rèn)為2006年LCD面板的需求成長(zhǎng)將持續(xù)降溫。　　三星在一份呈交南韓證交所的報(bào)告中表示，芯片制造商將制程升級(jí)至90奈米后，良率問(wèn)題影響供給成長(zhǎng)，加上部份產(chǎn)能挪用生產(chǎn)非DRAM產(chǎn)品，是下半年供需平衡的主因。　　但有些分析師更樂(lè)觀預(yù)期下半年DRAM的需求會(huì)微幅超過(guò)供應(yīng)，并帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，與其相較，SAMSUNG的看法還較為保守。自今年初以來(lái)，DRAM芯片在供給增加及需求疲弱的壓力下，現(xiàn)貨價(jià)格已重挫逾40%。多位分析師都預(yù)期第2季
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三星電子公司預(yù)計(jì)今明年DRAM銷售將衰退

5月11日消息，全球第二大半導(dǎo)體制造商三星電子預(yù)計(jì)2006年計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片全球銷售將步入連續(xù)第二年衰退。　　三星電子在香港準(zhǔn)備給投資人的文件中表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存DRAM銷售今年將衰退4%，明年估計(jì)萎縮12% 。　　據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，DRAM供過(guò)于求導(dǎo)致Infineon等制造商出現(xiàn)虧損。　　三星電子表示，供過(guò)于求的情況將持續(xù)至第三季，第四季才可能出現(xiàn)供需相符的情況。　　三星電子
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CL 2.5水平低延遲DDR-2內(nèi)存芯片即將量產(chǎn)

DDR-2內(nèi)存如我們預(yù)期地目前已開(kāi)始調(diào)整售價(jià)并可在下半年取代DDR內(nèi)存在市場(chǎng)的主流位置，不過(guò)DDR-2內(nèi)存眾所周知目前主要的問(wèn)題也在于其高延遲性（CL 4/5）設(shè)計(jì)而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級(jí)的DDR與DDR-2內(nèi)存對(duì)比當(dāng)中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來(lái)始終還是會(huì)得益于其高工作頻率設(shè)定可達(dá)成更高的內(nèi)存帶寬而將取代最高不過(guò)667MHz的DDR，無(wú)論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現(xiàn)始終是不能有太大的突破，而這個(gè)情況
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現(xiàn)代與意法半導(dǎo)體在中國(guó)建內(nèi)存芯片廠

4月29日消息，韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor）和意法半導(dǎo)體公司本周四在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市舉行了高級(jí)內(nèi)存芯片加工廠建設(shè)的破土動(dòng)工儀式。韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)道，這個(gè)內(nèi)存芯片加工廠是根據(jù)現(xiàn)代半導(dǎo)體和意法半導(dǎo)體去年11月份達(dá)成的合資企業(yè)協(xié)議建設(shè)的。這個(gè)合資企業(yè)將在今年年底投入商業(yè)性生產(chǎn)。無(wú)錫市在聲明中稱，這個(gè)工廠首先使用8英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，然后在2006年晚些時(shí)候過(guò)渡到12英寸晶圓。這個(gè)工廠
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Synopsys推出新版DFT編譯器和TetraMAX ATPG工具

Synopsys公司為其Galaxy測(cè)試解決方案推出DFT編譯器和自動(dòng)測(cè)試模式生成工具TetraMAX。其中DFT的快速掃描綜合技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試DRC引擎可加速掃描插入與測(cè)試設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，從而使設(shè)計(jì)人員在短時(shí)間內(nèi)完成測(cè)試性設(shè)計(jì)。而改進(jìn)的TetraMAX ATPG算法將有助于數(shù)百萬(wàn)門設(shè)計(jì)中優(yōu)化壓縮的模式生成。www.synopsys.com
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]