存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

三星電子斥6億美元升級(jí)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線

　　韓國(guó)三星電子昨天表示，公司董事會(huì)已通過(guò)投資6,367億韓元(約6.17億美元)升級(jí)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線的計(jì)劃。　　港臺(tái)媒體報(bào)道，三星電子在一篇簡(jiǎn)短的信息公告中指出，該投資是為了響應(yīng)快速閃存市場(chǎng)擴(kuò)大以及生產(chǎn)增加的變化。
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全新ARM Jazelle RCT技術(shù)降低Java內(nèi)存占用空間高達(dá)三倍

ARM公司在加利富尼亞州舊金山市召開(kāi)的JavaOne大會(huì)上發(fā)布了其全新的Jazelle® RCT 技術(shù)，該技術(shù)能在移動(dòng)電話和消費(fèi)電子產(chǎn)品等眾多應(yīng)用終端上顯著地降低Java應(yīng)用程序?qū)?nèi)存的占用空間，同時(shí)提高性能并降低功耗。ARM® Jazelle RCT (運(yùn)行時(shí)間編譯器目標(biāo)，Runtime Compiler Target)架構(gòu)擴(kuò)展集擴(kuò)展了Jazelle技術(shù)范圍，使其涵蓋了運(yùn)行時(shí)間和提前時(shí)間編譯器技術(shù)的最優(yōu)化，如即時(shí)編譯（Just In Time Compiler, JIT)和動(dòng)態(tài)適應(yīng)編譯
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DRAM齊備庫(kù)存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚

　　國(guó)際DRAM廠供應(yīng)貨源不足因應(yīng)旺季需求 OEM廠轉(zhuǎn)向臺(tái)廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)。由于OEM計(jì)算機(jī)大廠擔(dān)心進(jìn)入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后，目前庫(kù)存貨源可能不敷使用，近期紛紛開(kāi)始增加對(duì)DRAM廠下單，惟國(guó)際DRAM廠已陸續(xù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品，因此供貨情況未能滿足國(guó)際OEM計(jì)算機(jī)廠需求，為此，OEM計(jì)算機(jī)廠也轉(zhuǎn)向臺(tái)灣DRAM廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)，且以過(guò)去主力供應(yīng)現(xiàn)貨市場(chǎng)的DRAM廠為主，據(jù)傳訂單數(shù)量相當(dāng)驚人。　　TRI觀點(diǎn)：以產(chǎn)業(yè)鏈各廠商的動(dòng)態(tài)來(lái)觀察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下：　　
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內(nèi)存價(jià)格半年跌40% 臺(tái)內(nèi)存商目光轉(zhuǎn)投閃存

　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存廠商透露，由于自今年初以來(lái)，內(nèi)存的價(jià)格經(jīng)歷了重大下挫，所以這些內(nèi)存廠商已經(jīng)開(kāi)始將目光投在閃存市場(chǎng)上，其中茂德科技(ProMOS Technologies)已經(jīng)設(shè)立了一家NAND閃存存儲(chǔ)卡封裝合資廠，而華邦(Winbond)則收購(gòu)了一家NOR閃存設(shè)計(jì)企業(yè)。據(jù)茂德總裁陳民良透露，他們已經(jīng)投資245萬(wàn)美元于上海開(kāi)辦了一家合資企業(yè)，看中的就是大陸手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)卡的巨大需求。茂德在此合資企業(yè)中的股份是49%，
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臺(tái)灣DRAM廠商第二季財(cái)報(bào)多數(shù)將會(huì)出現(xiàn)赤字

DRAM廠商第2季財(cái)報(bào)恐多出現(xiàn)赤字，早盤股價(jià)紛紛拉回修正，盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過(guò)1%以上，茂硅一度跌停。據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，DRAM 價(jià)格第 2 季處于低檔，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會(huì)計(jì)盈轉(zhuǎn)虧，稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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三星現(xiàn)代偏重閃存生產(chǎn)內(nèi)存迎來(lái)缺貨漲價(jià)期

DRAM制造業(yè)巨頭調(diào)換產(chǎn)能搶攻NAND型閃存市場(chǎng)的效應(yīng)正在快速擴(kuò)散，那就是內(nèi)存芯片正面臨缺貨危機(jī)。三星、Hynix以及我國(guó)臺(tái)灣的力晶紛紛實(shí)施或宣布了將產(chǎn)能轉(zhuǎn)調(diào)入閃存生產(chǎn)的消息后，內(nèi)存模塊制造商即將進(jìn)入長(zhǎng)達(dá)數(shù)個(gè)月的供貨“枯水期”。內(nèi)存模塊制造業(yè)人士稱，原本DRAM芯片供貨量?jī)H受三星轉(zhuǎn)換產(chǎn)能影響，還沒(méi)有明顯感受到貨源不足壓力，但從7月起，Hynix也將轉(zhuǎn)換產(chǎn)能生產(chǎn)閃存，在2大DRAM芯片制造商雙雙轉(zhuǎn)換
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英特爾攻勢(shì)兇猛　AMD快閃內(nèi)存營(yíng)收連輸2季

超微（AMD）自從4月發(fā)出打算將旗下快閃內(nèi)存（Flash）部門公開(kāi)上市，以Spansion之名向美國(guó)證管會(huì)提出IPO申請(qǐng)后，華爾街分析師認(rèn)為，近來(lái)美國(guó)半導(dǎo)體類股市場(chǎng)不佳，Spansion恐怕無(wú)法募得足夠資金，在市場(chǎng)不看好聲中，傳出超微有可能遞延IPO消息。　　據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，超微執(zhí)行官Hector Ruiz在2005年初就直言對(duì)Flash事業(yè)營(yíng)運(yùn)很不滿意，不僅銷售額衰退，連續(xù)2季營(yíng)運(yùn)虧損，2004年第四季（Q4）與2005年Q1分別虧
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三星CEO稱 DRAM價(jià)格持續(xù)下降后將趨于穩(wěn)定

三星公司的CEO兼總裁黃昌圭(HwangChang-gyu)指出，計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格在下滑40%之后，有望趨于穩(wěn)定。　　今年第二季度，全球芯片制造商超負(fù)荷生產(chǎn)，導(dǎo)致了DRAM的價(jià)格下降，這對(duì)三星第二財(cái)季的利潤(rùn)也產(chǎn)生了影響。黃昌圭稱：“到現(xiàn)在為止，DRAM的價(jià)格下降了40%。今后，價(jià)格會(huì)趨于穩(wěn)定?！?　　三星表示，DRAM制造商開(kāi)始由生產(chǎn)低價(jià)的DRAM向閃存芯片過(guò)渡，閃存芯片主要用于數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)手機(jī)和音樂(lè)播放器等產(chǎn)品中。同時(shí)，由于業(yè)內(nèi)向下一代芯
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硬盤手機(jī)逐漸成主流元件市場(chǎng)也將又蘊(yùn)商機(jī)

　　硬盤手機(jī)將成主流之時(shí)，隨著手機(jī)用戶在手機(jī)上存儲(chǔ)的信息日益增多，業(yè)者認(rèn)為硬盤將成為“必需品”。硬盤手機(jī)一旦進(jìn)入“黃金時(shí)代”之時(shí)，元件市場(chǎng)也將隨之又蘊(yùn)商機(jī)。　　據(jù)悉，數(shù)年來(lái)，硬盤廠商一直在為iPod的成功而歡欣鼓舞。iPod以及其它MP3播放機(jī)已經(jīng)使得微型硬盤的銷售達(dá)到了一個(gè)新的高峰。之后手機(jī)廠商積極將微型硬盤用于新款手機(jī)產(chǎn)品中，業(yè)內(nèi)不斷聽(tīng)到新的好消息：三星、諾基亞新出品的手機(jī)將集成有硬盤。與以前只能在閃存中存儲(chǔ)數(shù)首歌曲的手機(jī)不同，這些手機(jī)的
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Crolles2聯(lián)盟開(kāi)發(fā)的超高密度SRAM單元采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應(yīng)技術(shù)

Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會(huì)上宣布的論文，為未來(lái)的低成本、低功耗、高密度消費(fèi)電路采用超小制程尺寸又添新選擇日本京都 (2005年 VLSI 研討會(huì)) ， 2005年6月15日 - Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關(guān)在正常制造條件下采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS體效應(yīng)技術(shù)和45納米設(shè)計(jì)規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個(gè)單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。Crolles2聯(lián)盟是由飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE: FSL, FSL.B)、飛利浦(NYSE: PHG, AEX: PH
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Crolles2聯(lián)盟開(kāi)發(fā)的超高密度SRAM單元

采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應(yīng)技術(shù) Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會(huì)上宣布的論文，為未來(lái)的低成本、低功耗、高密度消費(fèi)電路采用超小制程尺寸又添新選擇　　日本京都 (2005年 VLSI 研討會(huì)) ， 2005年6月15日 – Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關(guān)在正常制造條件下采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS體效應(yīng)技術(shù)和45納米設(shè)計(jì)規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個(gè)單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。　　Crolles2聯(lián)盟是由飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE: F
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英飛凌推出業(yè)界首款DDR3內(nèi)存模組，推動(dòng)新一代內(nèi)存產(chǎn)品開(kāi)發(fā)

全球領(lǐng)先的內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)商英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）近日宣布，該公司已向PC業(yè)界領(lǐng)先開(kāi)發(fā)商提供了業(yè)界首款DDR3 （雙數(shù)據(jù)速率3 ）內(nèi)存模組。這標(biāo)志著英飛凌已置身于新一代內(nèi)存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)前沿，新一代內(nèi)存產(chǎn)品的速度將是現(xiàn)有最高速內(nèi)存產(chǎn)品的兩倍。第一批配備DDR3內(nèi)存的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)有望在2006年年底問(wèn)世?！癉DR3 是滿足未來(lái)移動(dòng)性、數(shù)字家庭和數(shù)字企業(yè)應(yīng)用需求的首選技術(shù)。在全球范圍內(nèi)率先推出DDR3內(nèi)存模組，這進(jìn)一步彰顯了英飛凌在內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，” 英飛凌公司內(nèi)存產(chǎn)品部計(jì)算產(chǎn)品總
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Oxford半導(dǎo)體推出用于外部存儲(chǔ)的開(kāi)創(chuàng)性SATA橋接芯片系列

Oxford半導(dǎo)體公司 (Oxford Semiconductor) 將成為業(yè)界首個(gè)橋接芯片公司，為外部存儲(chǔ)器制造商提供全系列的SATA磁盤接口解決方案。在2005年第二季推出的 “92X” 系列產(chǎn)品包括五款新型SATA橋接芯片，擁有多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，所支持的接口標(biāo)準(zhǔn)包括USB2.0、FireWire400、FireWire800以及首次支持的External SATA。Oxford半導(dǎo)體的SATA橋接芯片將協(xié)助硬盤制造商生產(chǎn)出備有多種接口的外部存儲(chǔ)產(chǎn)品，且能共享通用的軟件和硬件平臺(tái)。該產(chǎn)品也是業(yè)界首個(gè)提供雙
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三星和現(xiàn)代今年DRAM產(chǎn)量將各減少15%和20%

6月16日消息據(jù)消息來(lái)源稱，年底前三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體公司DRAM初制晶圓(wafer starts)計(jì)劃產(chǎn)量將分別下降15%和20%，同時(shí)他們將把更多的產(chǎn)能調(diào)整到NAND閃存生產(chǎn)上來(lái)。　　消息來(lái)源稱，三星自今年初就一直在降低它的DRAM產(chǎn)量，現(xiàn)在預(yù)計(jì)2005年其DRAM初制晶圓計(jì)劃中的產(chǎn)量將降低15%。　　此外，消息來(lái)源稱，現(xiàn)代半導(dǎo)體已通知它的客戶，自5月至年底，它的DRAM初制晶圓計(jì)劃產(chǎn)量將降低20%，并加大NAND的產(chǎn)能。　　據(jù)市場(chǎng)調(diào)研
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英飛凌已經(jīng)向英特爾提供DDR3內(nèi)存原型芯片

內(nèi)存大廠Infineon已經(jīng)向Intel提供可以工作的DDR3原型芯片，但是對(duì)于容量等細(xì)節(jié)Infineon守口如瓶。一位Infineon發(fā)言人在本周一表示公司已經(jīng)開(kāi)始向Intel提供DDR3芯片，但是他沒(méi)有透漏內(nèi)存容量，只是說(shuō)該芯片并不完全滿足JEDEC要求。同時(shí)他確認(rèn)Infineon將在2006年下半年開(kāi)始大批出樣DDR3。但是全面量產(chǎn)估計(jì)要到2006年底。DDR3芯片剛開(kāi)始出樣時(shí)將采用90nm工藝，之
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]