意法半導(dǎo)體(st) 文章進(jìn)入意法半導(dǎo)體(st)技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體新慣性傳感器模塊可實(shí)現(xiàn)在傳感器內(nèi)訓(xùn)練AI

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出了內(nèi)置智能傳感器處理單元 (ISPU) 的新慣性傳感器，推動(dòng)onlife （一直在線）生活時(shí)代的到來(lái)，人們與經(jīng)過(guò)訓(xùn)練的智能設(shè)備互動(dòng)，智能技術(shù)從網(wǎng)絡(luò)邊緣移向深度邊緣設(shè)備。 ISM330ISN常開 (always-on) 6 軸慣性測(cè)量單元 (IMU)傳感器內(nèi)部嵌入智能技術(shù)，就尺寸和功耗而言，其測(cè)量性能和精準(zhǔn)度堪稱業(yè)界一流。意法半導(dǎo)
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意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性

意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。新型 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)卓越的品質(zhì)因數(shù)。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時(shí)，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導(dǎo)通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位
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意法半導(dǎo)體推出即用型安全汽車進(jìn)入車載系統(tǒng)芯片解決方案，符合車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟數(shù)字車鑰匙標(biāo)準(zhǔn)3.0版

v 整合基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的 ST33K-A安全芯片的安全單元和Java? Card 平臺(tái)，以及 G+D Digital Key? 小程序，為開發(fā)安全汽車進(jìn)入系統(tǒng)提供系統(tǒng)芯片解決方案v 提高用車便利性和安全性，符合車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟 (CCC)最新的數(shù)字車鑰匙標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出一個(gè)能夠加快數(shù)字車鑰匙開發(fā)的新平臺(tái)。有了數(shù)字鑰匙，消費(fèi)者可以通過(guò)移動(dòng)設(shè)備，無(wú)需鑰匙也能進(jìn)入汽車。除了加強(qiáng)安全性
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兩款全新的eDesign Suite NFC/RFID計(jì)算器為開發(fā)標(biāo)簽和讀取器賦能

意法半導(dǎo)體在 eDesign Suite軟件套件中發(fā)布了兩款新的 NFC/RFID 計(jì)算器。eDesignSuite 是一整套易于使用的設(shè)計(jì)輔助實(shí)用程序，可幫助您使用各種 ST 產(chǎn)品簡(jiǎn)化系統(tǒng)開發(fā)流程。UHF Link Budget鏈路預(yù)算工具可幫助設(shè)計(jì)人員確定RFID 讀取器的通信距離。NFC Tuning Circuit 調(diào)諧電路讓工程師能夠優(yōu)化基于ST25R3911B 或 ST253916的NFC 讀取器設(shè)計(jì)。這個(gè)兩個(gè)工具可以提高非接觸式應(yīng)用開發(fā)優(yōu)化工作的可及性，讓企業(yè)、學(xué)生和愛(ài)好者都能參與
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ST最新NFC讀取器加速支付與消費(fèi)性應(yīng)用設(shè)計(jì)

服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）新推出之ST25R3916B-AQWT和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀寫器芯片輸出功率大、效能高，且價(jià)格具有競(jìng)爭(zhēng)力，并支持NFC啟動(dòng)器、目標(biāo)設(shè)備、讀寫器和卡模擬四種模式，應(yīng)用包括零接觸支付、裝置配對(duì)、無(wú)線充電、品牌保護(hù)以及其他工業(yè)和消費(fèi)性應(yīng)用。新裝置導(dǎo)引彈性更高的主動(dòng)波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技術(shù)，可以簡(jiǎn)化射頻輸出調(diào)整過(guò)程，便于優(yōu)化過(guò)沖和下沖問(wèn)題。
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意法半導(dǎo)體和Sensory 開展合作，通過(guò)STM32Cube 軟件生態(tài)系統(tǒng)賦能大眾市場(chǎng)嵌入式聲控技術(shù)應(yīng)用

務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，與世界排名前列的嵌入式語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)供應(yīng)商、意法半導(dǎo)體授權(quán)合作伙伴 Sensory Inc公司宣布了一項(xiàng)合作協(xié)議，賦能STM32 微控制器 (MCU)用戶社區(qū)為各種智能嵌入式產(chǎn)品開發(fā)直觀的語(yǔ)音識(shí)別用戶界面及產(chǎn)品原型。該合作項(xiàng)目整合了意法半導(dǎo)體STM32軟硬件和Sensory的語(yǔ)音控制技術(shù)。其中新的VoiceHub 在線門戶支持使用自定義喚醒詞、語(yǔ)音控制命令集和大型自然語(yǔ)言語(yǔ)法
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意法半導(dǎo)體推出二代多區(qū)直接ToF傳感器

· VL53L8 直接飛行時(shí)間 (dToF) 傳感器非常適用于智能手機(jī)以及智能揚(yáng)聲器、人機(jī)界面、消費(fèi)類激光雷達(dá)和 AR/VR/MR· 傳感器集成新的革命性超表面透鏡 (metasurface lens) 技術(shù)和性能更強(qiáng)、能效更高的激光源和片上處理改進(jìn)技術(shù) 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出了新一代FlightSense?飛行時(shí)
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Metalenz和意法半導(dǎo)體首創(chuàng)光學(xué)超表面技術(shù)metasurface，瞄準(zhǔn)消費(fèi)電子設(shè)備

率先實(shí)現(xiàn)元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體( (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開發(fā)的元鏡現(xiàn)已上市。作為該備受矚目的技術(shù)首秀，意法半導(dǎo)體剛剛發(fā)布的 VL53L8 直接飛行時(shí)間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術(shù)隆重登場(chǎng)。Metalenz的元鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的科研成果，可以替代現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
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意法半導(dǎo)體新NFC讀取器加快支付和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價(jià)格具有競(jìng)爭(zhēng)力，支持 NFC 發(fā)起設(shè)備、目標(biāo)設(shè)備、讀取和卡模擬四種模式，目標(biāo)應(yīng)用包括非接支付、設(shè)備配對(duì)、無(wú)線充電、品牌保護(hù)以及其他工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。新器件引入了靈活性更高的主動(dòng)波形整形 (AWS)改進(jìn)技術(shù)，可以簡(jiǎn)化射頻輸出調(diào)整過(guò)程，方便優(yōu)化過(guò)沖和下沖問(wèn)題。射頻調(diào)整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設(shè)置，然后再用示波器進(jìn)行快速驗(yàn)證。這項(xiàng)技術(shù)簡(jiǎn)化了EMVCo 3.1a和
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意法半導(dǎo)體推出首款集成在一個(gè)封裝中的硅基驅(qū)動(dòng)器和GaN晶體管

　　瑞士意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片以及一對(duì)氮化鎵（GaN）晶體管的平臺(tái)。這個(gè)集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應(yīng)用?！　∫夥ò雽?dǎo)體（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并確保了預(yù)期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡(jiǎn)單、電路組件更少、系統(tǒng)可靠性更高。據(jù)估計(jì)，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％?！?/li>
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巨頭搶灘第三代半導(dǎo)體

長(zhǎng)期以來(lái)，英飛凌、意法半導(dǎo)體等功率半導(dǎo)體Top級(jí)廠商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術(shù)迭代和市場(chǎng)需求推動(dòng)之下，第三代半導(dǎo)體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續(xù)了一年的第三代半導(dǎo)體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導(dǎo)體國(guó)際巨頭競(jìng)相在公布2022年財(cái)報(bào)前后宣布了新建工廠計(jì)劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）都表示將在全球不同國(guó)家建設(shè)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠。雖然在目前階段來(lái)看，碳化硅的應(yīng)用和技術(shù)發(fā)展
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意法半導(dǎo)體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達(dá)克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績(jī)，意法半導(dǎo)體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強(qiáng)雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎(chǔ)建設(shè)之應(yīng)用帶來(lái)巨大的發(fā)展?jié)摿?。早期世代的射頻功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Laterally-Diffused Metal
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意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型

5月13日，意法半導(dǎo)體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長(zhǎng)期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對(duì)于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應(yīng)用對(duì)SiC晶圓的競(jìng)爭(zhēng)以及其非主流半導(dǎo)體加工，RF GaN-on-SiC可能會(huì)更昂貴。目前，意法半導(dǎo)體和
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意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1

合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果，工藝技術(shù)將會(huì)從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導(dǎo)體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運(yùn)營(yíng)中國(guó) / 24 Sep 2018橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能
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意法半導(dǎo)體為什么看好硅基氮化鎵技術(shù)?

日前，意法半導(dǎo)體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體滿足高效能、高功率的應(yīng)用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車車載充電器、無(wú)線充電和伺服器。　　本合作計(jì)劃之重點(diǎn)是在200mm晶圓上開發(fā)和驗(yàn)證制造先進(jìn)硅基氮化鎵架構(gòu)的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預(yù)測(cè)，該市場(chǎng)將在2024年前將保持超過(guò)20%的年復(fù)合成長(zhǎng)率。意法半導(dǎo)體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計(jì)劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)制程技術(shù)，預(yù)計(jì)在2019年完成可供
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