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晶體管
晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)
2013年我國(guó)電子器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析
- 電子器件指在真空、氣體或固體中,利用和控制電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律而制成的器件。如晶體管、電子管、集成電路等。由于電子器件本身能產(chǎn)生電子,對(duì)電壓、電流有控制、變換作用(如放大、開(kāi)關(guān)、整流、檢波、振蕩和調(diào)制等),所以又稱(chēng)有源器件。 2012年,我國(guó)電子器件制造行業(yè)累計(jì)完成固定資產(chǎn)投資額為2027.0億元;新增固定資產(chǎn)投資額為1457.4億元。2013年1-2月,我國(guó)電子器件制造行業(yè)累計(jì)完成固定資產(chǎn)投資額為219.6億元;新增固定資產(chǎn)投資額為109.1億元。近年來(lái),我國(guó)電子器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模逐年增大,到2012年
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科研人員研制出新型觸覺(jué)晶體管 讓機(jī)器人也能擁有人類(lèi)觸覺(jué)
- 雖然現(xiàn)在越來(lái)越的國(guó)家已經(jīng)研發(fā)出可執(zhí)行復(fù)雜任的機(jī)器人,但是來(lái)自美國(guó)和中國(guó)的科研人員并不愿意就此止步。近日,他們一起合作研發(fā)出了一種全新的3D電流陣,即機(jī)器人將具備人類(lèi)手指尖那樣的靈敏觸感度。喬治亞理工學(xué)院表示,這種技術(shù)將被廣泛運(yùn)用到人工/假肢皮膚、智能生物醫(yī)學(xué)治療以及智能機(jī)器人等領(lǐng)域中。 ? 據(jù)介紹,該種技術(shù)主要是通過(guò)“壓電效應(yīng)”而實(shí)現(xiàn)的。科研人員將由氧化鋅制成的納米線穿到一種被稱(chēng)為"taxels"的觸覺(jué)晶體管中。之后,他們將這些
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[組圖]用晶體管驅(qū)動(dòng)的電子管放大器
- 電子管作為音頻功率輸出故具有極佳的音樂(lè)表現(xiàn)力,而晶體管則在增益故發(fā)揮自己的獨(dú)特作用,本文給出了一個(gè)晶體管 ...
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生物計(jì)算機(jī):打開(kāi)細(xì)胞的遺傳晶體管
- 斯坦福大學(xué)的研究人員在本周宣布,他們已經(jīng)創(chuàng)造了基因受體,可以作為一種“生物計(jì)算機(jī)”潛在的革命性疾病如何處理。 在雜志“科學(xué)”上周五發(fā)表的一篇論文中,小組描述了他們的系統(tǒng)的遺傳晶體管,可以被插入到活細(xì)胞和開(kāi)啟和關(guān)閉,如果某些條件得到滿足的。 研究人員希望,這些的晶體管可能最終建成微觀生活計(jì)算機(jī)。該計(jì)算機(jī)將能夠完成的任務(wù),如判斷存在一定的毒素是在細(xì)胞內(nèi),看到多少次癌細(xì)胞分裂,或如何準(zhǔn)確地確定藥物相互作用與每個(gè)細(xì)胞。 一旦晶體管確定的條件得到滿足,
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英特爾以色列子公司去年出口額翻番
- 北京時(shí)間2月18日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾以色列子公司去年出口額增加一倍以上至46億美元,并尋求將英特爾下一代芯片生產(chǎn)引入以色列。 英特爾以色列子公司2012年出口額為46億美元,相比2011年的22億美元增長(zhǎng)109%,這主要得益于22納米工藝芯片在以色列南部水牛城(Kiryat Gat)工廠的開(kāi)始生產(chǎn),該工廠目前正維持全產(chǎn)能運(yùn)營(yíng)。 作為全球第一大芯片制造商,英特爾將在未來(lái)2年至3年時(shí)間內(nèi)在愛(ài)爾蘭和美國(guó)工廠生產(chǎn)14納米工藝芯片。不過(guò)該公司也已經(jīng)考慮10納米芯片的生產(chǎn)選址。隨著制程工藝的
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那些開(kāi)創(chuàng)未來(lái)的十年:晶體管計(jì)算機(jī)(1951-1960)
- 今天的連載把我們帶回到1951-1960年代,這個(gè)時(shí)候計(jì)算機(jī)從真空管轉(zhuǎn)向了晶體管,出現(xiàn)了第一張實(shí)現(xiàn)數(shù)字掃描的照片,呼啦圈為塑料開(kāi)辟了一個(gè)全新的市場(chǎng)。 1953年:晶體管計(jì)算機(jī)(計(jì)算機(jī)) 40年代的時(shí)候,計(jì)算機(jī)成為現(xiàn)實(shí),但它仍然的仍然是真空管。早期的計(jì)算機(jī),例如英國(guó)的Colossus計(jì)算機(jī),美國(guó)賓夕法尼亞大學(xué)的ENIAC計(jì)算機(jī),使用的都是數(shù)千個(gè)像燈泡一樣工作的玻璃圓柱體,這些真空管不僅體積巨大,而且運(yùn)行速度慢,能耗高。它們還會(huì)產(chǎn)生巨大的熱量,生命周期也很短。但到1953年,英國(guó)曼徹斯特大學(xué)的
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管
- SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator:FDSOI)技術(shù)。 如果采用FDSOI技術(shù),無(wú)需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導(dǎo)體制造技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù),因此無(wú)需很多成本即可繼續(xù)推進(jìn)微細(xì)化(圖1)。對(duì)于希望今后仍長(zhǎng)期享受SoC微細(xì)化恩惠的
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美研制出新型“4維”晶體管
- 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道,美國(guó)普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明:一種外形如同一顆圣誕樹(shù)一樣的新型晶體管,其重要組件“門(mén)”(柵極)的長(zhǎng)度縮減到了突破性的20納米。這個(gè)被稱(chēng)為“4維”晶體管的新事物預(yù)告了引領(lǐng)半導(dǎo)體工業(yè)和未來(lái)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域發(fā)展的潮流。該研究成果將于12月8日至12日在舊金山舉行的國(guó)際電子元器件會(huì)議上以兩篇論文的形式提交。 平面結(jié)構(gòu)的硅芯片晶體管一直沿用了半個(gè)多世紀(jì),直至去年英特爾公司研發(fā)出垂直3維結(jié)構(gòu)的晶體管,才宣告邁入了3
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三星、臺(tái)積電將于2013年實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
- 據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星將于2013年采用20納米技術(shù),同時(shí)開(kāi)始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開(kāi)始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當(dāng)前主流的智能手機(jī)芯片主要由高通和三星制造,高通的代工廠中,最出名的就是臺(tái)積電 此前,臺(tái)積電采用的是28納米技術(shù),三星采用的是32納米技術(shù)。眾所周知,晶體管是越細(xì)越好,耗能也越少,芯片體積也將更小。 可以預(yù)見(jiàn),我們或?qū)⒃?013年年底或2014年年初見(jiàn)到采用20納米技術(shù)制造的高通芯片。另外,臺(tái)積電也是英偉達(dá)(NVIDIA)的代工廠,
- 關(guān)鍵字: 三星 晶體管 20納米
科學(xué)家首次研制成功單電子半加器
- 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月21日?qǐng)?bào)道,研究人員一直在努力降低硅基計(jì)算組件的尺度,以滿足日益增長(zhǎng)的小規(guī)模、低能耗計(jì)算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路,它們都被用于通過(guò)控制電壓來(lái)處理電子設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項(xiàng)新研究中,韓國(guó)、日本和英國(guó)科學(xué)家組成的科研小組僅用5個(gè)晶體管就制造出一個(gè)半加器,它是所有邏輯電路中最小的一種。這也是首次成功制成基于單電子的半加器(HA)。相關(guān)研究報(bào)告發(fā)表在最新一期《應(yīng)用物理快報(bào)》上。 研究人員稱(chēng),單電子半加器是單電子晶體管多值邏輯電路家族中最小的運(yùn)算模塊,所有的邏輯電路都由眾多半
- 關(guān)鍵字: 半加器 晶體管 CMOS
飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案
- 為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求,工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而,在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度電源、汽車(chē)以及井下作業(yè)等領(lǐng)域,要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計(jì)性能,設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度就會(huì)提高,同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
- 關(guān)鍵字: 飛兆 SiC 晶體管
晶體管驅(qū)動(dòng)負(fù)載技巧及選擇的注意事項(xiàng)
- 在電子制作時(shí),經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機(jī)等元件,發(fā)現(xiàn)晶體管負(fù)載的不同接法,效果差別很大,有的接法 ...
- 關(guān)鍵字: 晶體管 驅(qū)動(dòng)負(fù)載 注意事項(xiàng)
晶體管介紹
【簡(jiǎn)介】
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān),和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]
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