晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

摩爾定律預(yù)言晶體管將在2021年停止縮減準(zhǔn)不準(zhǔn)?

　　本月早些時(shí)候公布的2015年半導(dǎo)體國(guó)際技術(shù)路線圖顯示，經(jīng)過(guò)50多年的小型化，晶體管可能將在短短五年間停止縮減。該報(bào)告的預(yù)測(cè)，到2021年之后，繼續(xù)縮微處理器當(dāng)中小晶體管的尺寸，對(duì)公司來(lái)說(shuō)不再經(jīng)濟(jì)。相反，芯片制造商將使用其它手段提升晶體管密度，即從水平專到垂直，建立多層電路。　　一些人認(rèn)為，這一變化將有可能被解釋為摩爾定律死亡的另外一種方式。雪上加霜的是，這是最后一份ITRS路線圖。目前，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)和半導(dǎo)體研究公司已經(jīng)分道揚(yáng)鑣，就摩爾定律死亡之后，尋找和制定新的半導(dǎo)體發(fā)展路線圖。預(yù)計(jì)其他ITRS
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單管共射放大電路的相關(guān)知識(shí)

　　一、晶體管放大電路的概述　　由三極管組成的放大電路，它的主要作用是將微弱的電信號(hào)(電壓、電流)放大成為所需要的較強(qiáng)的電信號(hào)。根據(jù)放大電路輸入、輸出回路變化信號(hào)公共端的晶體管電極，我們把晶體管放大電路分為共射、共基、共集三類。　　二、單管共射放大電路的組成及元件作用　　單管共發(fā)射極電路(如下圖)需要放大的電壓信號(hào)Ui接在放大電路輸入端;放大后的電壓Uo，從放大電路的集電極與發(fā)射極輸出。發(fā)射極E是輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的公共端，組成共發(fā)射極放大電路。　　　　三極管V：實(shí)
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一款驅(qū)動(dòng)壓電管的高壓放大器

　　文章主要介紹能驅(qū)動(dòng)壓電管的高壓放大器，感性趣的朋友可以看看。　　在掃描隧道顯微鏡中驅(qū)動(dòng)操作裝置的壓電管狀定位器需要使用高壓低電流驅(qū)動(dòng)電路。圖1所示電路具有6 kHz的-3dB帶寬，可驅(qū)動(dòng)高阻低電容的壓電負(fù)載。該電路成本低，可代替商用驅(qū)動(dòng)器。晶體管Q3和Q4構(gòu)成了一個(gè)電流反射鏡，R3設(shè)定Q4的集電極電流。該集電極電流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式確定。運(yùn)算放大器IC1為Q5提供基極驅(qū)動(dòng)，Q5又驅(qū)動(dòng)Q6。當(dāng)IC1輸入端無(wú)信號(hào)時(shí)，Q6和Q3的集電極電流平衡，
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從晶體管特性曲線看飽和問(wèn)題

　　我前面說(shuō)過(guò)：談?wù)擄柡筒荒懿惶嶝?fù)載電阻?，F(xiàn)在再作詳細(xì)一點(diǎn)的解釋。　　借用楊真人提供的那幅某晶體管的輸出特性曲線。由于原來(lái)的Vce僅畫(huà)到2.0V為止，為了說(shuō)明方便，我向右延伸到了4.0V。　　如果電源電壓為V，負(fù)載電阻為R，那么Vce與Ic受以下關(guān)系式的約束：　　Ic = (V-Vce)/R 　　在晶體管的輸出特性曲線圖上，上述關(guān)系式是一條斜線，斜率是 -1/R，X軸上的截距是電源電壓V，Y軸上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖說(shuō)的“Ic(max)是指在假定e、c極短路
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二氧化釩有助于提升晶體管能效？

　　美國(guó)賓州大學(xué)(Penn State)的材料科學(xué)家采用一種將二氧化釩結(jié)合于電子元件的新技術(shù)，發(fā)現(xiàn)了可提升電晶體效能的新方法。　　“目前的電晶體技術(shù)難以取代，因?yàn)榘雽?dǎo)體己經(jīng)進(jìn)展得如此有聲有色，”賓州大學(xué)材料科學(xué)與工程系助理教授Roman Engel-Herbert解釋。“但還有一些材料，如二氧化釩可以添加在現(xiàn)有的元件中，使其效能表現(xiàn)更好。” 　　研究人員們已經(jīng)知二氧化釩有一種不尋常的特性稱為“金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變”。在金屬狀態(tài)下，電
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一個(gè)小型晶體管開(kāi)關(guān)電路的無(wú)聊分析

　　Q3是一個(gè)PNP型開(kāi)關(guān)，此開(kāi)關(guān)控制另一PNP型開(kāi)關(guān)Q4，Q5是另另一NPN型開(kāi)關(guān)，與本文無(wú)關(guān)。　　實(shí)驗(yàn)是想研究Q3偏置電阻對(duì)Q4導(dǎo)通情況的影響。電路的設(shè)計(jì)需求是Q3導(dǎo)通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導(dǎo)通而VCE較大時(shí)，Q4也隨之導(dǎo)通。這種情況在Q3負(fù)載電容R29固定時(shí)，往往是由R27取特定范圍值導(dǎo)致的。在PSpice中做個(gè)DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實(shí)不用完全關(guān)斷Q4就導(dǎo)通了，而且R29的電流不會(huì)降低太多，也就是R29的分壓沒(méi)降低多少Q(mào)4即可導(dǎo)通，此時(shí)Q3對(duì)R29分壓
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我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（2）

　　1、PNP管做旁路晶體管時(shí)，雖然壓降較小，但其輸出阻抗大，需要特定的ESR的電容才能穩(wěn)定，同時(shí)允許的功率耗散較小，應(yīng)小心在重載條件下使用。　　2、因?yàn)榫w管的基極電流較大，導(dǎo)致當(dāng)晶體管做耗散管時(shí)，芯片的接地電流常常較大(幾個(gè)mA甚至數(shù)十個(gè)mA)，在電池供電的應(yīng)用中，這可能會(huì)大大縮短電池的壽命! 　　3、因?yàn)榫€性穩(wěn)壓器是通過(guò)消耗功率來(lái)獲得輸出電壓的穩(wěn)定，功率的消耗將主要轉(zhuǎn)化為熱量，因此，當(dāng)線性穩(wěn)壓器芯片太燙的時(shí)候，一定要考慮是否在其上消耗了過(guò)多的能量。　　4、A/D轉(zhuǎn)換器的類型和特點(diǎn)：　　
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斯坦福學(xué)者發(fā)現(xiàn)集成光路核心單元

　　Lightwave報(bào)道，斯坦福大學(xué)的研究者最近在美國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)OSA的Optica雜志撰文稱找到一種利用基于MZ干涉儀的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)建多種光網(wǎng)絡(luò)用光器件的辦法。　　斯坦福大學(xué)電子系David A. B. Miller博士在他的文章“基于不完美器件的完美光學(xué)技術(shù)”中指出，最近，學(xué)者們開(kāi)始發(fā)現(xiàn)干涉儀可以用來(lái)構(gòu)建幾乎任何可以想到的光學(xué)器件。對(duì)干涉儀網(wǎng)的研究可以開(kāi)啟未來(lái)利用光學(xué)器件代替現(xiàn)在的電子器件來(lái)進(jìn)行線性工作的大門(mén)。　　 ? 　　根據(jù)Miller博士的描述，
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杜克大學(xué)研究者開(kāi)發(fā)超快速LED 1秒鐘內(nèi)開(kāi)合900億次

　　根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，有研究者最近研發(fā)出了一種可在1秒鐘內(nèi)開(kāi)合900億次的LED發(fā)光設(shè)備，可作為光計(jì)算技術(shù)的應(yīng)用基礎(chǔ)。　　目前，智能手機(jī)的電池內(nèi)部擁有多達(dá)數(shù)十億的晶體管，它們使用了可在每秒開(kāi)合數(shù)十億次的電子來(lái)進(jìn)行供電。但如果微芯片可以使用光子而非電子來(lái)處理和傳輸數(shù)據(jù)，計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度就能得到大幅提升。不過(guò)首先，研究者們需要開(kāi)發(fā)出能夠快速開(kāi)合的光源。　　雖然激光可以滿足這種要求，但它們存在能耗過(guò)高和發(fā)射裝置體積過(guò)大的問(wèn)題，因此并不適合在計(jì)算機(jī)內(nèi)部工作。而現(xiàn)在，杜克大學(xué)所開(kāi)發(fā)出的這種快速發(fā)光設(shè)備讓研究
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晶體管原理

　　導(dǎo)讀：本文主要講述的是晶體管的原理，感興趣的童鞋們快來(lái)學(xué)習(xí)一下吧~~~很漲姿勢(shì)的哦~~~ 1.晶體管原理--簡(jiǎn)介　　晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)速度可以非常之快。嚴(yán)格意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。 2.晶體管原理--結(jié)構(gòu) 　　晶體管
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晶體管工作原理

　　導(dǎo)讀：晶體管，只是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱，那么問(wèn)題來(lái)了，晶體管工作原理是什么呢?接下來(lái)就讓我們以雙極性晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管為例來(lái)詳細(xì)了解一下吧～一、晶體管工作原理- -簡(jiǎn)介　　晶體管，英文名稱為transistor，泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等等。晶體管具有整流、檢波、放大、穩(wěn)壓、開(kāi)關(guān)等多種功能，具有響應(yīng)速度快、精度高等特點(diǎn)，是規(guī)范化操作手機(jī)、平板等現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建模塊，目前已有著廣泛的應(yīng)用。二、晶體管工作原理- -分類　　
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Diodes高壓穩(wěn)壓器晶體管為微控制器提供5V電源并節(jié)省占位面積

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的穩(wěn)壓器ZXTR2105F，該產(chǎn)品把晶體管、齊納二極管及電阻器單片式集成起來(lái)，有效在高達(dá)60V的輸入情況下提供5V 15mA的輸出。這款穩(wěn)壓器晶體管采用了小巧的SOT-23封裝，可減少元件數(shù)量，以及節(jié)省微控制器應(yīng)用的印刷電路板面積，例如個(gè)人電腦和服務(wù)器的直流散熱風(fēng)扇，以及工業(yè)與汽車市場(chǎng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、排氣扇和傳感器應(yīng)用。　　　　ZXTR2105F旨在替代三個(gè)分立元件，當(dāng)一般用來(lái)從12V或24V的輸入產(chǎn)生4.7
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CPU的未來(lái)全靠它？一個(gè)原子厚度的晶體管

　　近日，美國(guó)研制出世界上首個(gè)僅有原子厚度的硅烯晶體管，而CPU的未來(lái)，就全靠它了。
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實(shí)現(xiàn)專業(yè)高音質(zhì)及96%功率效率，宜普公司的演示板采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)設(shè)計(jì)，包含四個(gè)接地的半橋輸出功率級(jí)電路，使得設(shè)計(jì)可以升級(jí)及擴(kuò)展。在這個(gè)基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)電晶體的系統(tǒng)中，我們把所有會(huì)影響D類音頻系統(tǒng)的音質(zhì)的元素減至最少或完全去除。　　根據(jù)Intersil公司的D2 Audio的共同創(chuàng)辦人兼前任CTO Skip Taylor博士所說(shuō)：「eGaN FET的功率級(jí)準(zhǔn)確地以高功率復(fù)制D類脈寬調(diào)制(PWM)信號(hào)并具有超高線
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研究人員用二維硅原子構(gòu)建晶體管

　　自碳單原子層材料石墨烯發(fā)明以來(lái)，研究人員已經(jīng)研發(fā)出了多種其它單原子層材料，其中就包括了碳的同族材料硅，但硅烯(即硅的單原子層)面臨的一個(gè)難題是它會(huì)與空氣中的氧氣迅速發(fā)生反應(yīng)而瓦解。本周一，研究人員宣布他們成功的用硅烯構(gòu)建出場(chǎng)效應(yīng)晶體管。　　報(bào)告發(fā)表在《Nature Nanotechnology》上。他們的銀的表面制造出一大片硅烯，然后覆蓋氧化鋁充當(dāng)保護(hù)層，蝕刻掉部分鋁，將剩余部分金屬作為源漏接觸，通過(guò)在二氧化硅表面沉淀鋁，他們得到了一個(gè)可用作場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)備。　　
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]