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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶圓

日本佳能：我們能造2nm芯片！不需要ASML光刻機

  • 日本光刻機大廠佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓印（Nanoprinted lithography，NIL）設(shè)備FPA-1200NZ2C之后，佳能首席執(zhí)行官御手洗富士夫近日在接受采訪時再度表示，該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)先進芯片開辟一條道路，使得生產(chǎn)先進芯片的技術(shù)不再只有少數(shù)大型半導(dǎo)體制造商所獨享。納米壓印技術(shù)并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術(shù)，直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次，就可以在特定的位置
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力積電投資55億美元在日本建廠推動汽車芯片業(yè)務(wù)發(fā)展

  • 12月13日消息，力積電將借助日本新建工廠大幅發(fā)展期汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。力積電首席執(zhí)行官黃崇仁在接受媒體采訪時表示：“日本有巨大的機會”，日本具有廣闊的市場前景和眾多車企聚集的地域優(yōu)勢。他補充表示，“目前汽車產(chǎn)品僅占我們銷售額的8%，通過進軍日本市場，我們計劃在未來將這一比例提高到30%”。為了更好地進入日本市場，力積電計劃與金融集團SBI Holdings共同投資8000億日元（約合55億美元）建立合資企業(yè)，在日本宮城縣大平市建造新廠。第一階段，該公司將投資4200億日元，從2027年開始以每月1萬片的規(guī)模
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晶圓代工市場分析：三星與臺積電的差距進一步擴大

  • 芯片需求的上漲對晶圓代工廠商的作用是顯而易見的，特別是對于依賴先進制程的高性能芯片，7nm、5nm等制程的加持不僅讓性能有了飛躍的提升，在功耗的控制上也有更多的余地。對于大部分依賴先進制程的芯片公司而言，從晶圓代工廠商中搶訂單已經(jīng)成為了頭等大事。當(dāng)然，對于晶圓廠商來說，決定先進制程量產(chǎn)的光刻機也有著同樣的地位。特別是在進入7nm、5nm之后，EUV光刻機的數(shù)量將直接決定能否持續(xù)取得市場領(lǐng)先地位。作為目前晶圓代工領(lǐng)域的兩大龍頭，臺積電和三星之間圍繞光刻機的競爭已經(jīng)趨于白熱化。今年第三季度，晶圓代工龍頭臺積電
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2023晶圓大戰(zhàn)：利潤跌跌撞撞的好戲

  • 2023年全球晶圓代工行業(yè)正經(jīng)歷著波瀾不驚的變革。從全球七大晶圓代工廠的最新財報中可以看出各家代工廠對于明年下一階段將會面臨的挑戰(zhàn)和業(yè)務(wù)可持續(xù)發(fā)展的計劃。與此同時，從財報中也能體現(xiàn)出由于經(jīng)濟不景氣、新冠疫情以及一些業(yè)務(wù)調(diào)整帶來的市場變化。全球七大晶圓代工廠財報概覽首先，臺積電作為全球最大的晶圓代工廠之一，在第三季度的業(yè)績中出現(xiàn)了一些波動。其合并營收同比下降10.8%，但環(huán)比增長13.7%。凈利潤同比下降25.0%，但環(huán)比增長16.0%。這反映了半導(dǎo)體行業(yè)的一般趨勢，即受到全球經(jīng)濟和地緣政治不確定性的影響，
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英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

  • 11月28日消息，據(jù)外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計劃
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ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤系統(tǒng)

  • ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤系統(tǒng)，該系統(tǒng)主要針對嵌入式處理器、DRAM 和 NAND 等應(yīng)用的晶圓測試，可在 -40°C 耗散高達 2.5kW 的功率 。2023 年 11 月 14 日，半導(dǎo)體制造業(yè)提供溫度管理解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者——ERS electronic，現(xiàn)推出全新高功率溫度卡盤系統(tǒng)。該技術(shù)針對高端 CPU、GPU 和高并行性 DRAM 器件應(yīng)用的晶圓測試，可在-60°C 至+200°C 溫度范圍內(nèi)對 Device Under Test (DUT)進行精確且強大的溫度控制
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晶圓代工大廠10月營收月增34.8%，透露PC/手機復(fù)蘇有影

  • 11月10日，晶圓代工大廠臺積電發(fā)布公10月營收公告，該月營收約2432.03億元新臺幣，較9月增加34.8%，較2022年同期增加15.7%，創(chuàng)歷史新高，并終止連七個月營收年減。2023年1月至10月營收1兆7794 .1億元新臺幣，較2022年同期減少3.7%。臺積電在上次法說會預(yù)估，第四季以美元計價的營收金額約188億至196億美元，毛利率51.5%~53.5%，營業(yè)利益率39.5%~41.5%。若以1美元兌換新臺幣32元匯率基礎(chǔ)計算，第四季營收將落在6016億至6072億元新臺幣，較第三季成長9%
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SEMI報告：全球硅晶圓出貨量繼2023年下降后，2024年將反彈

  • 美國加州時間2023年10月26日，SEMI在其年度硅出貨量預(yù)測報告中指出，受半導(dǎo)體需求的持續(xù)疲軟和宏觀經(jīng)濟狀況影響，2023年全球硅晶圓出貨量預(yù)計將下降14%，從2022年創(chuàng)紀(jì)錄的14565百萬平方英寸（million square inches, MSI）降至12512百萬平方英寸，隨著晶圓和半導(dǎo)體需求的恢復(fù)和庫存水平的正?；蚬杈A出貨量將在2024年反彈。隨著人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、5G、汽車和工業(yè)應(yīng)用推動著硅需求的增加，從2024年開始的反彈勢頭預(yù)計將持續(xù)到2026年，晶圓出
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2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%

  • 2023 年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂觀預(yù)計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬片，年產(chǎn)能 150 萬。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機構(gòu)的統(tǒng)計，此前天岳先進、天科合達合計占據(jù)全球
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中國香港地區(qū)將建首個具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠

  • 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產(chǎn)24萬片碳化硅晶圓，帶動年產(chǎn)值超過110億港元，并創(chuàng)造超過700個本地和
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晶圓的另一面：背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展 探討晶圓背面的半導(dǎo)體新機遇

  • 至少出于性能原因，器件晶圓背面的空間看起來很有發(fā)展?jié)摿?。把電源軌從前端移到背面可以緩解晶圓正面的擁塞，實現(xiàn)單元微縮并減少電壓降。領(lǐng)先的半導(dǎo)體邏輯企業(yè)深知背面供電的優(yōu)勢，正積極開發(fā)背面分布網(wǎng)絡(luò)。 ?作者：泛林集團 Semiverse? Solutions 半導(dǎo)體和工藝整合工程師 Sandy Wen
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SEMI報告：2026年全球200mm晶圓廠產(chǎn)能將創(chuàng)記錄新高

  • 美國加州時間2023年9月19日，SEMI發(fā)布的《2026年200mm晶圓廠展望報告》（200mm Fab Outlook to 2026）顯示，預(yù)計在2023年到2026年，全球半導(dǎo)體制造商200mm晶圓廠產(chǎn)能將增加14%，新增12個200mm晶圓廠（不包括EPI），達到每月770多萬片晶圓的歷史新高。功率化合物半導(dǎo)體對消費、汽車和工業(yè)領(lǐng)域至關(guān)重要，是200mm投資的最大驅(qū)動力。特別是電動汽車的動力總成逆變器和充電站的發(fā)展，預(yù)計隨著電動汽車采用率的持續(xù)上升，將推動全球200mm晶圓產(chǎn)能的增長。SEMI總
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晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展

  • 在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個麻煩問題。當(dāng)時發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過程中，幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來。收拾完殘局后，我們想到，可以在晶圓背面沉積各種薄膜，從而降低其摩擦系數(shù)。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個問題，但我們的客戶經(jīng)理不太高興，因為他們不得不向客戶解釋由此導(dǎo)致的產(chǎn)量減少的原因。盡管初識晶圓背面的過程不太順利，但當(dāng)2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發(fā)布時，我開始更加關(guān)注這個領(lǐng)域。Xilinx的產(chǎn)品是首批采用“堆疊硅互連技術(shù)”的異構(gòu)集成
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為下一代半導(dǎo)體鋪路，日本科學(xué)家用激光解決金剛石晶圓切片難題

  • IT之家 8 月 3 日消息，金剛石（鉆石的原石）是半導(dǎo)體行業(yè)有前景的材料之一，但由于將其切割成薄晶圓具有挑戰(zhàn)性，因此一直沒有大規(guī)模應(yīng)用。當(dāng)?shù)貢r間周二，日本千葉大學(xué)官網(wǎng)發(fā)布消息，介紹了一項被稱為金剛石半導(dǎo)體新型激光切片技術(shù)的突破，使用激光脈沖將金剛石切割成薄片，號稱“為下一代半導(dǎo)體材料鋪平了道路”。千葉大學(xué)的一個研究小組開發(fā)了一種新的基于激光的技術(shù)，號稱“可以毫不費力地沿著最佳晶面切割金剛石”，可用于電動汽車的高效功率轉(zhuǎn)換和高速通信技術(shù)?！?圖源日本千葉大學(xué)官網(wǎng)據(jù)介紹，包括金剛石在內(nèi)的大多數(shù)晶體
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ERS進入中國的第六年：實驗室落戶上海

  • 作為半導(dǎo)體從業(yè)者，我們都知道芯片制造程序大致有IC設(shè)計、晶圓制造和封裝三大環(huán)節(jié)，每個環(huán)節(jié)都會影響到產(chǎn)品的好壞?？偟膩碚f，一顆設(shè)計完好的芯片的良率主要受到晶圓制造和封裝環(huán)節(jié)的影響，所以必須要通過測試環(huán)節(jié)來把控芯片質(zhì)量的優(yōu)劣。而半導(dǎo)體測試主要包括芯片設(shè)計環(huán)節(jié)中的設(shè)計驗證、晶圓制造中的晶圓針測以及成品測試。晶圓針測通常發(fā)生在晶圓加工完成后，封裝工藝進行前，主要用到的設(shè)備是探針臺，用于晶圓的輸送與定位，使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個測試。通過電學(xué)參數(shù)檢測等，測試晶圓上每個晶粒的有效性，標(biāo)記異常的晶粒，減少后續(xù)
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晶圓介紹

晶圓　　晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]

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