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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 模擬技術(shù)

高端電流檢測放大器性能分析

  • 在討論器件功能時,檢流放大器可以看作一個輸入級浮空的儀表/差分放大器。這意味著即使器件采用VCC=3.3V或5V單電源供電,在輸入共模電壓遠高于電源電壓的條件下,器件仍然能夠正常放大差分輸入信號。檢流放大器的共模電壓可 以很高,例如可以高達28V(MAX4372和MAX4173)或76V(MAX4080和MAX4081)。    檢流放大器的這一特性使其非常適合高端電流檢測應用,這類應用往往需要對高壓側(cè)檢流電阻兩端的微小電壓進行放大,并饋入到低壓ADC或低壓模擬控制環(huán)路進
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AP3012的應用

  • AP3012是BCD公司發(fā)布的內(nèi)部含有1.5MHz的固定頻率振蕩器,具有電流模式的PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器,并具有內(nèi)部過壓保護OVP功能,其開關電流達到500mA,外形為SOT23-5封裝。   1、AP3012的性能參數(shù):   輸入電壓范圍:2.6~16V;   關斷電流:1uA;   靜態(tài)電流:3.5mA;   開關電流:500mA;   開關頻率:1.5MHz;   過壓保護電壓:29V;   軟啟動時間:550uS;   反饋檢測電壓:1.25V,反饋端輸入
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全球晶片廠4-6月產(chǎn)能利用率升至89.7%

  •   受高階記憶體晶片和小型電子設備用微處理器的需求提振,全球晶片廠產(chǎn)能利用率在4-6月呈現(xiàn)連續(xù)第二季上揚。   國際半導體產(chǎn)能統(tǒng)計協(xié)會(SICAS)周四表示,全球晶片廠4-6月產(chǎn)能利用率升至89.7%,前季則為87.5%。SICAS系由包含英特爾(Intel)、三星電子<005930>和德州儀器(Texas Instrument)在內(nèi)的41家主要晶片制造商所組成.SICAS指出,對于高階晶片的需求尤其強勁,包括動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和更高效能的微處理器。   但產(chǎn)能利用率一年來均維
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PCB市場規(guī)模不斷擴大 生產(chǎn)重心偏移亞洲

  • 據(jù)位于紐約的市場研究公司VisantStrategies表示,印制電路板(PCB)市場將在2007年達到500億美元,并將在2012年增長到760億美元。     亞太地區(qū)有望拓展PCB生產(chǎn)規(guī)模,從而使該地區(qū)的PCB收入在2007~2012年間增長60%以上,而其它地區(qū)的PCB收入則相應下降。其它地區(qū)可能繼續(xù)作為出色的低產(chǎn)量專用PCB生產(chǎn)中心。      “挑戰(zhàn)源于設計和制造更小更復雜的板、滿足芯片中越來越
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中國半導體發(fā)展居世界首位

  •     8月7日,株式會社瑞薩科技在北京發(fā)布了新的中國戰(zhàn)略,期望到2010財年之前在中國的銷售額能夠增長100%,并且MCU、TV用LSI和汽車半導體等重點領域的產(chǎn)品市場份額同步擴大100%。瑞薩希望通過與中國的合作,研發(fā)適合中國市場的產(chǎn)品,使本地業(yè)務得到更快發(fā)展。未來,瑞薩不僅期望銷售額能夠大幅增長,并且計劃大幅度提升在中國工廠的設計能力和產(chǎn)能,產(chǎn)能目標是在五年之內(nèi)提升到目前的3倍。中國半導體行業(yè)市場有什么發(fā)展特點?瑞薩在中國本地化業(yè)務如何發(fā)展?瑞薩如何培養(yǎng)本地化
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2007年臺灣地區(qū)半導體資本支出將居于前列

  • 今年臺灣地區(qū)廠商的半導體資本支出將提高40億美元,達到130億美元。“從整體產(chǎn)業(yè)來看,我們預測今年資本支出將增長5%?!盨MA的總裁George Burns在報告中表示?!皫缀跛性鲩L都發(fā)生在臺灣地區(qū)?!?SMA預測,中國大陸和東南亞資本支出將微幅增長,美國和歐洲企業(yè)的半導體資本支出將沒有增長。Burns表示,日本的資本支出將“明顯萎縮”,預計下降15%?!绊n國廠商在削減支出?!彼f?!暗渲С鰞H下降1%?!?SMA報告稱,臺灣地區(qū)廠商今年占資本支出的份額升至22%,表現(xiàn)突出。“臺灣地區(qū)資本支出
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美信發(fā)布最新單節(jié)獨立式電量計DS2784

德州儀器最新14位ADC采樣速率高達400MSPS

  • 日前,德州儀器(TI)宣布推出速率高達400MSPS的業(yè)界最快單片14位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。這款新產(chǎn)品實現(xiàn)了高性能,在400MSPS下的有效位數(shù)(ENOB)可達11.1,從而能夠支持各種高帶寬應用,其中包括測試與測量設備、軟件定義無線電、雷達系統(tǒng)以及通信儀表等,這些設備以前只能采用分辨率較低的ADC。      ADS5474采用TI專有BiCom3工藝技術(shù)制造而成,通過集成片上緩沖放大器簡化了模擬前端(AFE)設計。緩沖放大器消除了采樣保持回掃脈沖(s
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盛群發(fā)布兩款內(nèi)建比較器的A/D型微控制器

凌力爾特推出新款36V降壓型開關穩(wěn)壓器

  • 凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出3.5A、36V降壓型開關穩(wěn)壓器LT3680,該器件能以突發(fā)模式(BurstMode)工作,以保持靜態(tài)電流低于75uA。LT3680在3.6V至36V的VIN范圍內(nèi)工作,非常適用于汽車應用中的負載突降和冷車發(fā)動情況。其4.6A內(nèi)部開關可以在電壓低至0.79V時提供高達3.5A的連續(xù)輸出電流。LT3680的突發(fā)模式工作具有超低靜態(tài)電流,非常適用于汽車或電信系統(tǒng)等應用,這些應用需要始終保持接通工作和最佳電池工作時間。開關頻率從250kH
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Maxim推出最小的雙輸入Li+充電器

  • Maxim推出業(yè)界最小的、完全集成的、雙輸入、獨立式、USB/AC適配器充電器MAX8804Y/MAX8804Z,適用于一節(jié)鋰離子(Li+)電池。MAX8804Y/MAX8804Z最高可耐受30V DC或16V USB輸入電壓,當輸入電壓超過7.5V (典型值)時,器件關斷,避免粗略調(diào)整的電源對器件的損害。該系列充電器僅需6mm²電路板空間,同時集成了專有的熱調(diào)節(jié)以及恒流、恒壓(CCCV)電路,消除了快充階段的過熱并簡化了硬件設計。這一系列小尺寸充電器所具有的可靠性
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凌力爾特推出低噪聲、低壓 1.1A LDO LT1965

  • 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出具有高功率密度的低噪聲、低壓 1.1A LDO LT1965。LT1965 在滿負載時具有僅為 300mV 的低壓差,并具有 1.8V 至 20V 的寬 VIN 能力和 1.2V 至 19.5V 的低可調(diào)輸出。僅為 40uVRMS 
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奧地利微電子推出EEPROM的8位數(shù)字電位器

  • 奧地利微電子公司推出256抽頭、SPI接口、非易失數(shù)字電位器AS1506,可提供10、50和100kΩ電阻,進一步擴展了數(shù)字電位器產(chǎn)品系列。 AS1506的最大待機電流為500nA,包括CMOS寫操作電流在內(nèi)的最大工作電流只有200µA,因此是低功耗應用的理想選擇。AS1506采用2.7至 5.5V單電源工作,端到端電阻的溫度系數(shù)為90ppm/
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Maxim推出MAX3814 TMDSS®數(shù)字視頻均衡器

  • Maxim針對HDMI®和DVI™應用推出MAX3814 TMDSS®數(shù)字視頻均衡器以及電纜驅(qū)動器。MAX3815長程DVI/HDMI電纜均衡器建立了領先的數(shù)字視頻信號完整性技術(shù),在此基礎上Maxim推出了MAX3814。典型的HDMI/DVI輸出驅(qū)動器將在連接器和高阻(開路) HDMI/DVI發(fā)送器輸出之間引入信號反射,而MAX3814則為采用200Ω背向端接電阻提供了可選擇的高50%電流模式,從而可吸收輸出反射。此外,該器件輸入還可為長電纜(最長20m的
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電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展

  • 1 引言   人類的經(jīng)濟活動已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時代,并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時期。電源是位于市電(單相或三相)與負載之間,向負載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設備,是工業(yè)的基礎。   電源技術(shù)是一種應用功率半導體器件,綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動控制技術(shù)的多學科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學技術(shù)的發(fā)展,電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技術(shù)等許多領域密切相關。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門多學科互相滲透的綜合性技術(shù)學科。他對現(xiàn)代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動化、電力工程、國防及某些
  • 關鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  創(chuàng)新  高頻  MOSFET  模擬IC  電源  
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模擬技術(shù)介紹

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