碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航

一、復(fù)雜的電子環(huán)境汽車、工業(yè)和航空電子設(shè)備所處的供電環(huán)境非常復(fù)雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運(yùn)行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統(tǒng)供電應(yīng)用為例，該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求，還需要應(yīng)對相對不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性；與車輛電池連接的電子和機(jī)械系統(tǒng)的差異性，也可能導(dǎo)致標(biāo)稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實(shí)上，在一定時間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車和工業(yè)系統(tǒng)是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
關(guān)鍵字： MOSFET

使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

如今，越來越多的設(shè)計者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個主要因素（在一個簡化模型中）：一個是串聯(lián)阻抗，稱為rds(on)，另一個是并聯(lián)電容，稱為coss。這兩個晶體管參數(shù)限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術(shù)，設(shè)計者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著rds(on)的減小，管芯尺寸會增加，這會導(dǎo)
關(guān)鍵字： MOSFET

意法半導(dǎo)體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動電動汽車和工業(yè)應(yīng)用未來發(fā)展

※? ?意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用※? ?持續(xù)長期投資 SiC市場，意法半導(dǎo)體迎接未來增長服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進(jìn)在電動汽車動力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場景應(yīng)用。作為 Si
關(guān)鍵字： MOSFET

CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現(xiàn)其所建立的合作伙伴關(guān)系

高溫半導(dǎo)體和功率模塊方面的領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)CISSOID 公司，與技術(shù)領(lǐng)先的、為新能源汽車超快速和超高安全性實(shí)時控制提供現(xiàn)場可編程控制器單元（FPCU）半導(dǎo)體架構(gòu)的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅（SiC）智能功率模塊（IPM）平臺實(shí)現(xiàn)了集成，雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺將加速用于電動汽車電機(jī)驅(qū)動的緊湊型高效碳化硅逆變器的開發(fā)。該合作伙伴關(guān)系將提供一個碳化硅逆變器的模塊化平臺，從而提供高
關(guān)鍵字： MOSFET

安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)，近日發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開關(guān)特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務(wù)器和電信系統(tǒng)是
關(guān)鍵字： MOSFET

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。近日，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，國產(chǎn)碳化硅功率器件供應(yīng)商派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司（簡稱派恩杰）的SiC MOSFET產(chǎn)品在新能源汽車OBC應(yīng)用驗(yàn)證取得了重大突破，獲得了新能源汽車
關(guān)鍵字： MOSFET

安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅(qū)動器獲ASPENCORE全球電子成就獎（WEAA）的功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器類獎項(xiàng)。WEAA項(xiàng)目表彰對全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和個人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎?wù)?。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊（TM-PIM）獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類獎項(xiàng)，同時公司以其先進(jìn)的汽車方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商獎。EE Awa
關(guān)鍵字： MOSFET

深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作

11月27日，由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦，由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會承辦、深圳市科技交流服務(wù)中心、深圳基本半導(dǎo)體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心執(zhí)行的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上，來自國內(nèi)及英國、法國、比利時等國際知名的科學(xué)家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會、半導(dǎo)體企業(yè)及投資機(jī)構(gòu)等泛第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會，共同探討中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應(yīng)用現(xiàn)況及未來趨勢，并就如何深化“碳中和”目標(biāo)
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體碳化硅

2021基本創(chuàng)新日盛大開啟碳化硅系列新品重磅發(fā)布

新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕?；景雽?dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費(fèi)等領(lǐng)域以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。汽車級全碳化硅功
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET

東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)設(shè)計小型
關(guān)鍵字： MOSFET

非常見問題第191期：負(fù)載點(diǎn)DC-DC轉(zhuǎn)換器解決電壓精度、效率和延遲問題

問題：為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實(shí)現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態(tài)響應(yīng)的最佳方法之一。負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器，放置在盡可能靠近負(fù)載的位置，以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應(yīng)用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應(yīng)用中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達(dá)、激光雷達(dá)和視覺系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增，導(dǎo)致需要更快的數(shù)
關(guān)鍵字： MOSFET

多通道電流傳感器自動測試系統(tǒng)

多通道電流傳感器自動測試系統(tǒng)可以根據(jù)測試需求，實(shí)現(xiàn)電流傳感器的比例誤差、上升時間、零點(diǎn)偏置、零點(diǎn)漂移、線性度等參數(shù)的自動測試。其中精密恒流源輸出可至200 A，準(zhǔn)確度優(yōu)于0.01%，多臺并聯(lián)可達(dá)到2 kA。覆蓋了大多數(shù)中低準(zhǔn)確度的測試需求，同時可配合準(zhǔn)確度高達(dá)10-6的標(biāo)準(zhǔn)電流傳感器解決更高準(zhǔn)確度的測試需求。
關(guān)鍵字：電流傳感器自動測試精密恒流源比例誤差 202111 MOSFET

Diodes Incorporated 目標(biāo)電動汽車產(chǎn)品應(yīng)用推出高電流 TOLL MOSFETs

Diodes 公司為金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運(yùn)作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇，像是能量熱回
關(guān)鍵字： MOSFET

意法半導(dǎo)體端口保護(hù)IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制

意法半導(dǎo)體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護(hù) IC為雙角色輸電(DRP)應(yīng)用量身定制，針對能給相連設(shè)備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品，可以簡化其設(shè)計。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片，TCPP03-M20讓設(shè)計者以經(jīng)濟(jì)劃算的方式進(jìn)行USB Type-C 接口硬件分區(qū)，實(shí)現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案，從而節(jié)省
關(guān)鍵字： MOSFET STM32

SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。如今，在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導(dǎo)體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應(yīng)用，并迎來了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
關(guān)鍵字： MOSFET