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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

  • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
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什么是碳化硅？SiC的特性和特征

  • 碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
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ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

  • 意法半導(dǎo)體（ST）作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域，在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心，推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā)，滿足ASIL D等級?；贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利，大大縮短了整個研發(fā)周期。
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ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應(yīng)用

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù)，圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
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躋身第三代半導(dǎo)體市場 ST助力全球碳中和

  • 　　隨著第三代半導(dǎo)體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應(yīng)用在工業(yè)和電動汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導(dǎo)體行業(yè)中的佼佼者，意法半導(dǎo)體同樣重視第三代半導(dǎo)體帶來的優(yōu)勢作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動了第三代半導(dǎo)體在電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應(yīng)用發(fā)展。2022年2月意法半導(dǎo)體召開媒體交流會，介紹了意法半導(dǎo)體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻?！　?jù)調(diào)查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
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非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計

  • 離線反激式電源在變壓器初級側(cè)需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實現(xiàn)電壓鉗位，但在每個開關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關(guān)采用互補驅(qū)動的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會對電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設(shè)計限制，可以采用另外一種更先進的控制技術(shù)，即非互補有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴展新應(yīng)用領(lǐng)域，PI推出首款汽車級開關(guān)電源IC

  • 　　2022年2月15日，Power Integrations召開新品發(fā)布會，推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC，可提供高達70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費類應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動汽車領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

  • 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統(tǒng)設(shè)計的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機驅(qū)
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Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC

三安集成：碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”，湖南基地實現(xiàn)規(guī)模交付

  • 新年第一個月，中國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺 -- 湖南三安“喜提”多個好消息。長沙制造碳化硅二極管量產(chǎn)出貨并順利通過客戶驗證，車規(guī)級二極管接連獲得汽車行業(yè)客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”，湖南三安駛?cè)氚l(fā)展快車道在化石燃料資源和環(huán)境問題面前，各國都發(fā)布了“雙碳”計劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車，拜登政府也計劃拿出超過600億美元用于推動家用車和公交車的電動化，日本則是通過提高行業(yè)燃油經(jīng)濟性標準以促進新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉(zhuǎn)換效率，在充電樁、車載充電
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用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

  • 系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設(shè)計理念是實現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點，為電源SiP的設(shè)計提供參考。
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大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應(yīng)用

  • 本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實現(xiàn)二級保護的方案；論述了其實現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案，避免漏電流導(dǎo)致電池包不正常工作的問題。
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大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

  • 電池供電電機控制方案為設(shè)計人員帶來多項挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時的工作；現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
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ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2P06xMF-Z”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AC/DC轉(zhuǎn)換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標準“Energy Star*3”和安全標準“IEC 62368”等，需要從國際視角構(gòu)建電源系統(tǒng)。其
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ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運行保駕護航

  • 一、復(fù)雜的電子環(huán)境汽車、工業(yè)和航空電子設(shè)備所處的供電環(huán)境非常復(fù)雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統(tǒng)供電應(yīng)用為例，該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求，還需要應(yīng)對相對不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性；與車輛電池連接的電子和機械系統(tǒng)的差異性，也可能導(dǎo)致標稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實上，在一定時間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車和工業(yè)系統(tǒng)是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
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碳化硅 mosfet介紹

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