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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

英飛凌推出針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行了優(yōu)化的快速二極管

  •   英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD,進(jìn)一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET,這些器件更加可靠耐用,具有更低的過(guò)沖電壓和更低的反向恢復(fù)損耗,有助于實(shí)現(xiàn)最可靠的系統(tǒng),特別是在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,如通訊系統(tǒng)、工業(yè)電源、D類音頻放大器、電機(jī)控制(適用于48–110V系統(tǒng))和直流/交流逆變器等?! √岣呖煽啃裕瑫r(shí)節(jié)省成本  OptiMOS?FD家族具備針對(duì)最高性能標(biāo)準(zhǔn)而優(yōu)化的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。相比標(biāo)
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凌力爾特推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動(dòng)器 LT8309

  • 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副邊同步整流器驅(qū)動(dòng)器 LT8309,該器件采用 MOSFET 取代了輸出二極管,無(wú)需使用散熱器就可允許高達(dá) 10A 的輸出電流。
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下一代晶體管技術(shù)何去何從

  • 電子技術(shù)發(fā)展至今,主要在拼什么?功耗、成本、快速性成為很多公司對(duì)外宣傳的殺手锏,那么在這個(gè)速食的時(shí)代,下一代晶體管技術(shù)又將何去何從呢?
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凌力爾特推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器

  • 2014 年 2 月 19 日,凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器 LTC3784,該器件采用高效率 N 溝道 MOSFET 取代了整流升壓二極管。
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模擬電子—從放大器說(shuō)起(四):反饋

  • 在了解了三極管/MOSFET的原理之后,就可以涉及具體的電路來(lái)放大信號(hào)了。但是剛一拿起鉛筆和稿紙就發(fā)現(xiàn)一個(gè)非常現(xiàn)實(shí)的問(wèn)題那就是三極管或者是MOSFET的放大倍數(shù)都不是那么穩(wěn)定的,例如說(shuō)三極管的電流增益Beta就是受到工藝影響非常大的一個(gè)指標(biāo),如果我們要對(duì)信號(hào)進(jìn)行非常精準(zhǔn)的放大僅僅依靠三極管的原生放大倍數(shù)肯定是不行的。
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飛兆全新中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應(yīng)用

  • 2014年2月13日,許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開(kāi)關(guān)和負(fù)載開(kāi)關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench? MOSFET,在尺寸減小的同時(shí)可實(shí)現(xiàn)卓越的開(kāi)關(guān)速度和功耗性能。
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

  • 2014 年 1 月22 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  Si7157DP  

省毫瓦以增里程;提升汽車CAN總線能效以增強(qiáng)燃油經(jīng)濟(jì)性

  • 對(duì)于傳統(tǒng)乘用車而言,油箱是唯一的實(shí)際能源來(lái)源,故制造商們尋求在包括電子系統(tǒng)在內(nèi)的所有汽車系統(tǒng)中節(jié)能,以進(jìn)一步改善燃油經(jīng)濟(jì)性及二氧化碳(CO2)排放。隨著汽車中增添的電子系統(tǒng)的數(shù)量不斷增多,以增強(qiáng)汽車性能及安全性,并為購(gòu)買者提供有吸引力的新功能,汽車中每個(gè)電子控制單元(ECU)的節(jié)能效果較低的話,就會(huì)使總油耗大幅增加。
  • 關(guān)鍵字: CAN  SBC  MOSFET  轉(zhuǎn)換器  ECU  

電子元器件科普小知識(shí):功率MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

  • 什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。...
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非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法

  • 衷于從縮小晶體管來(lái)提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的內(nèi)存,是一件多么美妙的事情!越來(lái)...
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  CMOS器件  

基于功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu)工作原理及應(yīng)用

  • 本文將介紹功率MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)的結(jié)構(gòu)、工作原理及基本工作電路。什么是MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)“MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)...
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  工作原理  應(yīng)用  

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

  • MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)管,已經(jīng)是是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件,其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)...
  • 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源  MOSFET  驅(qū)動(dòng)技術(shù)  

節(jié)能技術(shù)獲支持 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金期

  •   據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露,有關(guān)促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。獲悉,政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計(jì)和制造方面,尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè),功率半導(dǎo)體將迎來(lái)重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和黃金發(fā)展期。   功率半導(dǎo)體是節(jié)能減排的關(guān)鍵技術(shù)和基礎(chǔ)技術(shù),被大量應(yīng)用于消費(fèi)類電子、新能源汽車、光伏發(fā)電、風(fēng)電、工業(yè)控制和國(guó)防裝備。2013年以來(lái)我國(guó)大部分地區(qū)霧霾天氣頻發(fā),在這種背景下,大規(guī)模使用功率半導(dǎo)體來(lái)提高能源效率、促進(jìn)節(jié)能減排,也成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要方向。   
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SiC元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實(shí)用化

  • 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板,在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiCMOSFET’。在‘CEATECJ...
  • 關(guān)鍵字: SiC元件  MOSFET  

預(yù)驅(qū)動(dòng)器和MOSFET控制功率負(fù)載的電路設(shè)計(jì)

  • 隨著汽車電子設(shè)備的不斷增多,如自動(dòng)變速箱,電動(dòng)后視鏡折疊、中控自動(dòng)門鎖等高級(jí)功能的普及,我們電控模塊的驅(qū)動(dòng)...
  • 關(guān)鍵字: 預(yù)驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  控制功率  
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碳化硅 mosfet介紹

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