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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

EiceDRIVERTM 系列新品：1EDI Compact驅(qū)動(dòng)器

  • 2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動(dòng)化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對(duì)絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  驅(qū)動(dòng)器  IGBT  MOSFET  

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道照明系統(tǒng)

  • 摘要：本課題的主要研究?jī)?nèi)容是根據(jù)《公路隧道通風(fēng)照明設(shè)計(jì)規(guī)范》要求研究設(shè)計(jì)了網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道燈控制系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 智能調(diào)光  LED  隧道照明  光耦  MOSFET  201312  

高功率LED照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的新方法

  • 摘要：傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動(dòng)電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作，成本低，容易實(shí)現(xiàn)，但目前高亮度LED消耗的電流可達(dá)350mA甚至更高，因此傳統(tǒng)方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電源的實(shí)現(xiàn)方法，具有高性價(jià)比，輸出電流大，失真度低，且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： LED  照明驅(qū)動(dòng)  DC/DC  SIMPLE  MOSFET  201312  

東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會(huì)

  • 2013年11月22日，日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，在第十五屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(簡(jiǎn)稱高交會(huì))電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區(qū)”這一主題，重點(diǎn)展示了面向移動(dòng)終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲(chǔ)等五大應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  存儲(chǔ)卡  MOSFET  

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

  • 引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

把握LED設(shè)計(jì)關(guān)鍵 實(shí)現(xiàn)情調(diào)照明

  • 一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設(shè)計(jì)方法與思路，目前有兩種最新的設(shè)計(jì)理念。1.情景照明:是2008年由飛...
  • 關(guān)鍵字： LED    MOSFET  

MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MOS管  驅(qū)動(dòng)電路  MOSFET  導(dǎo)通特性  AN799  

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電源設(shè)計(jì)  

Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時(shí)集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過(guò)20個(gè)元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
  • 關(guān)鍵字： Power  MOSFET  HiperTFS-2  

飛兆集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

  • 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  SPS  驅(qū)動(dòng)器  

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字： TI  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

怎么能使Simulink的仿真速度更快?

  • 現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對(duì)象也是越來(lái)越復(fù)雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時(shí)候，因?yàn)镻C上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來(lái)是越跑越慢了。
  • 關(guān)鍵字： Simulink  仿真速度  操作系統(tǒng)  MOSFET  

東芝擴(kuò)充碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管系列

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布將擴(kuò)充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  碳化硅  

深入淺出常用元器件系列——MOSFET

  • MOSFET，中文名金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  晶體管  datasheet  漏極電流  
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碳化硅 mosfet介紹

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