首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

飛兆提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

  • 服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價比解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  SuperFET  

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動器有辦法

  • 如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當(dāng)然，這種爭議會阻礙數(shù)字控制電源以
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動器  辦法  性能  電源  提升  數(shù)字  控制  如何  

電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
  • 關(guān)鍵字： FET    MOSFET    電源設(shè)計(jì)小貼士    德州儀器  

電源設(shè)計(jì)小貼士：同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和F...
  • 關(guān)鍵字： 同步降壓  MOSFET  電阻比  

飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強(qiáng)、效率更高

  • 汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  FDB9403  

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽能逆變器、叉車、電動工具、代步車，以及ORing和熱插拔應(yīng)用等。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

高壓MOS缺貨 晶片商搶推高整合LED驅(qū)動器

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)者競相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動IC方案，讓LED照明系統(tǒng)客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。 　　恩智浦區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示，調(diào)光與非調(diào)光LED驅(qū)動IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET，因此恩智浦將透過高整合LED驅(qū)動IC方案確?？蛻粽莆肇浽礋o虞。 　　恩智浦(NXP)區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示，20
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  LED  MOSFET  

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

Vishay將參加西安2012西部電源技術(shù)創(chuàng)新論壇

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國西部電源技術(shù)論壇。論壇與中國電源行業(yè)協(xié)會合辦，由Vishay技術(shù)專家做4場技術(shù)報告，探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電容器  電感器  MOSFET  

功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革

  • 　　前言 　　為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。 　　而提高轉(zhuǎn)換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產(chǎn)生幾十萬伏的電壓，通過電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機(jī)充電器所提供的約5V的電壓進(jìn)行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉(zhuǎn)換，每次轉(zhuǎn)換都會發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  功率元器件  MOSFET  

新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)湓趯捿斎?、高用電量?fù)載中的應(yīng)用

  • 摘要：本文介紹了一種“零電壓開關(guān)(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)?，說明了其給系統(tǒng)帶來的優(yōu)勢和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品中的集成。
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓器  柵極驅(qū)動  MOSFET  201211  

Microsemi推出新型SiC肖特基二極管

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探。
  • 關(guān)鍵字： 美高森美  碳化硅  二極管  

羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索

  • 在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力爭更低功耗”的指導(dǎo)原理下，隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)了開關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中，微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  功率元器件  MOSFET  

天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)

  • 　　記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。 　
  • 關(guān)鍵字： 天域  半導(dǎo)體  碳化硅  
共1472條 63/99 |‹ « 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 » ›|

碳化硅 mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473